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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第271页 > BAS40W
BAS40W系列
特点
肖特基二极管
SOT-323
1. 25 0. 05
1. 01 R
EF
功耗
P
D:
200
毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
1. 30 0. 03
2. 30 0. 05
集电极电流
200
mA
I
F:
集电极 - 基极电压
40
V
V
R
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃+ 150 ℃
单位:mm
BAS40W标志: 43.K43
BAS40W -04标: 44.K44
BAS40W -05标: 45.K45
BAS40W -06标: 46.K46
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
反向击穿电压
反向电压漏电流
正向电压
二极管电容
尊恢复时间
符号
V
( BR )R
I
R
V
F
C
D
t
rr
除非另有规定编)
TEST
条件
I
R
= 10A
V
R
=30V
I
F
=1mA
I
F
=40mA
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
=通过10毫安
I
R
= 10mA至IR = 1毫安
40
200
380
1000
5
5
最大
单位
V
0. 30
2. 00 0. 05
nA
mV
pF
nS
BAS40W系列
特点
肖特基二极管
SOT-323
1. 25 0. 05
1. 01 R
EF
功耗
P
D:
200
毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
1. 30 0. 03
2. 30 0. 05
集电极电流
200
mA
I
F:
集电极 - 基极电压
40
V
V
R
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃+ 150 ℃
单位:mm
BAS40W标志: 43.K43
BAS40W -04标: 44.K44
BAS40W -05标: 45.K45
BAS40W -06标: 46.K46
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
反向击穿电压
反向电压漏电流
正向电压
二极管电容
尊恢复时间
符号
V
( BR )R
I
R
V
F
C
D
t
rr
除非另有规定编)
TEST
条件
I
R
= 10A
V
R
=30V
I
F
=1mA
I
F
=40mA
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
=通过10毫安
I
R
= 10mA至IR = 1毫安
40
200
380
1000
5
5
最大
单位
V
0. 30
2. 00 0. 05
nA
mV
pF
nS
数据表
BAS40W/AW/CW/SW
表面贴装肖特基二极管
电压
特点
开关速度快
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
40伏
当前
0.2 Ampers
SOT-323
单位:英寸(毫米)
电气相同标准的JEDEC
高导体
正常和无铅产品可供选择:
正常情况: 80 95 %的锡, 5 20 %的Pb
无铅: 98.5 %以上的Sn
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
机械数据
案例: SOT- 323 ,塑料
码头:每MIL -STD- 202方法208
约。重量: 0.0052克
标记: S40 , S42 , S43 , S44
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.078(.20)
绝对额定值
PA R A M E TE
以往ê Volage
s
t
P EAK 不断ê Volage
s
t
A版本的GE ectfed urentatTem P = 25
O
C
a
ii
r
上的N - epettve P EAK对于AR UR式C urentatt 1表示S
r
ii
宽深
g
r
= 0
S YM BOL
V
R
V
RRM
I
O
I
FSM
B A S 40W
B A S 40AW
40
40
0.
2
0.
6
B A S 40C W
B A S 40S W
ü NIS
t
V
V
A
A
热特性
PA R A M E TE
P流ERD我SI航标
S·P我
疗法ALR ESI吨NCE , Juncton吨米双向新台币
m
sa
I O
e
每吨 Juncton TEM
i
AUE
每吨S T GE TEM atTem P = 25
O
C
oa
AUE
icui网络UR
的Tg ê
S YM BOL
P
给T
JA
T
J
TI
英镑
S I摹LE
N
B A S 40W
B A S 40AW
225
556
150
- 5 t 150
5 o
COM米上
肛D E
COM米上
ATH D E
SERI S
E
O
B A S 40C W
.044(1.1)
.035(0.9)
B A S 40S W
.087(2.2)
.078(2.0)
表面贴装型封装非常适合自动插入
.004(.10)MIN.
