BCX54 ， BCX55 ， BCX56
晶体管（ NPN ）
SOT-89-3L
特点
PNP补充手段BCX51 ， BCX52 ， BCX53
低电压
HIGH CURRENT
应用
音频放大器的驱动级
标记： BCX54 ： BA ， BCX54-10 ： BC， BCX54-16 ： BD
BCX55 ： BE ， BCX55-10 ： BG ， BCX55-16BM
BCX56 ： BH ， BCX56-10 ： BK ， BCX56-16 ： BL
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
参数
BCX54
集电极 - 基极电压
BCX55
BCX56
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCX54
BCX55
BCX56
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
45
60
100
45
60
80
5
1
500
250
150
-55~+150
1.基地
2.收集
3.辐射源
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
℃
℃
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
BCX 54 /五十六分之五十五
在SOT89 NPN硅平面中功率晶体管
特点
I
c
= 1A的连续集电极电流
低饱和电压V
CE （ SAT ）
<为500mV @ 0.5A
增益组10和16
外延平面片建设
互补PNP类型： BCX51 ， 52和53
无铅，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT89
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物（注2 ）
防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成
重量： 0.072克（近似值）
应用
中功率开关或放大应用
自动对焦驱动级和输出级
SOT89
C
E
B
C
C
B
E
顶视图
设备符号
顶视图
引脚输出
订购信息
（注3）
产品
BCX54TA
BCX5410TA
BCX5416TA
BCX55TA
BCX5510TA
BCX5516TA
BCX56TA
BCX5610TA
BCX5616TA
BCX5316TC
注意事项：
记号
BA
BC
BD
BE
BG
BM
BH
BK
BL
BL
卷尺寸（英寸）
7
7
7
7
7
7
7
7
7
13
胶带宽度（mm）
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
QUANTITY每卷
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
4,000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com
标识信息
XX =产品型号标识代码，如下所示：
xx
BCX54 - BA
BCX5410 = BC
BCX5416 = BD
BCX55 - BE
BCX5510 = BG
BCX5516 = BM
BCX56 - BH
BCX5610 = BK
BCX5616 = BL
BCX 54 /五十六分之五十五
数据表编号： DS35369修订版2 - 2
1 7
www.diodes.com
2011年6月
Diodes公司
BCX 54 /五十六分之五十五
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲集电极电流
连续基极电流
峰值脉冲电流基地
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
BCX54
45
45
BCX55
60
60
5
1
1.5
100
200
BCX56
100
80
单位
V
V
V
A
mA
热特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境（注4 ）
热阻，结到信息（注5 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
1
124
10.0
-65到+150
单位
W
° C / W
° C / W
°C
4，对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面的1盎司铜皮，在静止空气条件;该装置测得的
在稳态条件下运行时。
5.从结点到焊点点（上裸露收集垫）热敏电阻。
BCX 54 /五十六分之五十五
数据表编号： DS35369修订版2 - 2
2 7
www.diodes.com
2011年6月
Diodes公司
SMD型
BCX54,BCX55,BCX56
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
Testconditons
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CB
= 30 V，I
E
= 0; TJ = 125
发射Cuto FF电流
直流电流增益
I
EBO
h
FE
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
直流电流增益BCX54-10 ， BCX55-10 ， BCX56-10
BCX54-16,BCX55-16,BCX56-16
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
h
FE
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
V
CE （ SAT ）
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
V
BE
f
T
h
FE
h
FE
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 2V
晶体管
民
典型值
最大
100
10
100
单位
nA
ìA
nA
63
63
40
63
100
160
250
0.5
1
130
1.3
1.6
V
V
兆赫
250
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
TYPE
记号
BCX54
BA
BCX55
BE
BCX56
BH
BCX54-10
BC
BCX55-10
BG
BCX56-10
BK
BCX54-16
BD
BCX55-16
BM
BCX56-16
BL
2
www.kexin.com.cn
SOT89 NPN硅平面
中功率晶体管
第3期 - 1996年2月
7
C
BCX54-16 - BD
BCX55-16 - BM
BCX56-16 - BL
PARTMARKING详情： -
BCX54 - BA
BCX54-10 - BC
BCX55 - BE
BCX55-10 - BG
BCX56 - BH
BCX56-10 - BK
互补类型： -
BCX54 - BCX51
BCX55 - BCX52
BCX54
BCX55
BCX56
E
C
BCX56 - BCX53
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
BCX54
45
45
BCX55
60
60
5
2
1
1
-65到+150
BCX56
100
80
单位
V
V
V
A
A
W
°C
工作和存储温度范围T
j
:T
英镑
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
BCX54
BCX55
BCX56
BCX54
BCX55
BCX56
符号
V
（ BR ） CBO
MIN 。 TYP 。 MAX 。单位条件。
45
60
100
45
60
80
5
0.1
20
20
0.5
1.0
25
40
25
63
100
150
15
250
160
250
V
I
C
=100A
V
（ BR ） CEO
V
V
A
A
nA
V
V
I
C
=10mA*
I
E
=10A
V
CB
=30V
V
CB
= 30V ，T
AMB
=150°C
V
EB
=4V
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 5毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 150毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 150毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 150毫安，V
CE
=2V*
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
BE（上）
h
FE
–10
–16
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
兆赫我
C
= 50mA时V
CE
=10V,
f=100MHz
pF
