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分立半导体
数据表
M3D125
BCY78 ; BCY79
PNP开关晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件， SC04
1997年6月18日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大45 V ） 。
应用
开关和放大。
描述
PNP开关晶体管采用TO -18金属封装。
NPN补充： BCY58和BCY59 。
3
BCY78 ; BCY79
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器，连接到案件
描述
1
手册， halfpage
2
3
2
MAM263
1
Fig.1简化外形（ TO- 18 ）和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BCY78
BCY79
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCY78
BCY79
I
C
P
合计
h
FE
集电极电流（ DC ）
总功耗
直流电流增益
BCY78 /七; BCY79 / VII
BCY78 /八; BCY79 /八
BCY78 / IX ; BCY79 / IX
BCY78/X
f
T
t
关闭
跃迁频率
打开-O FF时间
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
T
AMB
≤
45
°C
T
例
≤
45
°C
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
120
180
250
380
100
I
CON
=
100
毫安;我
BON
=
10
毫安;我
B关
= 10毫安
220
310
460
630
400
兆赫
ns
开基
32
45
100
340
1
V
V
mA
mW
W
发射极开路
32
45
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
1997年6月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BCY78
BCY79
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCY78
BCY79
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
45
°C
T
例
≤
45
°C
集电极开路
65
65
开基
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BCY78 ; BCY79
分钟。
马克斯。
32
45
32
45
5
100
200
200
340
1
+150
200
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
W
°C
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-C
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到外壳
条件
在自由空气
价值
450
150
单位
K / W
K / W
1997年6月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
BCY78
I
CBO
集电极截止电流
BCY79
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
BCY78 /七; BCY79 / VII
BCY78 /八; BCY79 /八
BCY78 / IX ; BCY79 / IX
BCY78/X
h
FE
直流电流增益
BCY78 /七; BCY79 / VII
BCY78 /八; BCY79 /八
BCY78 / IX ; BCY79 / IX
BCY78/X
h
FE
直流电流增益
BCY78 /七; BCY79 / VII
BCY78 /八; BCY79 /八
BCY78 / IX ; BCY79 / IX
BCY78/X
h
FE
直流电流增益
BCY78 /七; BCY79 / VII
BCY78 /八; BCY79 /八
BCY78 / IX ; BCY79 / IX
BCY78/X
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
250 A
I
C
=
100
毫安;我
B
=
2.5
mA
基射极饱和电压
基射极电压
I
C
=
10
毫安;我
B
=
250 A
I
C
=
100
毫安;我
B
=
2.5
mA
I
C
=
10 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
1
V
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
1
V
C
c
C
e
f
T
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
500
毫伏; F = 1 MHz的
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
1
V
40
45
60
60
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
1
V
80
120
160
240
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
120
180
250
380
I
E
= 0; V
CB
=
45
V
I
E
= 0; V
CB
=
45
V ;牛逼
AMB
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
10 A;
V
CE
=
5
V
30
40
100
参数
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
=
32
V
I
E
= 0; V
CB
=
32
V ;牛逼
AMB
= 150
°C
条件
BCY78 ; BCY79
分钟。
典型值。
2
2
140
200
270
340
170
250
350
500
180
260
360
500
120
400
700
850
550
650
650
750
马克斯。
15
10
15
10
20
220
310
460
630
400
630
1000
250
800
850
750
7
15
单位
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
600
700
600
1200
mV
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的100
1997年6月18日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
BCY78 ; BCY79
符号
F
参数
噪音科幻gure
条件
I
C
=
200 A;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 k;
F = 1千赫B = 200赫兹
I
CON
=
10
毫安;我
BON
=
1
毫安;
I
B关
= 1毫安;试验条件进行
分钟。
典型值。
马克斯。
10
单位
dB
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
见图2
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
I
CON
=
100
毫安;我
BON
=
10
毫安;
I
B关
= 10毫安;试验条件B
100
50
50
700
600
100
100
35
65
400
300
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ndbook ，全页宽
VBB
VCC
RB
示波器
Vi
R1
（探头）
450
R2
RC
Vo
（探头）
450
DUT
示波器
MGD624
测试条件进行
V
i
=
5
V ; T = 500
s;
t
p
= 10
s;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 56
;
R2 = 2.5 kΩ的;
B
= 3.9 kΩ的;
C
= 270
.
V
BB
= 1.9 V; V
CC
=
3
V
示波器的输入阻抗Z
i
= 50
.
试验条件B
V
i
=
9.8
V ; T = 500
s;
t
p
= 10
s;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 62
;
R2 = 470
;
R
B
= 470
;
R
C
= 100
.
V
BB
= 3.4 V; V
CC
=
10.8
V
示波器的输入阻抗Z
i
= 50
.
图2测试电路的开关时间。
1997年6月18日
5
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