BC856BDW1T1G,
BC857BDW1T1G系列，
BC858CDW1T1G系列
首选设备
双路通用
晶体管
PNP偶
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -363 / SC- 88，它是
专为低功率表面贴装应用。
特点
(3)
http://onsemi.com
(2)
(1)
Q
1
Q
2
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
(4)
(5)
(6)
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
5.0
100
单位
V
SOT363/SC88
CASE 419B
风格1
V
1
集热器
： BASE
电压
V
CBO
标记图
V
MADC
3X M
G
G
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
-Continuous
V
EBO
I
C
热特性
特征
器件总功耗每设备
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
范围
符号
P
D
最大
380
250
3.0
R
qJA
T
J
, T
英镑
328
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
3x
=具体设备守则
X = B， F，G或L
（请参阅订购信息）
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
启示录7
1
出版订单号：
BC856BDW1T1/D
BC856BDW1T1G ， BC857BDW1T1G系列， BC858CDW1T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857B只有
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
V
（ BR ） CEO
V
65
45
30
80
50
30
80
50
30
5.0
5.0
5.0
V
V
V
15
4.0
nA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
毫安，
V
EB
= 0)
V
（ BR ） CES
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
=
10
毫安）
V
（ BR ） CBO
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
=
1.0
毫安）
V
（ BR ） EBO
集电极截止电流（V
CB
=
30
V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
30
V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
10
毫安，
V
CE
=
5.0
V)
(I
C
=
2.0
毫安，V
CE
=
5.0
V)
BC856B ， BC857B
BC857C ， BC858C
BC856B ， BC857B
BC857C ， BC858C
I
CBO
h
FE
220
420
150
270
290
520
0.7
0.9
475
800
V
0.6
0.3
0.65
V
V
0.75
0.82
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
10
妈，我
B
=
0.5
毫安）
(I
C
=
100
妈，我
B
=
5.0
毫安）
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
10
妈，我
B
=
0.5
毫安）
(I
C
=
100
妈，我
B
=
5.0
毫安）
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
=
2.0
毫安，V
CE
=
5.0
V)
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
5.0
V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
5.0
VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
=
10
V，F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
=
0.2
毫安，V
CE
=
5.0
VDC ，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
ob
NF
100
4.5
10
兆赫
pF
dB
http://onsemi.com
2
BC856BDW1T1G ， BC857BDW1T1G系列， BC858CDW1T1G系列
典型特征
BC856
-1.0
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= -5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
-0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
-0.6
V
BE
@ V
CE
= -5.0 V
-0.4
-0.2
0.2
0
-0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
I
C
，集电极电流（毫安）
-0.5
-1.0
-50 -100 -200
-2.0
-5.0 -10 -20
I
C
，集电极电流（毫安）
-0.1 -0.2
图1.直流电流增益
图2. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
-2.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-1.0
-1.6
I
C
=
-10毫安
-20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
-1.4
-1.2
-1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
-0.8
-2.2
-0.4
T
J
= 25°C
0
-0.02
-0.05 -0.1
-0.2
-0.5 -1.0 -2.0
I
B
，基极电流（毫安）
-5.0
-10
-20
-2.6
-3.0
-0.2
-0.5 -1.0
-50
-2.0
-5.0 -10 -20
I
C
，集电极电流（毫安）
-100 -200
图3.集电极饱和区
图4.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= -5.0 V
200
100
50
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
C
ob
20
-0.5
-1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
V
R
，反向电压（伏）
-50 -100
-100
-1.0
-10
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.电容
图6.电流增益
带宽积
http://onsemi.com
3
BC856BDW1T1G ， BC857BDW1T1G系列， BC858CDW1T1G系列
典型特征
BC857/BC858
2.0
^ h FE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
V
CE
= -10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.2
-0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
-100 -200
0
-0.1 -0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
-50
-100
V
BE（上）
@ V
CE
= -10 V
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.3
图7.归DC电流增益
图8. “饱和度”和“开”电压
-2.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
T
A
= 25°C
-1.6
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-1.2