ü NIS
t
mW
C/
W
O
C
C
O
单身
共阳极
共阴极
系列
STAD-MAR.23.2004
PAGE 。 1
电气特性
PA R A M E TE
以往ê B R akdow Volage
s
e
t
永远式C urent
s
r
S YM BOL
V
( BR )
I
R
I = 10微安
R
V
R
=30 V
V
R
=40 V
I = 1 。为m的
F
0
I =一千万
F
I = 4000万
F
V
R
= 0V ,女1 M·H
Z
= 0
TESTC ondii
to
眯。
N
40
-
-
典型值。
-
-
-
-
M AX 。
-
-
1.
0
10
0. 8
3
0. 0
5
1. 0
0
5.
0
ü NIS
t
V
uA
对于AR Volage
宽深
t
V
F
-
-
-
-
V
TOT lC的apaciance
a
t
C
T
-
-
-
-
pF
电气特性曲线
100
100
正向电流毫安
10
反向电流,U一
10
T
A
=125 C
O
1.0
T
A
=75 C
O
0.1
1.0
T
A
=25 C
O
0.01
T
A
=25 C
O
0.1
0
0
0.4
0.6
0.8
1.0
0
10
20
30
40
正向电压,伏
反向电压,伏
图。 1 ,典型正向特性
图。 2 ,典型的反向特性
结电容, pF的
平均正向电流,毫安
3.0
400
2.0
300
200
1.0
100
0
0
10
20
30
40
0
50
100
150
O
200
反向电压,伏
环境温度( C)
图。 4正向电流降额
图。 3典型结电容
STAD-MAR.23.2004
PAGE 。 2
贴装焊盘布局
SOT-323
单位:英寸(毫米)
0.035(0.9)
0.025(0.65)
0.028(0.7)
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每个7"塑料卷3.0K
法律声明
重要通知
该信息旨在产物,以促进顾客的评价,以明确地表征
该设备在应用程序。这些信息将帮助客户的技术专家确定该设备是
兼容和互换与其他供应商提出了类似的设备。本数据表中的信息被认为
是可靠的和准确的。此处的规格和信息如有变更,恕不另行通知。新产品
并改进产品和产品特性都在不断进行中。因此,工厂应
咨询的最新信息,并没有描述或规定的任何特别的特点。
版权所有潘日新国际公司2003
版权所有。严禁复制全部或部分未经著作权人事先书面同意
所有者。
本文档中提供的信息不构成任何报价或合同的一部分。提供的信息
认为是准确和可靠,如有变更,恕不预先通知。无责任将被接受
发布者use.Publication的任何后果本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
STAD-MAR.23.2004
0.075(1.9)
PAGE 。 3
数据表
BAS40W/AW/CW/SW
表面贴装肖特基二极管
电压
特点
开关速度快
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
40伏
当前
0.2 Ampers
SOT-323
单位:英寸(毫米)
电气相同标准的JEDEC
高导体
正常和无铅产品可供选择:
正常情况: 80 95 %的锡, 5 20 %的Pb
无铅: 98.5 %以上的Sn
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
机械数据
案例: SOT- 323 ,塑料
码头:每MIL -STD- 202方法208
约。重量: 0.0052克
标记: S40 , S42 , S43 , S44
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.078(.20)
绝对额定值
PA R A M E TE
以往ê Volage
s
t
P EAK 不断ê Volage
s
t
A版本的GE ectfed urentatTem P = 25
O
C
a
ii
r
上的N - epettve P EAK对于AR UR式C urentatt 1表示S
r
ii
宽深
g
r
= 0
S YM BOL
V
R
V
RRM
I
O
I
FSM
B A S 40W
B A S 40AW
40
40
0.
2
0.
6
B A S 40C W
B A S 40S W
ü NIS
t
V
V
A
A
热特性
PA R A M E TE
P流ERD我SI航标
S·P我
疗法ALR ESI吨NCE , Juncton吨米双向新台币
m
sa
I O
e
每吨 Juncton TEM
i
AUE
每吨S T GE TEM atTem P = 25
O
C
oa
AUE
icui网络UR
的Tg ê
S YM BOL
P
给T
JA
T
J
TI
英镑
S I摹LE
N
B A S 40W
B A S 40AW
225
556
150
- 5 t 150
5 o
COM米上
肛D E
COM米上
ATH D E
SERI S
E
O
B A S 40C W
.044(1.1)
.035(0.9)
B A S 40S W
.087(2.2)
.078(2.0)
表面贴装型封装非常适合自动插入
.004(.10)MIN.
