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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第574页 > BF998B
BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
N沟道双栅MOS -场效应四极管，
耗尽型
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
输入混频级的UHF调谐器。
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
低反馈电容
高交调性能
D
低输入电容
D
高AGC范围
D
高增益
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
BF998标记： MO
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
BF998R标记：铁道部
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
BF998RW标记： WMO
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
文档编号85011
第4版， 23军， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (9)
BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1S/G2S
7
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-65到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
测试条件
I
D
= 10
m
A,
–V
G1S
= –V
G2S
= 4 V
±I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= V
DS
= 0
±V
G1S
= 5 V,
V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 8 V, V
G1S
= 0,
V
G2S
= 4 V
TYPE
符号
V
（ BR ） DS
±V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
±I
G1SS
±I
G2SS
BF998/BF998R/
BF998RW
BF998A/BF998RA/
BF998RAW
BF998B/BF998RB/
BF998RBW
I
DSS
I
DSS
I
DSS
–V
G1S(OFF)
–V
G2S(OFF)
4
4
9.5
1.0
0.6
民
12
7
7
典型值
最大单位
V
14
14
50
50
18
V
V
nA
nA
mA
10.5毫安
18
2.0
1.0
mA
V
V
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
V
DS
= 8 V, V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20
m
A
V
DS
= 8 V, V
G1S
= 0,
I
D
= 20
m
A
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第4版， 23军， 99
BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
AC电气特性
V
DS
= 8 V，I
D
= 10 mA时， V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
2号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号
y
21s
C
issg1
C
issg2
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
D
G
ps
F
F
民
21
典型值
24
2.1
1.1
25
1.05
28
20
1.0
1.5
最大
2.5
单位
mS
pF
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
G2S
= 4 -2 V ， F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
16.5
40
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
20
250
I
D
- 漏电流（mA ）
16
12
8
0
4
V
G1S
= –1V
0
0
96 12159
4V
V
DS
= 8V
5V
3V
2V
1V
200
150
100
50
20
40
60
80
100 120 140 160
12817
0
–0.6
–0.2
0.2
0.6
1.0
1.4
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功耗对比
环境温度
30
25
I
D
- 漏电流（mA ）
20
15
10
5
0
0
12812
图4.漏电流与2号门源电压
3.0
V
G2S
= 4V
V
G1S
= 0.6V
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–2
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=1MHz
0.4V
0.2V
0
–0.2V
–0.4V
2
4
6
8
10
–1.5 –1.0 –0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
V
DS
- 漏源电压（ V）
12863
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与
1号门源电压
3.0
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
V
DS
= 8V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
12
8
4
0
–0.8
12816
6V
5V
4V
3V
2V
1V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
G2S
=4V
f=1MHz
0
V
G2S
=–1V
–0.4
0.0
0.4
0.8
1.2
2
12864
4
6
8
10
12
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与1号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
10
F = 800MHz的
- 传感器增益（dB ）
0
–10
–20
–0.2V
–30
–0.4V
–40
–50
–1
12818
4V
3V
2V
1V
0
IM（ Y） （MS ）
21
5
0
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
1300MHz
0
12821
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=100...1300MHz
I
D
=5mA
10mA
20mA
f=100MHz
400MHz
700MHz
1000MHz
S
21
2
V
G2S
=–0.8V
–0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
4
8
12
16
20
24
28
32
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
回复（Y
21
） （女士）
图7.传感器增益与1号门源电压
y
21s
- 正向纳（MS ）
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
0
12819
图10.短路正向转移导纳
9
V
DS
=8V
f=1MHz
V
G2S
=4V
3V
IM（ Y） （MS ）
22
8
7
6
5
4
3
2
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
400MHz
100MHz
0
0.25
0.50
0.75
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
1.00
1.25
1.50
2V
1V
1
0
20
24
28
12822
4
8
12
16
I
D
- 漏电流（mA ）
回复（Y
22
） （女士）
图8.正向纳主场迎战漏电流
20
18
16
14
IM（ Y） （MS ）
11
12
10
8
6
4
2
0
0
12820
图11.短路输出导纳
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
6