I
C
=
-10毫安
I
C
= -50毫安
I
C
= -200毫安
I
C
= -100毫安
-0.8
-0.4
I
C
= -20毫安
0
-0.02
-0.1
-1.0
I
B
，基极电流（毫安）
-10
-20
-0.2
-10
-1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
-100
图9.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图10.基射极温度
系数
400
300
200
150
100
80
60
40
30
20
-0.5
V
CE
= -10 V
T
A
= 25°C
10
C
ib
7.0
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
5.0
C
ob
3.0
2.0
1.0
-0.4 -0.6
-1.0
-2.0
-4.0 -6.0
-10
-20 -30 -40
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0
-10
-20
-30
-50
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图11的电容
图12.电流增益
带宽积
http://onsemi.com
4
BC856BDW1T1G ， BC857BDW1T1G系列， BC858CDW1T1G系列
1.0
D = 0.5
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
单脉冲
0.001
0
1.0
10
100
吨，时间（ ms）的
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
Z
qJA
（吨）= R（T ）R
qJA
R
qJA
= 328 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
0.1
图13.热响应
-200
1s
IC ，集电极电流（毫安）
-100
-50
T
A
= 25°C
T
J
= 25°C
3毫秒
-10
-5.0
BC558
BC557
BC556
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
-5.0
-10
-30 -45 -65 -100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
范围
必须可靠运行被观察的晶体管。
具体电路集电极负载线必须低于
由适用的曲线所示限度。
图14的数据是基于
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
或T
A
是可变的，这取决于条件。脉冲曲线
有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
≤
150°C.
T
J（下PK）
可以从数据计算在图13中在高
情况或环境温度，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
限制了二次击穿的罚款。
-2.0
-1.0
图14.活动区的安全工作区
订购信息
设备
BC856BDW1T1G
BC856BDW1T3G
BC857BDW1T1G
BC857CDW1T1G
BC858CDW1T1G
器件标识
3B
3B
3F
3G
3L
包
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
BC856BDW1T1G,
SBC856BDW1T1G系列，
BC857BDW1T1G,
SBC857BDW1T1G系列，
BC858CDW1T1G系列
双路通用
晶体管
PNP偶
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -363 / SC- 88，它是
专为低功率表面贴装应用。
特点
(3)
http://onsemi.com
SOT363/SC88
CASE 419B
风格1
(2)
(1)
S前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
*兼容
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
BC856 ， SBC856
BC857 ， SBC857
BC858
集热器
： BASE
电压
BC856 ， SBC856
BC857 ， SBC857
BC858
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
-Continuous
集电极电流
PEAK
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
5.0
100
200
单位
V
Q
1
Q
2
(4)
(5)
(6)
标记图
6
MG 3倍
G
V
3x
V
MADC
MADC
M
G
1
=具体设备守则
X = B， F，G或L
（请参阅订购信息）
=日期代码
= Pb-Free包装
V
CBO
V
EBO
I
C
I
C
（注：微球可在任一位置）
热特性
特征
器件总功耗每设备
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
范围
符号
P
D
最大
380
250
3.0
328
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
° C / W
°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
2013月，
9牧师
1
出版订单号：
BC856BDW1T1/D
BC856BDW1T1G ， SBC856BDW1T1G系列， BC857BDW1T1G ，
SBC857BDW1T1G系列， BC858CDW1T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
毫安）
BC856 ， SBC856系列
BC857 ， SBC857系列
BC858系列
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
毫安，
V
EB
= 0)
BC856 ， SBC856系列
BC857B ， SBC857B只有
BC858系列
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
=
10
毫安）
BC856 ， SBC856系列
BC857 ， SBC857系列
BC858系列
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
=
1.0
毫安）
BC856 ， SBC856系列
BC857 ， SBC857系列
BC858系列
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
30
V)
(V
CB
=
30
V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
10
毫安，
V
CE
=
5.0
V)
BC856B ， SBC856B ， BC857B ， SBC857B
BC857C ， SBC857C ， BC858C
(I
C
=
2.0
毫安，V
CE
=
5.0
V)
BC856B ， SBC856B ， BC857B ， SBC857B
BC857C ， SBC857C ， BC858C
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
10
妈，我
B
=
0.5
毫安）
(I
C
=
100
妈，我
B
=
5.0
毫安）
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
10
妈，我
B
=
0.5
毫安）
(I
C
=
100
妈，我
B
=
5.0
毫安）
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
=
2.0
毫安，V
CE
=
5.0
V)
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
5.0
V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
5.0
VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
=
10
V，F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
