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INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP功率晶体管

描述

ΔDC

电流增益-h

FE

= 40 （分） @我

C

= -

0.4A

-collector极 - 发射极

维持电压 -

: V

CEO （ SUS ）

= -40V （最小值） - BDT30F ; -60V （最小值） - BDT30AF

-80V （最小值） - BDT30BF ; -100V （最小值） - BDT30CF

-120V （最小值） - BDT30DF

.Complement

到类型BDT29F / AF / BF / CF / DF

应用

·设计

在音频输出级使用中，一般用途

放大器和高速开关应用

绝对最大额定值（T

a

=25

℃

)

符号

参数

BDT30F

BDT30AF

V

CBO

集电极 - 基

电压

BDT30BF

BDT30CF

BDT30DF

BDT30F

BDT30AF

V

首席执行官

集电极 - 发射极

电压

BDT30BF

BDT30CF

BDT30DF

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

B

BDT30F/AF/BF/CF/DF

价值

-80

-100

-120

-140

-160

-40

-60

-80

-100

-120

-5

-1

-3

-0.4

19

150

-65~150

单位

V

V

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率

T

C

=25℃

结温

存储Ttemperature范围

V

A

A

A

W

℃

℃

P

C

T

j

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

R

日J-一

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

9.17

55

单位

℃/W

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

BDT30F

BDT30AF

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

BDT30BF

BDT30CF

BDT30DF

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CES

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

收藏家Cuto FF电流

BDT30F/AF

I

首席执行官

集热器

截止目前

BDT30BF/CF

BDT30DF

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

发射Cuto FF电流

直流电流增益

直流电流增益

电流增益带宽积

I

C

= -1A ;我

B

= -0.125A

B

BDT30F/AF/BF/CF/DF

条件

民

-40

-60

典型值。

最大

单位

I

C

= -30mA ;我

B

= 0

-80

-100

-120

-0.7

-1.3

-0.2

V

V

V

mA

I

C

= -1A ; V

CE

= -4V

V

CE

= V

CEOMAX

; V

BE

= 0

V

CE

= -30V ;我

B

= 0

B

V

CE

= -60V ;我

B

= 0

B

-0.1

mA

V

CE

= -90V ;我

B

= 0

B

V

EB

= -5V ;我

C

= 0

I

C

= -0.2A ; V

CE

= -4V

I

C

= -1A ; V

CE

= -4V

I

C

= -0.2A ; V

CE

= -10V

40

15

3

-0.2

mA

75

兆赫

开关时间

t

on

t

关闭

开启时间

I

C

= -1.0A ;我

B1

= -I

B2

= -0.1A

打开-O FF时间

1.0

μs

0.3

μs

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