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分立半导体

数据表

BF904 ; BF904R

N沟道双栅MOS - FET的

产品speci fi cation

取代1997年的数据9月5日

1999年5月17日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

特点

特别是在5 V电源电压设计使用

具有高送转导纳为短沟道晶体管

输入电容比

低噪声增益控制放大器高达1 GHz

AGC在优越的交叉调制性能。

应用

VHF和UHF应用的具有3至7 V电源电压

如电视调谐器和专业

通信设备。

描述

在一个塑料增强型场效应晶体管

超小型SOT143B和SOT143R包。该

晶体管由一个放大器的MOS- FET的源极的

BF904 ; BF904R

与衬底互连的和内部的偏置电路，以

确保AGC在良好的交叉调制性能。

小心

本产品在防静电包装，以提供

防止因静电放电损坏

在运输和装卸。欲了解更多信息，

请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A

和SNW - FQ- 302B 。

钉扎

针

1

2

3

4

符号

S，B

d

g

2

g

1

来源

漏

门2

门1

描述

手册， halfpage

d

3

d

手册， halfpage

4

3

4

g

2

g1

g

2

g1

1

顶视图

2

MAM124

2

S，B

顶视图

1

MAM125 - 1

S，B

BF904标识代码：

M04.

BF904R标记的代码：

M06.

Fig.1简化外形（ SOT143B ）和符号。

图2简体外形（ SOT143R ）和符号。

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

y

fs

C

ig1-s

C

rs

F

1999年5月17日

漏电流

总功耗

工作结温

正向转移导纳

在1号门的输入电容

反向传输电容

噪音科幻gure

F = 1 MHz的

F = 800 MHz的

2

参数

漏源电压

条件

22

分钟。

25

2.2

25

2

典型值。

马克斯。

7

30

200

150

30

2.6

35

单位

V

mA

mW

°C

mS

pF

fF

dB

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

DS

I

D

I

G1

I

G2

P

合计

参数

漏源电压

漏电流

门1电流

门2的电流

总功耗

BF904

BF904R

T

英镑

T

j

记

1.装置安装在一个印刷电路板。

储存温度

工作结温

看科幻G.3

T

AMB

≤

50

°C;

注1

T

AMB

≤

40

°C;

注1

65

条件

分钟。

BF904 ; BF904R

马克斯。

7

30

±10

±10

200

200

+150

150

V

单位

mA

mA

mA

mW

mW

°C

°C

手册， halfpage

250

MRA770

P

合计

（ mW）的

200

BF904

150

BF904R

100

50

0

0

50

100

150

200

TAMB （

o

C)

图3功率降额曲线。

1999年5月17日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

热特性

符号

R

日J-一

BF904

BF904R

R

第j个-S

热阻结到焊接点

BF904

BF904R

笔记

1.装置安装在一个印刷电路板。

2. T

s

是在源极引线的焊接点的温度。

静态特性

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

V

(BR)G1-SS

V

(BR)G2-SS

V

(F)S-G1

V

(F)S-G2

V

G1-S(th)

V

G2-S(th)

I

DSX

I

G1-SS

I

G2-SS

记

1. R

G1

到V连接门1

GG

= 5 V ;看到图20 。

参数

1号门 - 源极击穿电压

2号门 - 源极击穿电压

前锋源极 - 栅极电压1

前锋源极 - 栅极电压2

1号门源阈值电压

2号门源阈值电压

漏 - 源电流

门1的截止电流

门2的截止电流

条件

V

G2-S

= V

DS

= 0; I

G1-S

= 10毫安

V

G1-S

= V

DS

= 0; I

G2-S

= 10毫安

V

G2-S

= V

DS

= 0; I

S-G1

= 10毫安

V

G1-S

= V

DS

= 0; I

S-G2

= 10毫安

V

G2-S

= 4 V; V

DS

= 5 V ;我

D

= 20

A

V

G1-S

= V

DS

= 5 V ;我

D

= 20

A

V

G2-S

= 4 V; V

DS

= 5 V;

R

G1

= 120 kΩ的;注1

V

G2-S

= V

DS

= 0; V

G1-S

= 5 V

V

G1-S

= V

DS

= 0; V

G2-S

= 5 V

注2

T

s

= 92

°C

T

s

= 78

°C

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

BF904 ; BF904R

价值

500

550

290

360

单位

K / W

K / W

K / W

K / W

分钟。

6

6

0.5

0.5

0.3

0.3

8

马克斯。

15

15

1.5

1.5

1

1.2

13

50

50

单位

V

V

V

V

V

V

mA

nA

nA

动态特性

常见的来源;牛逼

AMB

= 25

°C;

V

DS

= 5 V; V

G2-S

= 4 V ;我

D

= 10毫安;除非另有规定。

符号

y

fs

C

ig1-s

C

ig2-s

C

os

C

rs

F

参数

正向转移导纳

在1号门的输入电容

在2号门的输入电容

漏 - 源电容

噪音科幻gure

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

F = 200 MHz的;

S

= 2毫秒; B

S

= B

SOPT

F = 800 MHz的;

S

= G

SOPT

; B

S

= B

SOPT

条件

脉冲;吨

j

= 25

°C

分钟。

22

1

1

典型值。

25

2.2

1.5

1.3

25

1

2

马克斯。

30

2.6

2

1.6

35

1.5

2.8

单位

mS

pF

pF

pF

fF

dB

dB

反向传输电容F = 1兆赫

1999年5月17日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

BF904 ; BF904R

40

FS

（女士）

30

MLD268

MRA769

手册， halfpage

增益0

减少

（ dB）的

10

20

20

30

10

40

50

0

50

0

50

100

150

o

T J （ C）

0

1

2

3

VAGC （ V）

4

F = 50MHz的。

Fig.4

转移导纳作为一个功能

结温;典型值。

Fig.5

典型增益衰减成函数关系

AGC电压。

手册， halfpage

120

MRA771

MLD270

20

ID

（MA ）

15

2V

V G2 S = 4 V

3V

2.5 V

Vunw

（ DB

V)

110

100

10

1.5 V

90

5

1V

80

0

10

20

30

40

50

增益衰减（ dB）的

0

0

0.4

0.8

1.2

2.0

1.6

V G1 S（ V）

V

DS

= 5 V; V

GG

= 5 V ; F

w

= 50兆赫。

f

UNW

= 60 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C;

R

G1

= 120 k.

Fig.6

不想要的电压为1％的交叉调制

作为增益减小的函数;典型

值;看到图20 。

V

DS

= 5 V.

T

j

= 25

°C.

图7传输特性;典型值。

1999年5月17日

5

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