【电源管理IC为TFT-LCD面板5V输入的多通道系统电源ICBD8163EFVNo.10035EAT】,IC型号BD8163EFV-E2,BD8163EFV-E2 PDF资料,BD8163EFV-E2经销商,ic,电子元器件-51电子网

电源管理IC为TFT-LCD面板

5V输入的多通道

系统电源IC

BD8163EFV

No.10035EAT13

°说明

该BD8163EFV是系统电源IC TFT面板。的1芯片IC提供总共四个电压所需的TFT

板，即逻辑电压，酱电压，栅极高的水平，和栅极低电平电压，从而构建了一个TFT面板功率

供应用最少的组件所需。

■特点

1）在工作电压范围可低至2.1 V至6.0 V.

2）集成了1个升压型DC / DC转换器。

3 ）采用2.5 V稳压器。

4）包含正和负侧的电荷泵。

5 ）开关1100千赫频率

6 ） DC / DC转换器反馈的1.24 V电压

7 ）采用栅遮光功能

8 ），欠压锁定保护电路

9 ），热关断电路

10 ）过电流保护电路

11 ） HTSSOP -B24包

■应用

液晶电视，电脑显示器和TFT-LCD面板

“绝对

最大额定值（Ta = 25℃）

参数

电源电压

VO1电压

VO2电压

SW电压

最高结温

功耗

工作温度范围

存储温度范围

符号

VCC

Vo1

Vo2

VSW

TJMAX

TOPR

TSTG

评级

150

1100*

-40至125

-55到150

单位

℃

*减少了4.7毫瓦/ ℃超过25 ℃ ，装在一个玻璃环氧树脂板时。（ 70毫米

70 mm

1.6 mm).

“推荐

工作范围

参数

电源电压

VO1电压

VO2电压

SW电流

目前VO2

符号

VCC

Vo1

VSW

ISW

Vo2

评级

分钟。

2.1

—

马克斯。

1.8

单位

www.rohm.com

1/21

2010.12 - Rev.A的

BD8163EFV

ⅵELECTRICAL

特性（除非另有说明， VCC = 5V ; Vo1的= 15 V ; Vo2的= 25 V ， TA = 25 ℃ ）

1个DC / DC转换器

参数

[软起动]

源出电流

吸收电流

[错误AMP ]

输入偏置电流1

反馈电压1

电压增益

吸收电流

源出电流

[ SW]

导通电阻N沟道

漏电流的N沟道

最大占空比

[过流保护]

看到限流

2.稳压控制器

参数

[错误AMP ]

VDD电压

最大基极电流

线路调整

负载调整率

VDD

的Bmax

REGI

REGL

2.4

—

2.5

2.6

符号

范围

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

INSW

—

ON_N

LEAKN

最大

—

200

—

600

mΩ

μA

VSW = 18 V

FB1

IOI

IOO

—

1.227

—

-100

0.1

1.240

200

-50

0.5

1.253

—

100

-25

μA

V/V

μA

卜FF器

ISO

ISI

0.1

0.2

1.0

μA

VSS = 0.5 V

符号

范围

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

技术说明

条件

VSS = 0.5 V ， VDD = 1.65 V

VFB = 1.5 V VCOMP = 0.5 V

VFB = 1.0 V VCOMP = 0.5 V

条件

VCC = 4.5 V至5.5 V

IO = 10 mA至100毫安

[欠压锁定保护]

断阈值电压

对阈值电压

ROFF

罗恩

1.7

1.6

1.8

1.7

1.9

1.8

本产品并非设计用于防止放射性射线。

设计保证（无总装运前检验而成。）

www.rohm.com

2/21

2010.12 - Rev.A的

BD8163EFV

3.电荷泵

参数

[错误AMP ]

输入偏置电流2

输入偏置电流3

反馈电压2

反馈电压3

[延迟起始块]

源出电流

吸收电流

启动电压

[转]

导通电阻N沟道

导通电阻P沟道

[二极管]