ü NIS
t
mW
C/
W
O
C
C
O
单身
共阳极
共阴极
系列
STAD-MAR.23.2004
PAGE 。 1
电气特性
PA R A M E TE
以往ê B R akdow Volage
s
e
t
永远式C urent
s
r
S YM BOL
V
( BR )
I
R
I = 10微安
R
V
R
=30 V
V
R
=40 V
I = 1 。为m的
F
0
I =一千万
F
I = 4000万
F
V
R
= 0V ,女1 M·H
Z
= 0
TESTC ondii
to
眯。
N
40
-
-
典型值。
-
-
-
-
M AX 。
-
-
1.
0
10
0. 8
3
0. 0
5
1. 0
0
5.
0
ü NIS
t
V
uA
对于AR Volage
宽深
t
V
F
-
-
-
-
V
TOT lC的apaciance
a
t
C
T
-
-
-
-
pF
电气特性曲线
100
100
正向电流毫安
10
反向电流,U一
10
T
A
=125 C
O
1.0
T
A
=75 C
O
0.1
1.0
T
A
=25 C
O
0.01
T
A
=25 C
O
0.1
0
0
0.4
0.6
0.8
1.0
0
10
20
30
40
正向电压,伏
反向电压,伏
图。 1 ,典型正向特性
图。 2 ,典型的反向特性
结电容, pF的
平均正向电流,毫安
3.0
400
2.0
300
200
1.0
100
0
0
10
20
30
40
0
50
100
150
O
200
反向电压,伏
环境温度( C)
图。 4正向电流降额
图。 3典型结电容
STAD-MAR.23.2004
PAGE 。 2
贴装焊盘布局
SOT-323
单位:英寸(毫米)
0.035(0.9)
0.025(0.65)
0.028(0.7)
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每个7"塑料卷3.0K
法律声明
重要通知
该信息旨在产物,以促进顾客的评价,以明确地表征
该设备在应用程序。这些信息将帮助客户的技术专家确定该设备是
兼容和互换与其他供应商提出了类似的设备。本数据表中的信息被认为
是可靠的和准确的。此处的规格和信息如有变更,恕不另行通知。新产品
并改进产品和产品特性都在不断进行中。因此,工厂应
咨询的最新信息,并没有描述或规定的任何特别的特点。
版权所有潘日新国际公司2003
版权所有。严禁复制全部或部分未经著作权人事先书面同意
所有者。
本文档中提供的信息不构成任何报价或合同的一部分。提供的信息
认为是准确和可靠,如有变更,恕不预先通知。无责任将被接受
发布者use.Publication的任何后果本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
STAD-MAR.23.2004
0.075(1.9)
PAGE 。 3
BL
银河电子
表面贴装肖特基二极管
特点
低导通电压。
快速切换。
产品规格
BAS40/-04/-05/-06
Pb
LEAD -FREE
BAS40
BAS40-04
PN结保护环的瞬态和
ESD保护。
应用
高速开关应用。
电路保护。
电压钳位。
SOT-23
BAS40-05
BAS40-06
订购信息
型号
BAS40
BAS40-04
BAS40-05
BAS40-06
记号
43
44
45
46
封装代码
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
采用直流反接电压
正向连续电流
功耗
正向浪涌
热阻,结到环境空气
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
P
d
I
FSM
R
θJA
T
j
T
英镑
200
350
600
357
-55到+125
-65到+150
mA
mW
mA
℃/W
40
V
范围
单位
文件编号: BL / SSSKC029
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
表面贴装肖特基二极管
电气特性
@ TA = 25 ℃
特征
反向击穿电压
正向电压
反向漏电流
结电容
反向恢复时间
符号
V
( BR )R
V
F
I
R
C
j
t
rr
40
-
-
-
-
典型值
-
-
20
4.0
-
产品规格
BAS40/-04/-05/-06
除非另有说明
最大
-
380
1000
200
5.0
5.0
单位
V
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
RS
= 10μA
t
P
<300μs,I
F
=1.0mA
t
P
<300μs,I
F
=40mA
t
P
<300μs,V
R
=30V
V
R
=0V,f=1.0MHz
I
F
=I
R
= 10mA至
I
R
=1.0mA,R
L
=100
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号: BL / SSSKC029
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
表面贴装肖特基二极管
包装外形
塑料表面贴装封装
产品规格
BAS40/-04/-05/-06
SOT-23
A
E
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
J
2.85
1.25
0.37
0.35
1.85
0.02
2.35
最大
2.95
1.35
0.43
0.48
1.95
0.1
2.45
K
B
1.0Typical
D
G
E
G
H
H
C
J
K
0.1Typical
尺寸:mm
焊接足迹
单位:mm
包装信息
设备
BAS40/-04/-05/-06
SOT-23
航运
3000/Tape&Reel
文件编号: BL / SSSKC029
Rev.A的
www.galaxycn.com
3
BAS40W系列
特点
肖特基二极管
SOT-323
1. 25 0. 05
1. 01 R
EF
功耗
P
D:
200
毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
1. 30 0. 03
2. 30 0. 05
集电极电流
200
mA
I
F:
集电极 - 基极电压
40
V
V
R
