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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第852页 > BF998W
BF 998W
硅N沟道MOSFET四极管
高S / C品质因数短沟道晶体管
对于低噪声，增益控制输入级高达1 GHz的
BF998的反向版本引出线
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BF 998W
订购代码标识
MOS
Q62702-F1586
引脚配置
1=D
2=S
包
3 = G
1
4 = G
2
SOT-343
所有电气数据等同于相应的典型值，而不" W "
半导体集团
1
Jul-30-1996
BF 998W
包
半导体集团
2
Jul-30-1996
BF998...
硅N_Channel MOSFET四极管
短沟道晶体管
具有高S / C质量因子
对于低噪声，增益控制
输入级高达1 GHz
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
包
引脚配置
记号
BF998
BF998R
BF998W
SOT143
SOT143R
SOT343
1=S
1=D
1=D
2=D
2=S
2=S
3=G2
3=G1
3=G1
4=G1
4=G2
4=G2
-
-
-
-
-
-
MOS
太太
MR
最大额定值
参数
漏源电压
连续漏电流
门1 / 2门源电流
总功耗
T
S
≤
76 ° C， BF998 ， BF998R
T
S
≤
94 ° C， BF998W
储存温度
通道温度
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
BF998 ， BF998R
BF998W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
符号
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
P
合计
价值
12
30
10
200
200
单位
V
mA
T
英镑
T
ch
符号
R
thChS
-55 ... 150
150
°C
价值
≤
370
≤
280
单位
K / W
1
Feb-13-2004
BF998...
电气特性
参数
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 10 A,
V
G1S
= -4 V,
V
G2S
= -4 V
1号门源击穿电压
±I
G2S
= 10毫安，
V
G2S
=
V
DS
= 0
GATE2源击穿电压
±I
G2S
= 10毫安，
V
G2S
=
V
DS
= 0
1号门源漏电流
±V
G1S
= 5 V,
V
G2S
=
V
DS
= 0
2号门源漏电流
±V
G2S
= 5 V,
V
G2S
=
V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 8 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 4 V
1号门源夹断电压
V
DS
= 8 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 A
2号门源夹断电压
V
DS
= 8 V,
V
G1S
= 0 ,
I
D
= 20 A
-V
G2S(p)
-
0.8
2
-V
G1S(p)
-
0.8
2.5
V
I
DSS
5
9
15
mA
±I
G2SS
-
-
50
nA
±I
G1SS
-
-
50
nA
±V
(BR)G2SS
8
-
12
±V
(BR)G1SS
8
-
12
V
（ BR ） DS
12
-
-
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Feb-13-2004
BF998...
电气特性
参数
AC特性
正向跨导
V
DS
= 8 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V
g
fs
C
g1ss
符号
分钟。
20
-
值
典型值。
24
2.1
马克斯。
-
2.5
单位
-
pF
GATE1输入电容
V
DS
= 8 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
2号门的输入电容
V
DS
= 8 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
C
g2ss
-
1.2
-
pF
反馈电容
V
DS
= 8 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
C
dg1
-
25
-
fF
输出电容
V
DS
= 8 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
C
DSS
-
1.1
-
pF
功率增益
V
DS
= 8 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 45 MHz的
V
DS
= 8 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
G
p
dB
-
-
28
20
-
-
dB
-
-
2.8
1.8
50
-
-
-
噪声系数
V
DS
= 8 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 45 MHz的
V
DS
= 8 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
F
增益控制范围
V
DS
= 8 V,
V
G2S
= 4 ...-2 V,
f
= 800兆赫
G
p
40
3
Feb-13-2004
BF998...
总功耗
P
合计
=
(
T
S
)
BF998 ， BF998R
总功耗
P
合计
=
(
T
S
)
BF998W
220
mA
220
mA
180
160
180
160
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
输出特性
I
D
=
(
V
DS
)
V
G2S
= 4 V
V
G1S
=参数
26
mA
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
V
-0.4V
-0.2V
0V
0.2V
0.4V
1号门正向跨导
g
fs
=
(
I
D
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
=参数
26
mS
4V
22
20
18
2V
g
fs
I
D
16
14
12
10
8
6
4
2
0V
1V
14
0
0
4
8
12
16
mA
24
V
DS
I
D
4
Feb-13-2004
BF998...
1号门正向跨导
g
fs1
=
(
V
G1S
)
26
mS
4V
漏电流
I
D
=
(
V
G1S
)
V
DS
= 5V
V
G2S
=参数
30
4V
2V
mA
22
20
18
2V
G
fs
20
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-1
-0.75
-0.5
-0.25
0
0.25
0V
1V
I
D
1V
15
10
0V
5
V
0.75
0
-1
-0.75 -0.5 -0.25
0
0.25
0.5
V
1
V
G1S
V
G1S
功率增益
G
ps
=
(
V
G2S
)
f
= 45 MHz的
30
噪声系数
F
=
(
V
G2S
)
f
= 45 MHz的
10
dB
dB
8
7
6
5
4
10
3
2
1
0
0
V
G
ps
20
15
5
F
1
2
4
0
0
1
2
V
4
V
G2S
V
G2S
5
Feb-13-2004
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BT139-800G
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B75NH02L
B37940K1010C501
BY8116
BS616LV2011EC
BU1571KN
BCX54
BZM55B5V1-TR3
BD676AG
BCR10KM-12LA
BQ2167B-
B37930K5100J060
BY8412/A52R
B82496C3120
B82496-C3120
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
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    BF998W
    -
    -
    -
    -
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BF998W
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原装正品 钻石品质 假一赔十
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BF998W
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SOT343
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BF998W
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BF998W
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32000
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