二极管的电压

[门阴影块]

导通电阻N沟道

导通电阻P沟道

漏电流的N沟道

漏电流的P沟道

高压

低电压

输入电流

ON_NGS

ON_PGS

LEAK_NG

LEAK_PG

室内运动场

IGL

IIG

—

VDD - 0.7

—

VDD

16.5

—

VDD - 0.3

μA

IG = 3.3 V

IO = 10毫安*

IO = -10毫安*

600

710

800

IO = 10毫安

ON_NC

ON_PC

0.5

IO = 10毫安*

IO = -10毫安*

DSO

DSI

0.1

0.45

0.5

0.60

1.0

0.75

μA

VDLS = 0.5V

FB2

FB3

FB2

FB3

—

1.183

0.15

0.1

1.240

0.2

0.5

1.307

0.25

μA

符号

范围

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

技术说明

条件

本产品并非设计用于防止放射性射线。

设计保证（无总装运前检验而成。）

www.rohm.com

3/21

2010.12 - Rev.A的

BD8163EFV

4.整体

参数

[参考块]

参考电压

驱动电流

负载调整率

[振荡器]

振荡频率

[振荡器]

DET 1阈值电压

DET 1关阈值电压

DET 2阈值电压

DET 2关阈值电压

DET 3阈值电压

DET 3关阈值电压

DET 4阈值电压

DET 4关阈值电压

[设备]

平均短路电流

ICC

0.5

无开关

DON1

DOFF1

DON2

DOFF2

DON3

DOFF3

DON4

DOFF4

1.7

1.6

1.02

0.90

0.25

0.35

1.02

0.90

1.8

1.7

1.12

1.00

0.30

0.41

1.12

1.00

1.9

1.8

1.22

1.10

0.35

0.47

1.22

1.10

FOSC

0.94

1.1

1.265

兆赫

REF

1.215

—

1.240

1.265

—

VREF = 0 V

IREF = -1毫安

符号

范围

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

技术说明

条件

本产品并非设计用于防止放射性射线。

www.rohm.com

4/21

2010.12 - Rev.A的

BD8163EFV

参考

数据（除非另有说明， TA = 25 ℃ ）

技术说明

25℃

125℃

1.5

-40℃

4.5

1.26

电源电流： ICC [马]

0.8

电源电流： IDD [马]

125℃

REF电压： VREF [ V]

1.25

0.6

25℃

0.4

1.24

0.2

1.23

-40℃

1.5

4.5

1.22

-50

-25

100 125

电源电压： VCC [ V]

电源电压VDD [ V]

环境温度：钽[

℃

]

图。 1总电源电流1

1.6

图。 2总电源电流2

1.6

SS源电流： ISS [ μA ] 。

图。 3内部参考

温度

1.5

4.5

REF电压： VREF [ V]

1.5

4.5

1.2

0.8

0.4

电源电压Vcc的[ V]

REF电流： IREF [马]

电源电压VDD [ V]

图。 4内部

参考线路调整

SWITCHHING频率： F [兆赫] 。

图。 5内部

参考负载调节

-25

100 125

图。 6 SS源电流

1.5

4.5

电源电压VDD [ V]

DLS源电流： IDLS [ μA ]

1.5

0.5

-50

-40

VDD电压： VDD [ V]

环境温度：钽[

℃

]

基极电流：广积[马]

图。 7 DLS源电流

200

输出电压： VCP [毫伏。

SW电压： VSW [V ] 。

160

120

0.2

0.4

0.6

0.8

SW CURRENT ： ISW [ A]

图。 8开关频率

温度

200

160

120

N沟道

P沟道

100

输入电流： ICP [马]

GS电压：栅极电压[ V]

图。 9 REG电流容量

0.8

0.6

N沟道

0.4

P沟道

0.2

100

GS电流： Igs的[马]

图。 10

SW导通电阻

图。 11电荷泵

ON电压

图。 12门阴影

ON电压

www.rohm.com

5/21

2010.12 - Rev.A的