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃+ 150 ℃
单位:mm
BAS40W标志: 43.K43
BAS40W -04标: 44.K44
BAS40W -05标: 45.K45
BAS40W -06标: 46.K46
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
反向击穿电压
反向电压漏电流
正向电压
二极管电容
尊恢复时间
符号
V
( BR )R
I
R
V
F
C
D
t
rr
除非另有规定编)
TEST
条件
I
R
= 10A
V
R
=30V
I
F
=1mA
I
F
=40mA
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
=通过10毫安
I
R
= 10mA至IR = 1毫安
40
200
380
1000
5
5
最大
单位
V
0. 30
2. 00 0. 05
nA
mV
pF
nS
BAS40W系列
特点
肖特基二极管
SOT-323
1. 25 0. 05
1. 01 R
EF
功耗
P
D:
200
毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
1. 30 0. 03
2. 30 0. 05
集电极电流
200
mA
I
F:
集电极 - 基极电压
40
V
V
R
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃+ 150 ℃
单位:mm
BAS40W标志: 43.K43
BAS40W -04标: 44.K44
BAS40W -05标: 45.K45
BAS40W -06标: 46.K46
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
反向击穿电压
反向电压漏电流
正向电压
二极管电容
尊恢复时间
符号
V
( BR )R
I
R
V
F
C
D
t
rr
除非另有规定编)
TEST
条件
I
R
= 10A
V
R
=30V
I
F
=1mA
I
F
=40mA
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
=通过10毫安
I
R
= 10mA至IR = 1毫安
40
200
380
1000
5
5
最大
单位
V
0. 30
2. 00 0. 05
nA
mV
pF
nS
BAS40W/-04/-05/-06
表面贴装肖特基二极管
特点
·
·
·
·
低正向压降
快速开关
超小型表面贴装封装
PN结保护环的瞬态和ESD
保护
SOT-323
暗淡
A
C
B C
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
A
B
C
D
E
G
H
M
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
案例: SOT- 323 ,模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020A等级1
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
极性:见下面图表
标记:见下面的图表3 &Page
重0.006克数(大约)
B
G
H
K
E
0.65标称
J
K
L
M
a
J
D
F
L
顶视图
尺寸:mm
BAS40W标志: K43
BAS40W -04标: K44
BAS40W -05标: K45
BAS40W -06标: K46
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流(注1 )
非重复峰值正向浪涌电流
功率耗散(注1 )
热阻结到环境空气(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
@ T = 1.0S
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
FM
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
T
英镑
价值
40
28
200
600
200
625
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向击穿电压(注2 )
正向电压(注2)
泄漏电流(注2)
总电容
反向恢复时间
注意事项:
符号
V
( BR )R
V
F
I
R
C
T
t
rr
40
最大
380
1000
200
5.0
5.0
单位
V
mV
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10毫安
I
F
= 1.0毫安,T
p
< 300毫秒
I
F
= 40毫安,T
p
< 300毫秒
V
R
= 30V
V
R
= 0 , F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安,
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
1.装置安装在FR4印刷电路板与推荐的焊盘布局,可以在我们的网站上找到:
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
DS30114牧师8 - 2
1第3
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BAS40W/-04/-05/-06
I
R
,瞬时反向电流( NA)
I
F
,正向电流(A)
1
10000
T
A
= 125C
1000
T
A
= 75C
0.1
100
0.01
T
A
= -40C
T
A
= 0C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
10
T
A
= 0C
0.001
1
T
A
= -40C
T
A
= 75C
T
A
= 125C
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压( V)
图。 1典型正向电压
0.1
0
10
20
30
40
V
R
,瞬时反向电压( V)
图。 2典型的反向特性
250
3
C
T
,总电容(PF )
