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硅N沟道MOSFET四极管

BF 997

针对集成抑制网络

假VHF振荡

对于甚高频应用，特别是在电视

调谐器具有扩展VHF频段，

。克。在CATV调谐器

TYPE

BF 997

记号

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-F1055

引脚配置

包

SOT-143

最大额定值

参数

漏源电压

漏电流

门1 /门2的峰值电流源

总功耗，

< 76℃

存储温度范围

通道温度

热阻

结 - 焊接点

日JS

< 370

K / W

符号

值

200

150

单位

G1/2SM

合计

英镑

– 55 … + 150 C

有关详细信息，请参阅本章包装说明..

半导体集团

07.94

BF 997

电气特性

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

漏源击穿电压

= 10

A, –

G1S

= –

G2S

= 4 V

1号门源击穿电压

G1S

= 10毫安，

G2S

= 0

2号门源击穿电压

G2S

= 10毫安，

G1S

= 0

1号门源漏电流

G1S

= 5 V,

G2S

= 0

2号门源漏电流

G2S

= 5 V,

G1S

= 0

漏电流

= 15 V,

G1S

= 0,

G2S

= 4 V

1号门源夹断电压

= 15 V,

G2S

= 4 V,

= 20

2号门源夹断电压

= 15 V,

G1S

= 0,

= 20

（ BR ） DS

值

典型值。

马克斯。

单位

8.5

–

2.5

2.0

（ BR ） G1SS

（ BR ） G2SS

G1SS

G2SS

DSS

–

G1S （p）的

–

G2S （ P）

半导体集团

BF 997

电气特性

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

正向跨导

= 15 V,

= 10毫安，

G2S

= 4 V,

= 1千赫

1号门的输入电容

= 15 V,

= 10毫安，

G2S

= 4 V,

= 1兆赫

2号门的输入电容

= 15 V,

= 10毫安，

G2S

= 4 V,

= 1兆赫

反馈电容

= 15 V,

= 10毫安，

G2S

= 4 V,

= 1兆赫

输出电容

= 15 V,

= 10毫安，

G2S

= 4 V,

= 1兆赫

功率增益

= 15 V,

= 10毫安

= 200兆赫，

= 2毫秒，

= 0.5毫秒

（测试线路）

噪声系数

= 15 V,

= 10毫安

= 200兆赫，

= 2毫秒，

= 0.5毫秒

（测试线路）

增益控制范围

= 15 V,

G2S

= 4 … – 2 V,

= 200兆赫

（测试线路）

g1ss

g2ss

dg1

DSS

–

2.5

1.2

–

值

典型值。

马克斯。

单位

–

半导体集团

BF 997

总功耗

合计

)

输出特性

)

G2S

= 4 V

1号门正向跨导

fs1

G1S

)

= 15 V,

DSS

= 10毫安，

= 1千赫

1号门正向跨导

fs1

G2S

)

= 15 V,

DSS

= 10毫安，

= 1千赫

半导体集团

BF 997

漏电流

G1S

)

= 15 V

1号门的输入电容

g1ss

G1S

)

G2S

= 4 V,

= 15 V

DSS

= 10毫安，

= 1兆赫

2号门的输入电容

g2ss

G2S

)

G1S

= 0 V,

= 15 V

DSS

= 10毫安，

= 1兆赫

输出电容

DSS

)

