恩智浦半导体
产品数据表
NPN中频晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
C
re
f
T
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
基射极电压
反馈电容
跃迁频率
条件
V
CB
= 40 V ;我
E
= 0 A
V
EB
= 4 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 10 V ;我
C
= 7毫安
V
CE
= 10 V ;我
C
= 7毫安
V
CB
= 10 V ;我
C
= 0 ; F = 1 MHz的
V
CE
= 10 V ;我
C
= 5毫安; F = 100 MHz的
分钟。
38
典型值。
775
550
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
250
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
40
25
4
25
25
500
+150
150
+150
BF199
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
马克斯。
100
100
925
0.5
单位
nA
nA
mV
pF
兆赫
2004年11月8日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN中频晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BF199
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
04-06-28
04-11-16
2004年11月8日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN中频晶体管
数据表状态
文件
状态
(1)
目标数据表
初步数据表
产品数据表
笔记
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的文档。
产品
状态
(2)
发展
QUALI科幻阳离子
生产
德网络nition
BF199
本文件包含的数据从客观规范的产品
发展。
本文件包含的初步规格数据。
本文件包含的产品规格。
2.本文档中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个文件发布
和可能不同的情况下，多个器件。最新产品状态信息可在互联网上
网址http://www.nxp.com 。
免责声明
一般
本文件中的信息被认为是
准确和可靠。然而，恩智浦半导体
不提供任何陈述或保证，
明示或暗示的内容的准确性或完整性
这样的信息，并有权对任何法律责任
使用这些信息的后果。
有权进行修改
恩智浦半导体
保留随时更改信息的权利
文件中公布的，包括但不限于
规格和产品说明，在任何时间，
恕不另行通知。本文件取代所有
之前，此次公布的信息。
适合使用
恩智浦半导体产品
没有设计，授权或担保适合
在医疗，军事，航空，航天和生活配套使用
设备，或者是在故障或失效
的恩智浦半导体的产品可以合理
预期会导致人身伤害，死亡或严重
属性或环境损害。恩智浦半导体
接受列入恩智浦和/或使用不承担任何责任
半导体产品在此类设备或
应用，因此这样的夹杂物和/或用途是在
客户自己的风险。
应用
在此描述为应用程序
任何这些产品仅用于说明性目的。
恩智浦半导体作任何陈述或
保修这样的应用将是适当的
没有进一步的测试或修改指定用途。
极限值
应力以上的一个或多个限制
值（如在绝对最大额定值定义
IEC 60134 ）的系统可能会造成永久性损坏
该设备。极限值值仅为
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的这种特性部分给出
文档是不是暗示。暴露限制值
长时间可能会影响器件的可靠性。
销售条款和条件
恩智浦半导体
产品的销售都遵循的一般条款和
商业销售截至公布的条件下，
http://www.nxp.com/profile/terms ，包括那些
关于保修，知识产权
侵权和赔偿责任限制，除非明确
恩智浦半导体另有书面同意。在
案件信息有任何不一致或冲突
本文与此类条款和条件，后者
将占上风。
没有任何要约出售或许可
本文档中的任何内容
也许能被解释为要约出售产品
这是开放的接受或批，运送或
任何许可下的任何版权，专利暗示或
其它工业或知识产权。
出口管制
本文档以及所述一条（或多条）
这里描述可能会受到出口管制
的规定。出口可能需要从一个事先授权
国家主管部门。
快速参考数据
快速参考的数据是
在限制值赋予了产品数据的提取物和
本文档的特征的部分，并且因此是
不完整的，详尽的或具有法律约束力。
2004年11月8日
5
BF199
BF199
NPN晶体管RF
1
TO-92
1.集电极2.发射基地3
绝对最大额定值*
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
工作和存储结温范围
参数
价值
25
40
4.0
50
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
re
参数
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 30V ，我
E
= 0
I
C
= 7.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 7.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 7.0毫安，V
CE
= 10V,
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
38
0.2
0.92
0.925
1100
0.4
V
V
V
兆赫
pF
分钟。
25
40
4.0
50
马克斯。
单位
V
V
V
nA
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极BreakdownVoltage
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
共发射极Ruerse
传输电容
基本特征
小信号特性
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
2002仙童半导体公司
版本A ， 2002年9月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN中频晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BF199
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1997年7月07
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN中频晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BF199
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1997年7月07
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过BF199 / D
RF晶体管
NPN硅
集热器
1
3
BASE
2
辐射源
BF199
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
25
40
4.0
100
350
2.8
1.0
8.0
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格21
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
357
125
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ）
V（ BR ） CEO
25
V（ BR ） CBO
40
V（ BR ） EBO
4.0
ICBO
—
—
100
—
—
NADC
—
—
VDC
—
—
VDC
VDC
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BF199
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 7.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
基射极电压ON
（ IC = 7.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
的hFE
40
VBE （ON）的
—
770
900
85
—
MVDC
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
共射极反馈电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， RS = 50
,
F = 35兆赫）
fT
400
CRE
—
Nf
—
2.5
—
0.25
0.35
dB
750
—
pF
兆赫
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BF199
BF199
NPN晶体管RF
1
TO-92
1.集电极2.发射基地3
绝对最大额定值*
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
工作和存储结温范围
参数
价值
25
40
4.0
50
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
re
参数
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 30V ，我
E
= 0
I
C
= 7.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 7.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 7.0毫安，V
CE
= 10V,
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
38
0.2
0.92
0.925
1100
0.4
V
V
V
兆赫
pF
分钟。
25
40
4.0
50
马克斯。
单位
V
V
V
nA
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极BreakdownVoltage
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
共发射极Ruerse
传输电容
基本特征
小信号特性
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
2002仙童半导体公司
版本A ， 2002年9月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
QQ：2881677436 复制