F = 1MHz的
P
d
,功耗(毫瓦)
0
10
20
30
40
200
2
150
100
1
50
0
0
0
100
200
T
A
,环境温度(℃ )
图。 4功率降额曲线,总包
V
R
,反向电压(V)的
图。 3典型电容
DS30114牧师8 - 2
2 3
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BAS40W/-04/-05/-06
订购信息
(注3)
设备
BAS40W-7
BAS40W-04-7
BAS40W-05-7
BAS40W-06-7
注意事项:
包装
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码(见第1页图)
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2000
L
JAN
1
2001
M
FEB
2
2002
N
三月
3
2003
P
APR
4
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
JUL
7
2006
T
八月
8
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30114牧师8 - 2
YM
3 3
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BAS40W/-04/-05/-06
硅肖特基二极管
q
q
q
q
BAS 40W
通用二极管
高速开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合
TYPE
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-A1065
Q62702-A1066
Q62702-A1067
引脚配置
1
2
3
A1
A1
C1
C1
A2
C2
记号
1)
BAS 40-04W
BAS 40-05W
BAS 40-06W
C1 / A2 44S
C1 / C2 45s的
A1 / A2 46秒
SOT-323
最大额定值
参数
反向电压
正向电流
正向电流浪涌,
t
10毫秒
总功耗
T
S
106
°C
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻
结到环境
2)
结焊接点
符号
40
120
200
250
150
– 55 … + 150
– 55 … + 150
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
j
T
op
T
英镑
R
日JA
R
日JS
395
175
K / W
K / W
1 )有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
2 )包安装在环氧树脂PCB 40毫米×40 x 1.5毫米/ 1厘米
2
铜。
半导体集团
1
02.96
BAS 40W
电气特性
at
T
A
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
击穿电压
I
( BR )
= 10
A
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
V
R
= 30 V
V
R
= 40 V
二极管电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
载流子寿命
I
F
= 25毫安
微分正向电阻
I
F
= 10毫安,
f
= 10千赫
串联电感
价值
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR )
40
310
450
720
3
10
10
2
V
mV
250
350
600
380
500
1000
A
1
10
pF
5
nH
ps
V
F
I
R
C
T
τ
R
F
L
S
半导体集团
2
BAS 40W
正向电流
I
F
=
f
(
V
F
)
反向电流
I
R
=
f
(
V
R
)
二极管电容
C
T
=
f
(
V
R
)
微分正向电阻
R
F
=
f
(
I
F
)
半导体集团
3
BAS 40W
正向电流
I
F
=
f
(
T
A
;
T
S
*)
*包装安装在环氧
允许负载
R
thjs
=
f
(
t
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
f
(
t
p
)
半导体集团
4
分立半导体
数据表
OK , halfpage
M3D102
BAS40W系列
肖特基势垒(双)二极管
产品speci fi cation
取代1997年的数据10月28日
1999年4月26日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
特点
低正向电压
保护环
非常小的SMD封装
低电容二极管。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管。
描述
平面肖特基势垒二极管
封装在一个SOT323非常小
塑料SMD封装。单二极管
和双二极管不同
钉扎是可用的。
记号
类型编号
BAS40W
BAS40-04W
BAS40-05W
BAS40-06W
记号
CODE
63
64
65
66
Fig.2
BAS40W单个二极管
配置(符号)。
Fig.5
1
3
2
北卡罗来纳州
MLC357
BAS40W系列
钉扎
BAS40
W
1
2
3
a
1
北卡罗来纳州
k
1
-04W
a
1
k
2
k
1
, a
2
-05W
a
1
a
2
k
1
, k
2
-06W
k
1
k
2
a
1
, a
2
Fig.3
手册, 2列
MLC358
3
1
2
3
BAS40-04W二极管
配置(符号)。
3
1
顶视图
2
MBC870
1
2
MLC359
Fig.1
简化的轮廓
( SOT323 )和引脚
配置。
Fig.4
BAS40-05W二极管
配置(符号)。
3
1
2
MLC360
BAS40-06W二极管
配置(符号)。
1999年4月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
1 s;
δ ≤
0.5
t
p
& LT ;
10毫秒
参数
条件