G1S

= 0 V,

G2S

= 4 V

DSS

= 10毫安，

= 1兆赫

半导体集团

分立半导体

数据表

BF997

N沟道双栅极的MOS- FET的

产品speci fi cation

在分离式半导体文件， SC07

1991年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

特点

防止过高的输入电压浪涌通过

门之间的整合后端到后端二极管

和源

集成漏之间的电阻抑制在振荡

的频率范围内大于1千兆赫。

应用

超高频和甚高频的应用，如：

- UHF / VHF电视调谐器

- 专业通讯设备

特别适用于在前置放大器中的CATV用

调谐器具有较大的调谐范围高达500兆赫。

BF997

描述

在一个塑料SOT143耗尽型场效应晶体管

超小型封装与互连的源

和底物。

手册， halfpage

钉扎

顶视图

MAM039

S，B

针

符号

S，B

来源

漏

门2

门1

描述

标识代码：

MKP 。

Fig.1简化外形（ SOT143 ）和符号。

快速参考数据

符号

合计

ig1-s

参数

漏源电压

漏电流

总功耗

结温

转移导纳

反馈电容

噪音科幻gure

F = 1千赫我

= 10毫安; V

= 15 V; V

G2-S

= 4 V

最多至T

AMB

= 60

°C

条件

典型值。

马克斯。

200

150

单位

°C

在1号门F = 1 MHz的输入电容;我

= 10毫安; V

= 15 V; V

G2-S

= 4 V 2.5

F = 1兆赫;我

= 10毫安; V

= 15 V; V

G2-S

= 4 V 25

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

;

= 10毫安; V

= 15 V; V

G2-S

= 4 V

1991年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

极限值

在根据绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

D（ AV ）

G1-S

G2-S

合计

英镑

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

平均漏电流

1号门 - 源极电流

2号门 - 源极电流

总功耗

储存温度

结温

最多至T

AMB

= 60

°C;

注1

条件

分钟。

马克斯。

±10

200

+150

150

BF997

单位

°C

热特性

符号

日J-一

参数

从结点到环境的热阻

条件

在自由空气中;注1

价值

460

单位

K / W

需要注意的限制值和热特性

1.装置安装在8的陶瓷基板

0.7 mm.

手册， halfpage

200

MGE792

P合计

（ mW）的

100

TAMB （ ° C）

200

图2功率降额曲线。

1991年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

静态特性

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

G1-SS

G2-SS

参数

门1的截止电流

门2的截止电流

条件

G1-S

±5

V; V

G2-S

= V

= 0

G2-S

±5

V; V

G1-S

= V

= 0

G1-SS

±10

毫安; V

G2-S

= V

= 0

G2-SS

±10

毫安; V

G1-S

= V

= 0

= 20

= 15 V; V

G2-S

= 4 V

= 20

= 15 V; V

G1-S

= 0

= 15 V; V

G2-S

= 4 V; V

G1-S

= 0

±6

分钟。

BF997

马克斯。

±50

±20

2.5

单位

(BR)G1-SS

1号门 - 源极击穿电压

(BR)G2-SS

2号门 - 源极击穿电压

(P)G1-S

(P)G2-S

DSS

栅1 - 源截止电压

门2 - 源截止电压

漏极 - 源极截止电压

动态特性

测量条件（共源）：我

= 10毫安; V

= 15 V; V

G2-S

= 4 V ;牛逼

AMB

= 25

°C.

符号

ig1-s

ig2-s

参数

转移导纳

在1号门的输入电容

在2号门的输入电容

反馈电容

输出电容

噪音科幻gure

功率增益

F = 1千赫

F = 1 MHz的

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

;

= 0.5毫秒; B

= B

LOPT

条件

分钟。

典型值。

2.5

1.2

单位

1991年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

包装外形

BF997

手册，全页宽

0.75

0.60

0.150

0.090

0.1

最大

3.0

2.8

1.9

0.2 M A B

最大

1.4

1.2

2.5

最大

1.1

最大

0.1 M A B

最大

0.88

0.1

1.7

0.48

0.1

MBC845

顶视图

尺寸（mm）。

参见

焊接建议。

图3 SOT143 。

释义

数据表状态

客观的特定网络阳离子

初步speci fi cation

产品speci fi cation

极限值

给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。强调以上一个或

更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营

该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的

是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。

应用信息

其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。

生命支持应用

这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障

产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户

在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏

不当使用或销售。

此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。

此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。

此数据表包含网络最终产品规范阳离子。

1991年4月