=
0.2
毫安，V
CE
=
5.0
VDC ，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
f
T
C
ob
NF
100
4.5
10
兆赫
pF
dB
h
FE
220
420
V
CE （ SAT ）
0.6
150
270
290
520
0.7
0.9
475
800
0.3
0.65
0.75
0.82
V
V
（ BR ） CEO
65
45
30
V
（ BR ） CES
80
50
30
V
（ BR ） CBO
80
50
30
V
（ BR ） EBO
5.0
5.0
5.0
I
CBO
15
4.0
nA
mA
V
V
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
BE （ SAT ）
V
V
BE（上）
V
http://onsemi.com
2
BC856BDW1T1G ， SBC856BDW1T1G系列， BC857BDW1T1G ，
SBC857BDW1T1G系列， BC858CDW1T1G系列
典型特征
BC856/SBC856
-1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= -5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
-0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
-0.6
V
BE
@ V
CE
= -5.0 V
-0.4
-0.2
0.2
0
-0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
I
C
，集电极电流（毫安）
-0.5
-50 -100 -200
-5.0 -10 -20
-1.0 -2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
-0.1 -0.2
图1.直流电流增益
图2. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
-2.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-1.0
-1.6
I
C
=
-10毫安
-20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
-1.4
-1.2
-1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
-0.8
-2.2
-0.4
T
J
= 25°C
0
-0.02
-0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
I
B
，基极电流（毫安）
-5.0
-10
-20
-2.6
-3.0
-0.2
-0.5 -1.0
-50
-2.0
-5.0 -10 -20
I
C
，集电极电流（毫安）
-100 -200
图3.集电极饱和区
图4.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= -5.0 V
200
100
50
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
C
ob
20
-0.5
-1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
V
R
，反向电压（伏）
-50 -100
-100
-1.0
-10
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.电容
图6.电流增益
带宽积
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3
BC856BDW1T1G ， SBC856BDW1T1G系列， BC857BDW1T1G ，
SBC857BDW1T1G系列， BC858CDW1T1G系列
典型特征
BC857/SBC857/BC858
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
V
CE
= -10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
-50
-100
V
BE（上）
@ V
CE
= -10 V
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.3
0.2
-0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
-100 -200
0
-0.1 -0.2
图7.归DC电流增益
图8. “饱和度”和“开”电压
-2.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
T
A
= 25°C
-1.6
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-1.2
I
C
=
-10毫安
I
C
= -50毫安
I
C
= -200毫安
I
C
= -100毫安
-0.8
-0.4
I
C
= -20毫安
0
-0.02
-0.1
-1.0
I
B
，基极电流（毫安）
-10 -20
-0.2
-10
-1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
-100
图9.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图10.基射极温度
系数
400
300
200
150
100
80
60
40
30
20
-0.5
V
CE
= -10 V
T
A
= 25°C
10
C
ib
7.0
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
5.0
C
ob
3.0
2.0
1.0
-0.4 -0.6
-1.0
-2.0
-4.0 -6.0
-10
-20 -30 -40
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0
-10
-20
-30
-50
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图11的电容
图12.电流增益
带宽积
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4
BC856BDW1T1G ， SBC856BDW1T1G系列， BC857BDW1T1G ，
SBC857BDW1T1G系列， BC858CDW1T1G系列
1.0
D = 0.5
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
单脉冲
0.001
0
1.0
10
100
吨，时间（ ms）的
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
Z
qJA
（吨）= R（T ）R
qJA
R
qJA
= 328 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
0.1
图13.热响应
-200
1s
IC ，集电极电流（毫安）
-100
-50
T
A
= 25°C
T
J
= 25°C
3毫秒
-10
-5.0
BC558
BC557
BC556
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
-5.0
-10
-30 -45 -65 -100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
范围
必须可靠运行被观察的晶体管。
具体电路集电极负载线必须低于
由适用的曲线所示限度。
图14的数据是基于
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
或T
A
是可变的，这取决于条件。脉冲曲线
有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
≤
150°C.
T
J（下PK）
可以从数据计算在图13中在高
情况或环境温度，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
限制了二次击穿的罚款。
-2.0
-1.0
图14.活动区的安全工作区
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5
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