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BLS7G2729L-350P;
BLS7G2729LS-350P
LDMOS S波段雷达功率晶体管
第1版 - 2011年5月24日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
350适用于雷达应用的2.7 GHz到2.9 GHz的W LDMOS功率晶体管
范围内。
表1中。
典型性能
典型的射频性能在T
= 25
°
℃;吨
p
= 300
μ
s;
δ
= 10 %; I
Dq
= 200毫安;在AB类
生产测试电路。
操作模式
脉冲射频
f
(千兆赫)
2.7至2.9
V
DS
(V)
32
P
L
(W)
350
G
p
( dB)的
13.5
η
D
(%)
50
t
r
(纳秒)
20
t
f
(纳秒)
6
1.2特点和优点
典型的脉冲RF性能,频率为2.7 GHz至2.9 GHz的电源电压
32 V,一个I
Dq
200毫安,一吨
p
300
μs
δ
: 10%
输出功率= 350瓦
功率增益 - 13.5分贝
效率= 50%
简单的电源控制
集成ESD保护
高弹性相对于脉冲格式
出色的耐用性
高效率
优良的热稳定性
专为S波段操作( 2.7 GHz至2.9 GHz)的
内部匹配的易用性
符合2002 /95 / EC ,关于有害物质限制
(符合RoHS )
1.3应用
S波段功率放大器在2.7 GHz至2.9 GHz频段雷达应用
范围
恩智浦半导体
BLS7G2729L(S)-350P
LDMOS S波段雷达功率晶体管
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
[1]
钉扎
描述
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
[1]
简化的轮廓
图形符号
BLS7G2729L - 350P ( SOT539A )
1
2
5
2
3
4
3
sym112
1
BLS7G2729LS - 350P ( SOT539B )
1
2
5
3
4
2
3
sym112
1
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
名称说明
BLS7G2729L-350P
-
法兰的平衡LSMOST陶瓷封装;
2安装孔; 4引线
无耳法兰平衡LSMOST陶瓷封装;
4引线
VERSION
SOT539A
SOT539B
类型编号
BLS7G2729LS - 350P -
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
储存温度
结温
-
0.5
-
65
-
最大
60
+13
33
+150
200
单位
V
V
A
°C
°C
BLS7G2729L-350P_LS-350P
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NXP B.V. 2011保留所有权利。
目标数据表
第1版 - 2011年5月24日
2 10
恩智浦半导体
BLS7G2729L(S)-350P
LDMOS S波段雷达功率晶体管
5.热特性
表5 。
Z
日( J- MB )
热特性
条件
T
= 85
°C;
P
L
= 150 W
t
p
= 100
μs; δ
= 10 %
t
p
= 200
μs; δ
= 10 %
t
p
= 300
μs; δ
= 10 %
t
p
= 100
μs; δ
= 20 %
<tbd> K / W
<tbd> K / W
<tbd> K / W
<tbd> K / W
典型值
单位
从结瞬态热阻抗
安装基座
符号参数
6.特性
表6 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
V
( BR ) DSS
漏源击穿
电压
V
GS ( TH)
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS ( ON)
门源阈值电压
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 2.2毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 220毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS ( TH)
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 11.0 A
V
GS
= V
GS ( TH)
+ 3.75 V;
I
D
= 7.7 A
65
1.5
-
34
-
-
-
典型值
-
1.9
-
39
-
16.2
0.065
最大
-
2.3
2.8
-
280
-
-
单位
V
V
μA
A
nA
S
Ω
7.应用信息
表7中。
应用信息
经营方式:脉冲射频;吨
p
= 300
μ
s;
δ
= 10% ;射频性能在V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 200毫安;
T
= 25
°
℃;除非另有规定版,在AB类生成电路。
符号
P
L
V
CC
G
p
RL
in
P
L(1dB)
η
D
P
下垂(脉冲)
t
r
t
f
参数
输出功率
电源电压
功率增益
输入回波损耗
1 dB增益压缩输出功率
漏EF网络效率
脉冲功率下垂
上升时间
下降时间
P
L
= 350 W
P
L
= 350 W
P
L
= 350 W
P
L
= 350 W
P
L
= 350 W
P
L
= 350 W
P
L
= 350 W
条件
最小值典型值
-
-
12
-
-
45
-
-
-
350
-
13.5
10
50
0
20
6
最大
-
32
-
-
-
0.3
50
50
单位
W
V
dB
dB
W
%
dB
ns
ns
<tbd> -
BLS7G2729L-350P_LS-350P
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3 10
恩智浦半导体
BLS7G2729L(S)-350P
LDMOS S波段雷达功率晶体管
典型阻抗
Z
S
Ω
<tbd>
<tbd>
<tbd>
Z
L
Ω
<tbd>
<tbd>
<tbd>
表8 。
f
GHz的
2.7
2.8
2.9
Z
L
Z
S
001aaf059
图1 。
晶体管阻抗德网络nition
7.1耐用的AB类操作
该BLS7G2729L - 350P和BLS7G2729LS - 350P能够承受的负载
在以下通过所有阶段1 :对应的VSWR = 5不匹配
条件: V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 200毫安; P
L
= 350瓦;吨
p
= 300
μs; δ
= 10 %.
BLS7G2729L-350P_LS-350P
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4 10
恩智浦半导体
BLS7G2729L(S)-350P
LDMOS S波段雷达功率晶体管
8封装外形
法兰式平衡LDMOST陶瓷封装; 2安装孔; 4引线
SOT539A
D
A
F
D1
U1
q
H1
C
B
w2
M
C
M
c
1
2
U2
p
E1
w1
M
A
M
B
M
E
5
L
A
3
b
e
4
w3
M
Q
0
5
规模
10 mm
尺寸(毫米尺寸从原始英寸的尺寸得到)
单位
mm
英寸
A
4.7
4.2
b
c
D
D1
e
E
E1
9.53
9.27
F
H
H1
L
p
3.30
3.05
Q
2.26
2.01
q
35.56
U1
U2
w1
w2
0.51
w3
0.25
11.81 0.18 31.55 31.52
9.50
13.72
11.56 0.10 30.94 30.96
9.30
1.75 17.12 25.53 3.48
1.50 16.10 25.27 2.97
41.28 10.29
0.25
41.02 10.03
0.185 0.465 0.007 1.242 1.241
0.374 0.375 0.069 0.674 1.005 0.137 0.130 0.089
1.625 0.405
1.400
0.010 0.020 0.010
0.540
0.165 0.455 0.004 1.218 1.219
0.366 0.365 0.059 0.634 0.995 0.117 0.120 0.079
1.615 0.395
1.毫米的尺寸都来源于原始英寸的尺寸。
2.建议的1.52英寸(38.6 MM)基于M3螺丝螺距尺寸。
概要
VERSION
SOT539A
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
00-03-03
10-02-02
图2 。
封装外形SOT539A
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BLS7G2729L-350P_LS-350P
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