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摩托罗拉

半导体技术资料

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通过BF224 / D

RF晶体管

NPN硅

集热器

BASE

辐射源

BF224

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗@ TA = 25℃

减免上述25℃

器件总功耗@ TC = 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

VCEO

VCBO

VEBO

TJ ， TSTG

价值

4.0

350

2.8

1.0

8.0

- 55 + 150

单位

VDC

MADC

毫瓦/°C的

瓦

毫瓦/°C的

°C

CASE 29-04 ，风格21

TO-92 （TO- 226AA ）

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

最大

357

125

单位

° C / W

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 100

的adc ，IE = 0）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 100

ADC ， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ）

发射Cuto FF电流

（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）

V（ BR ） CEO

V（ BR ） CBO

V（ BR ） EBO

4.0

ICBO

—

IEBO

—

100

—

100

NADC

—

NADC

—

VDC

—

VDC

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

BF224

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

直流电流增益

（ IC = 7.0 MADC ， VCE = 10 V直流）

基射极电压ON

（ IC = 7.0 MADC ， VCE = 10 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）

的hFE

VBE （ON）的

—

VCE （ SAT ）

—

0.15

0.77

0.9

VDC

—

MVDC

—

小信号特性

电流增益 - 带宽积

（ IC = 1.5 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）

（ IC = 7.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）

共射极反馈电容

（ VCE = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

噪声系数

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， RS = 50

F = 100MHz）的

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， RS = 50

F = 200兆赫）

300

—

CRE

—

2.5

3.5

—

0.28

—

600

850

—

兆赫

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BF224

F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）

1000

700

500

300

200

100

VCE = 10 V

TA = 25°C

BF224

C，电容（pF ）

兴业银行

0.7

0.5

0.4

0.3

0.2

COB

CRE @ IE = 0

0.2 0.3 0.5 0.7 1

3 5

IC ，集电极电流（毫安）

100

0.1

0.2

0.5

3 5

VR ，反向电压（伏）

图1.电流增益 - 带宽积

图2的电容

100

VCE = 10 V

TA = 25°C

的hFE ， DC电流增益

VCE = 10 V

100兆赫

200

100

0.1

毫姆欧

BF224

45兆赫

10.7兆赫

B11E 470千赫< 0.2毫姆欧

IC ，集电极电流（毫安）

0.2 0.3 0.5 0.7 1

2 3 5 7 10

IC ，集电极电流（毫安）

图3.直流电流增益

图4. B11E

–100

VCE = 10 V

–50

45兆赫

100兆赫

2000

1000

VCE = 10 V

500

姆欧

45兆赫

100兆赫

毫姆欧

–20

–10

–5

10.7兆赫

200

100

10.7兆赫

–2

–1

b21e ，在470千赫< 0.5毫姆欧

IC ，集电极电流（毫安）

470千赫

IC ，集电极电流（毫安）

图5. b21e

图6. B22E （ BOE）

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BF224

VCE = 10 V

45兆赫

毫姆欧

0.5

10.7兆赫

470千赫

100兆赫

200

100

VCE = 10 V

F = 0.47 45 MHz的

0.2

0.1

IC ，集电极电流（毫安）

图7. g11e （ GIE ）

图8. g21e （ YFE ）

200

VCE = 10 V

100

姆欧

45兆赫

10.7兆赫

470千赫

100兆赫

IC ，集电极电流（毫安）

图9. g22e （专家组）

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BF224

包装尺寸

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.轮廓的包装BEYOND尺寸R

不加控制。

4.尺寸f适用P和L之间

尺寸D和J适用I和K之间

最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制

在P型和超越维数k最低限度。

英寸

民

最大

0.175

0.205

0.170

0.210

0.125

0.165

0.016

0.022

0.016

0.019

0.045

0.055

0.095

0.105

0.015

0.020

0.500

–––

0.250

–––

0.080

0.105

–––

0.100

0.115

–––

0.135

–––

MILLIMETERS

民

最大

4.45

5.20

4.32

5.33

3.18

4.19

0.41

0.55

0.41

0.48

1.15

1.39

2.42

2.66

0.39

0.50

12.70

–––

6.35

–––

2.04

2.66

–––

2.54

2.93

–––

3.43

–––

座位

飞机

X X

第X-X

暗淡

CASE 029-04

(TO–226AA)

ISSUE AD

风格21 ：

PIN 1.集热器

2.辐射源

3. BASE