BAS40W系列
分钟。
65
65
马克斯。
单位
40
120
120
200
+150
150
+150
V
mA
mA
mA
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
连续的正向电压
见图6
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 40毫安
I
R
τ
C
d
1.脉冲测试:吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
1.参考SOT323标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
625
单位
K / W
连续反向电流
载流子寿命
二极管电容
V
R
= 30 V ;注意1 ;见图7
V
R
= 40 V ;注意1 ;见图7
I
F
= 5毫安;克拉考尔法
V
R
= 0; F = 1兆赫;见图9
380
500
1
1
10
100
5
mV
mV
V
A
A
ps
pF
参数
条件
马克斯。
单位
1999年4月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
图形数据
MLC361 - 1
BAS40W系列
10
2
手册, halfpage
IF
(MA )
10
手册, halfpage
10
3
MLC362
IR
(A)
(1)
10
2
10
(1)
(2)
(3)
(4)
(2)
1
1
10
1
10
1
(3)
10
2
10
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V F ( V)
1.0
0
10
20
30
VR ( V)
40
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
(4) T
AMB
=
40 °C.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.6
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.7
反向电流反向的函数
电压;典型值。
10
3
手册, halfpage
差异
()
10
2
MLC364
MLC363
手册, halfpage
5
Cd
(PF )
4
3
2
10
1
1
10
1
0
1
10
IF (MA )
10
2
0
10
20
30
VR ( V)
40
F = 10千赫。
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
微分正向电阻为一个函数
的正向电流;典型值。
Fig.9
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1999年4月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BAS40W系列
SOT323
D
B
E
A
X
y
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
c
1
e1
e
bp
2
w
M
B
Lp
细节X
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.8
A1
最大
0.1
bp
0.4
0.3
c
0.25
0.10
D
2.2
1.8
E
1.35
1.15
e
1.3
e1
0.65
HE
2.2
2.0
Lp
0.45
0.15
Q
0.23
0.13
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT323
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-70
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年4月26日
5
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厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAS40W
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BAS40W
NXP
2019
36000
323
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BAS40W
PHILIPS
2019
19850
323
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BAS40W
DIODES
2019
17500
SOT323
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
BAS40W
CJ(长电/长晶)
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15568
SOT-323
全系列封装原装正品★肖特基二极管
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
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BAS40W
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27000
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BAS40W
NXP
1038+
33130
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BAS40W
TWTLSEMI(腾领)代理
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联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BAS40W
DIODES
24+
25000
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