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
3 - 35
BCX54...BCX56
NPN硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BCX51 ... BCX53 （ PNP ）
1
2
3
2
VPS05162
TYPE
BCX54
BCX54-10
BCX54-16
BCX55
BCX55-10
BCX55-16
BCX56
BCX56-10
BCX56-16
记号
BA
BC
BD
BE
BG
BM
BH
BK
BL
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
包
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
1
Jul-10-2001
NPN硅晶体管自动对焦
BCX 54 BCX ... 56
特点
q
用于AF的驱动级和输出级
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型： BCX 51 BCX ... 53 （ PNP ）
TYPE
BCX 54
BCX 54-10
BCX 54-16
BCX 55
BCX 55-10
BCX 55-16
BCX 56
BCX 56-10
BCX 56-16
记号
BA
BC
BD
BE
BG
BM
BH
BK
BL
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C954
Q62702-C1861
Q62702-C1731
Q62702-C1729
Q62702-C1730
Q62702-C1903
Q62702-C1614
Q62702-C1635
Q62702-C1613
引脚配置
1
2
3
B
C
E
包
1)
SOT-89
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
04.96
BCX 54 BCX ... 56
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BCX 54
BCX 55
BCX 56
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
BCX 54
BCX 55
BCX 56
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 2 V
BCX 54 BCX 55 BCX 56
BCX 54-10 ， BCX 55-10 ， BCX 56-10
BCX 54-16 ， BCX 55-16 ， BCX 56-16
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
f
T
–
100
–
兆赫
V
(BR)CE0
45
60
80
V
(BR)CB0
45
60
100
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE
–
–
–
–
100
160
–
–
–
–
250
160
250
–
0.5
1
V
–
–
–
–
100
20
20
nA
A
nA
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
BCX54
BCX55
BCX56
表面贴装
NPN硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BCX54 ，
BCX55 ， BCX56和类型是NPN硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在一个表面安装型
包，专为高电流一般
目的放大器应用。
SOT- 89 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储
结温
热阻
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BCX54
45
45
BCX55
60
60
5.0
1.0
1.5
100
200
1.2
-65到+150
104
BCX56
100
80
单位
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 125°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 100μA （ BCX54 ）
45
BVCBO
IC = 100μA （ BCX55 ）
60
BVCBO
IC = 100μA （ BCX56 ）
100
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX54 ）
45
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX55 ）
60
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX56 ）
80
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VBE （ON）的
VCE = 2.0V ， IB = 500毫安
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 5.0毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX54-10 ， BCX55-10 ， BCX56-10 ）
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX54-16 ， BCX55-16 ， BCX56-16 ） 100
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
40
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
130
最大
100
10
100
0.5
1.0
250
160
250
单位
nA
A
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
R1 （ 2001年18月）
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
音频和视频放大器驱动阶段。
描述
在SOT89塑料NPN中功率晶体管
封装。 PNP补充： BCX51 ， BCX52和BCX53 。
记号
手册， halfpage
BCX54 ; BCX55 ; BCX56
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
2
3
1
TYPE
数
BCX54
BCX54-10
BCX54-16
BCX55
BCX55-10
记号
CODE
BA
BC
BD
BE
BG
TYPE
数
BCX55-16
BCX56
BCX56-10
BCX56-16
记号
CODE
BM
BH
BK
BL
1
底部视图
2
3
MAM296
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
1999年4月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BCX54
BCX55
BCX56
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCX54
BCX55
BCX56
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BCX54 ; BCX55 ; BCX56
分钟。
65
65
马克斯。
45
60
100
45
60
80
5
1
1.5
0.2
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
单位
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
94
14
单位
K / W
K / W
1999年4月19日
3
恩智浦半导体
BC635 ; BCP54 ; BCX54
45 V ，1 A NPN型中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
BC635
BCP54
BCX54
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[2]
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
45
45
5
1
1.5
0.2
单位
V
V
V
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
65
65
0.83
0.64
0.96
0.5
0.85
1.25
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
BC635_BCP54_BCX54_7
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2007年6月4日
4 15
QQ：2881677436 复制
