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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第218页 > BDX67C
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
描述
高
直流电流GAIN-
: h
FE
= 1000 （最小值） @我
C
= 10A
ULOW
饱和电压
.Complement
到类型BDX66 / A / B / C
应用
·设计
音频输出级和一般放大器
和切换应用程序
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BDX67
BDX67A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BDX67B
BDX67C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDX67/A/B/C
价值
80
100
单位
V
120
140
60
80
V
100
120
5
16
20
250
150
200
-65~200
V
A
A
mA
W
℃
℃
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.17
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDX67
BDX67A
I
C
= 100毫安; L = 25mH
BDX67B
BDX67C
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
V
ECF
C
OB
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
C- ê二极管正向电压
输出电容
I
C
= 10A ;我
B
= 40毫安
I
C
= 10A ; V
CE
= 3V
V
CB
= 80V ;我
E
= 0
V
CB
= 80V ;我
E
= 0; T
C
=150℃
V
CB
= 100V ;我
E
= 0
V
CB
= 100V ;我
E
= 0; T
C
=150℃
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
V
CB
= 120V ;我
E
= 0; T
C
=150℃
V
CB
= 140V ;我
E
= 0
V
CB
= 140V ;我
E
= 0; T
C
=150℃
V
CE
= 1/2V
首席执行官
（最大值） ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
= 3V
I
C
= 10A ; V
CE
= 3V
I
C
= 16A ; V
CE
= 3V
I
F
= 10A
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ，女
TEST
= 1.0MHz的
条件
BDX67/A/B/C
民
60
80
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
100
120
2.0
2.5
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
5.0
5200
1000
4000
2.5
300
V
pF
mA
mA
V
V
I
CBO
集热器
截止目前
mA
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
BDX67/A/B/C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
BDX67 ， A，B ，C
NPN硅DARLINGTONS
高电流功率达林顿设计的功率放大和
开关应用。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
价值
60
80
100
120
80
100
120
140
5.0
单位
V
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
V
I
C（ RMS）
I
C
集电极电流
16
A
20
I
CM
I
B
基极电流
0.25
A
P
T
功耗
@ T
C
= 25°
150
瓦
W / ℃，
T
J
T
S
结温
储存温度
-55到+200
°C
半导体COMSET
1/5
BDX67 ， A，B ，C
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻，结到外壳
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
价值
1.17
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
BDX67
最小典型最大
60
80
100
120
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.0
3
-
-
-
-
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
击穿电压（ * ）
I
C
= 0.1 A ， L = 25mH
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
V
V
CE
=30 V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=40 V
V
CE
=50 V
V
CE
=60 V
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
=5 V
mA
T
例
= 25 ° C，V
CB
=60 V
-
BDX67
-
-
BDX67A
-
-
-
-
-
1
5
mA
1
5
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
T
例
= 200℃ ，V
CB
=40 V
T
例
= 25 ° C，V
CB
=80 V
T
例
= 200℃ ，V
CB
=50 V
半导体COMSET
2/5
BDX67 ， A，B ，C
符号
评级
测试条件（S ）
民
-
典型值
-
-
-
-
5200
-
4000
-
最大
1
5
单位
T
例
= 25 ° C，V
CB
=100 V
BDX67B
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
T
例
= 200℃ ，V
CB
=60 V
T
例
= 25 ° C，V
CB
=120 V
-
-
BDX67C
-
-
1000
-
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
-
mA
1
5
-
-
-
2
-
T
例
= 200℃ ，V
CB
=70 V
h
FE
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
V
CE
= 3 V，I
C
=1 A
V
CE
= 3 V，I
C
=10 A
V
CE
= 3 V，I
C
=16 A
I
C
= 10 A，I
B
= 40毫安
V
CE （ SAT ）
V
V
BE
基射极电压（ 1&2 ）
V
CE
= 3 V，I
C
=10 A
-
-
2,5
V
V
F
二极管的正向电压
I
F
=10 A
-
2,5
-
V
C
c
I
E
= 0 ，V
CB
=10V
-
300
-
pF
t
on
开关特性
V
CC
= 12V，我
C
=-10 A
I
B1
=- I
B2
=0.04 A
-
1
-
s
t
关闭
-
3.5
-
f
的hFE
V
CE
= -3 V，I
C
=-5 A
-
50
-
千赫
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
（ 1 ）集电极 - 发射极电压限制等V
CECI
= V
额定通过辅助电路
半导体COMSET
3/5
BDX67 ， A，B ，C
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知
半导体COMSET
4/5
BDX67 ， A，B ，C
半导体COMSET
5/5
BDX67 ， A，B ，C
NPN硅DARLINGTONS
高电流功率达林顿设计的功率放大和
开关应用。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
价值
60
80
100
120
80
100
120
140
5.0
单位
V
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
V
I
C（ RMS）
I
C
集电极电流
16
A
20
I
CM
I
B
基极电流
0.25
A
P
T
功耗
@ T
C
= 25°
150
瓦
W / ℃，
T
J
T
S
结温
储存温度
-55到+200
°C
BDX67 ， A，B ，C
半导体COMSET
1/4
BDX67 ， A，B ，C
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻，结到外壳
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
价值
1.17
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
BDX67
最小典型单位的Mx
60
80
100
120
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.0
mA
3
mA
-
-
-
-
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
击穿电压（ * ）
I
C
= 0.1 A ， L = 25mH
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
V
CE
