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分立半导体
数据表
M3D744
BC847BVN
NPN / PNP通用
晶体管
产品数据表
取代2001年的数据08月30日
2001年11月7日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP通用晶体管
特点
300 mW的总功耗
非常小的1.6毫米×1.2毫米超轻薄封装
出色的共面性，由于直脚
替换2个SC -75 / SC- 89封装的晶体管
同样的PCB面积
减少所需PCB面积
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
开关模式电源互补MOSFET
司机
互补驱动的音频放大器。
描述
NPN / PNP晶体管对中一个SOT666塑料包装。
记号
类型编号
BC847BVN
标识代码
13
Fig.1
1
顶视图
2
3
MAM443
BC847BVN
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
手册， halfpage
6
5
4
6
5
4
TR2
TR1
1
2
3
简化外形（ SOT666 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
T
AMB
≤
25
°C;
注1
分钟。
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2001年11月7日
2
总功耗
300
mW
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
发射极开路
开基
集电极开路
50
45
5
100
200
200
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
笔记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2.唯一推荐的焊接是回流焊接。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
分钟。
200
100
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1和2
价值
416
BC847BVN
单位
K / W
典型值。
755
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
BESAT
f
T
V
BE
C
c
C
e
V
BE
C
c
C
e
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
跃迁频率
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1MHz的
V
EB
= 500 mV的;我
C
= I
c
= 0; F = 1MHz的
V
CE
=
5
V ;我
C
=
2
mA
V
CB
=
10
V ;我
C
= I
c
= 0; F = 1MHz的
V
EB
=
500
毫伏;我
E
= I
e
= 0; F = 1MHz的
15
5
100
450
100
300
mV
mV
mV
兆赫
nA
μA
nA
NPN晶体管
基射极导通电压
集电极电容
发射极电容
580
655
11
700
1.5
mV
pF
pF
PNP晶体管
基射极导通电压
集电极电容
发射极电容
600
655
10
750
2.2
mV
pF
pF
2001年11月7日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP通用晶体管
BC847BVN
手册， halfpage
(1)
600
MLD703
手册， halfpage
1200
MLD704
的hFE
VBE
mV
1000
(1)
400
(2)
800
(2)
600
200
(3)
(3)
400
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
200
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
TR1 （ NPN型） ;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
TR1 （ NPN型） ;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流：典型值。
Fig.3
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
4
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
3
MLD705
手册， halfpage
1200
MLD706
VBEsat
（毫伏）
1000
(1)
(2)
800
(3)
600
10
2
(2)
(3)
(1)
400
10
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
200
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
TR1 （ NPN型） ;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
TR1 （ NPN型） ;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数：典型值。
Fig.5
基极 - 发射极饱和电压作为
功能集电极电流。
2001年11月7日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP通用晶体管
BC847BVN
手册， halfpage
1000
MLD699
手册， halfpage
1200
VBE
mV
1000
MLD700
的hFE
800
(1)
600
(1)
800
(2)
400
(2)
600
200
(3)
400
(3)
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
200
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
TR2 （ PNP ） ;
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
TR2 （ PNP ） ;
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.6
直流电流增益作为集电体的功能
电流：典型值。
Fig.7
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
4
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
3
MLD701
手册， halfpage
1200
VBEsat
（毫伏）
1000
MLD702
(1)
(2)
800
10
2
(2)
(1)
600
(3)
(3)
400
10
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
200
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
TR2 （ PNP ） ;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
TR2 （ PNP ） ;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.8
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数：典型值。
Fig.9
基极 - 发射极饱和电压作为
功能集电极电流。
2001年11月7日
5
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