8
10
12
14
400MHz
100MHz
2
4
回复（Y
11
） （女士）
图9.短路输入导纳
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
N沟道双栅MOS -场效应四极管，
耗尽型
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
输入混频级的UHF调谐器。
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
低反馈电容
高交调性能
D
低输入电容
D
高AGC范围
D
高增益
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
BF998标记： MO
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
BF998R标记：铁道部
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
BF998RW标记： WMO
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1S/G2S
7
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-65到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
测试条件
I
D
= 10
m
A,
–V
G1S
= –V
G2S
= 4 V
±I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= V
DS
= 0
±V
G1S
= 5 V,
V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 8 V, V
G1S
= 0,
V
G2S
= 4 V
TYPE
符号
V
（ BR ） DS
±V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
±I
G1SS
±I
G2SS
BF998/BF998R/
BF998RW
BF998A/BF998RA/
BF998RAW
BF998B/BF998RB/
BF998RBW
I
DSS
I
DSS
I
DSS
–V
G1S(OFF)
–V
G2S(OFF)
4
4
9.5
1.0
0.6
民
12
7
7
典型值
最大单位
V
14
14
50
50
18
V
V
nA
nA
mA
10.5毫安
18
2.0
1.0
mA
V
V
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
V
DS
= 8 V, V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20
m
A
V
DS
= 8 V, V
G1S
= 0,
I
D
= 20
m
A
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
AC电气特性
V
DS
= 8 V，I
D
= 10 mA时， V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
2号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号
y
21s
C
issg1
C
issg2
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
D
G
ps
F
F
民
21
典型值
24
2.1
1.1
25
1.05
28
20
1.0
1.5
最大
2.5
单位
mS
pF
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
G2S
= 4 -2 V ， F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
16.5
40
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
20
250
I
D
- 漏电流（mA ）
16
12
8
0
4
V
G1S
= –1V
0
0
96 12159
4V
V
DS
= 8V
5V
3V
2V
1V
200
150
100
50
20
40
60
80
100 120 140 160
12817
0
–0.6
–0.2
0.2
0.6
1.0
1.4
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功耗对比
环境温度
30
25
I
D
- 漏电流（mA ）
20
15
10
5
0
0
12812
图4.漏电流与2号门源电压
3.0
V
G2S
= 4V
V
G1S
= 0.6V
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–2
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=1MHz
0.4V
0.2V
0
–0.2V
–0.4V
2
4
6
8
10
–1.5 –1.0 –0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
V
DS
- 漏源电压（ V）
12863
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与
1号门源电压
3.0
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
V
DS
= 8V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
12
8
4
0
–0.8
12816
6V
5V
4V
3V
2V
1V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
G2S
=4V
f=1MHz
0
V
G2S
=–1V
–0.4
0.0
0.4
0.8
1.2
2
12864
4
6
8
10
12
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与1号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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4 (9)
文档编号85011
第4版， 23军， 99
BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
10
F = 800MHz的
- 传感器增益（dB ）
0
–10
–20
–0.2V
–30
–0.4V
–40
–50
–1
12818
4V
3V
2V
1V
0
IM（ Y） （MS ）
21
5
0
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
1300MHz
0
12821
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=100...1300MHz
I
D
=5mA
10mA
20mA
f=100MHz
400MHz
700MHz
1000MHz
S
21
2
V
G2S
=–0.8V
–0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
4
8
12
16
20
24
28
32
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
回复（Y
21
） （女士）
图7.传感器增益与1号门源电压
y
21s
- 正向纳（MS ）
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
0
12819
图10.短路正向转移导纳
9
V
DS
=8V
f=1MHz
V
G2S
=4V
3V
IM（ Y） （MS ）
22
8
7
6
5
4
3
2
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
400MHz
100MHz
0
0.25
0.50
0.75
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
1.00
1.25
1.50
2V
1V
1
0
20
24
28
12822
4
8
12
16
I
D
- 漏电流（mA ）
回复（Y
22
） （女士）
图8.正向纳主场迎战漏电流
20
18
16
14
IM（ Y） （MS ）
11
12
10
8
6
4
2
0
0
12820
图11.短路输出导纳
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
6
8
10
12
14
400MHz
100MHz
2
4
回复（Y
11
） （女士）
图9.短路输入导纳
文档编号85011
第4版， 23军， 99
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