=30 V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=40 V
V
CE
=50 V
V
CE
=60 V
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
=5 V
T
例
= 25 ° C，V
CB
=60 V
-
BDX67
-
-
BDX67A
-
-
-
-
-
1
5
mA
1
5
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
T
例
= 200℃ ，V
CB
=40 V
T
例
= 25 ° C，V
CB
=80 V
T
例
= 200℃ ，V
CB
=50 V
半导体COMSET
2/4
BDX67 ， A，B ，C
符号
评级
测试条件（S ）
民
-
典型值
-
-
-
-
5200
-
4000
-
-
2,5
300
M
单位
x
1
5
mA
1
5
-
-
-
2
2,5
-
-
-
T
例
= 25 ° C，V
CB
=100 V
BDX67B
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
T
例
= 200℃ ，V
CB
=60 V
T
例
= 25 ° C，V
CB
=120 V
-
-
BDX67C
-
-
1000
-
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
-
-
-
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
-
T
例
= 200℃ ，V
CB
=70 V
h
FE
h
FE
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
V
F
C
c
t
on
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
基射极电压（ 1&2 ）
二极管的正向电压
V
CE
= 3 V，I
C
=1 A
V
CE
= 3 V，I
C
=1 A
V
CE
= 3 V，I
C
=1 A
I
C
= 10 A，I
B
= 40毫安
V
V
V
pF
V
CE
= 3 V，I
C
=10 A
I
F
=10 A
I
E
= 0 ，V
CB
=10V
-
1
3.5
-
s
-
开关特性
V
CC
= 12V，我
C
= -10 A，I
B1
=-
I
B2
=0.04 A
t
关闭
-
F
的hFE
V
CE
= -3 V，I
C
=-5 A
-
50
-
千赫
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
（ 1 ）集电极 - 发射极电压限制等V
CECI
= V
额定通过辅助电路
半导体COMSET
3/4
BDX67 ， A，B ，C
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知
半导体COMSET
4/4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BDX67C
描述
·采用TO-3封装
·高电流能力
·达林顿
应用
·设计用于功率放大和
切换应用程序。
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
140
120
5
16
20
0.25
117
150
-55~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.17
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BDX67C
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=25mH
I
C
= 10A ;我
B
=0.04A
V
CB
= 70V ;我
E
=0
T
C
=150
V
CE
= 60V ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
民
120
2
1
5
3
3
典型值。
最大
单位
V
V
mA
mA
mA
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
1.0
3.5
s
s
I
C
=-10A ;
I
B1
=-I
B2
=0.04A
V
CC
=12V ;
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDX67C
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BDX67C
描述
·带
TO- 3封装
高
电流能力
·达林顿
应用
·设计
进行功率放大并
切换应用程序。
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
140
120
5
16
20
0.25
117
150
-55~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.17
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BDX67C
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=25mH
I
C
= 10A ;我
B
=0.04A
V
CB
= 70V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
CE
= 60V ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
民
120
2
1
5
3
3
典型值。
最大
单位
V
V
mA
mA
mA
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
1.0
3.5
μs
μs
I
C
=-10A ;
I
B1
=-I
B2
=0.04A
V
CC
=12V ;
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDX67C
图2外形尺寸
3
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
机械数据
尺寸（mm）
NPN外延基地
达林顿功率
晶体管
9.0最大。
2. 5
26.6最大。
4.2
39.5最大。
B
30.1
E
20.3最大。
1 .0
在外延NPN晶体管的基
单片达林顿电路
音频输出级和一般
放大器和开关
应用程序。
16.9
10.9
12.8
PNP补充如下：
BDX66 ， BDX66A ， BDX66B ， BDX66C 。
TO3封装。
情况下连接到采集器。
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
BDX BDX BDX BDX
67 67A 67B 67C
60
80 100 120 V
80
ì
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
T
STJ
R
日J- MB
Semelab PLC 。
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极 - 基极电压（发射极开路）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
集电极电流（峰值）
基极电流
在T总功率耗散
mb
= 25°C
最高结温
存储结温
热阻，结到安装基座。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
网址：
http://www.semelab.co.uk
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
100
í
120
140
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
K / W
5
5
5
5
16
20
250
150
200
-65到+200
1.17
7/99
BDX67
BDX67A
BDX67B
BDX67C
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
BE
V
CESAT
C
c
f
的hFE
E
（ BR ）
h
fe
V
F
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益（注1 ）
基地 - 发射极电压（注1 ）
集电极 - 发射极饱和
电压
集电极电容
截止频率
关闭击穿能量
带感性负载
小信号电流增益
二极管正向电压
I
E
= 0,
I
B
= 0,
I
C
= 0,
I
C
=1A,
I
C
= 10A,
I
C
= 16A,
I
C
= 10A,
I
C
= 10A,
测试条件
V
CB
= V
CEOMAX
V
CE
= ½V
CEOMAX
V
EB
= 5V
V
CE
= 3V
V
CE
= 3V
V
CE
= 3V
V
CE
= 3V
I
B
= 40毫安
I
E
= 0, V
CB
= ½V
CBOmax ，
T
j
= 200°C
分钟。
典型值。
马克斯。
1
5
1
5
单元。
mA
mA
mA
5200
1000
4000
2.5
2
300
50
150
20
2.5
V
V
pF
千赫
mJ
I
E
= I
e
= 0, V
CB
= 10V F = 1MHz的
I
C
= 5A,
–I
B关
= 0,
t
p
为1ms ，
I
F
= 10A
V
CE
= 3V
I
CC
= 7.8 A
d
< 1 ％
V
I
C
= 5A ，V
CE
= 3V ， F = 1MHz的
注1：脉冲条件下测得的，吨
p
＆ LT ; 300
m
s,
d
＆ LT ; 2 ％
C
B
R1 （典型值） 。 3K
W
R2 （典型值） 。 80
W
R1
R2
E
电路图
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
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