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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BDX77F
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 80V （最小值）
.Complement
到类型BDX78F
应用
·设计
用于Hi-Fi设备提供输出
15至15瓦到4Ωor 8Ωload 。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值s
基极电流
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
100
80
5
8
12
3
32
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
6.3
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE （ SAT ）
V
BE （
on
)
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
电流增益带宽积
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
= 0
B
BDX77F
民
80
100
5
最大
单位
V
V
V
I
C
= 1毫安，我
E
= 0
I
E
= 1毫安，我
C
= 0
I
C
= 3A ;我
B
= 0.3A
B
1.0
1.5
2.0
1.5
0.2
0.1
1.0
0.5
30
7.0
V
V
V
V
mA
mA
mA
I
C
= 6A ;我
B
= 0.6A
B
I
C
= 6A ;我
B
= 0.6A
B
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
V
CE
= 30V ;我
B
= 0
B
V
CB
= V
CBO
;I
E
= 0
1
V
CB
= /
2
V
CBO
;I
E
= 0; T
J
= 150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
= 2V
I
C
= 0.3A ; V
CE
= 3V ，女
TEST
= 1.0MHz的
兆赫
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= 2A ;我
B1
= -I
B2
= 0.2A
打开-O FF时间
4
μs
1
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    BDX77F
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BDX77F
PHI
2024
20918
TO-220F
原装现货上海库存，欢迎查询
北京元坤国际科技有限公司
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