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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
ΔDC
目前GAIN-
: h
FE
= 40 （分） @我
C
= 150毫安
.Complement
到类型BD934 /九百三十八分之九百三十六/九百四十二分之九百四十〇
应用
·设计
在音频和电视输出级使用
放大器电路，其中高的峰值功率可能会发生。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BD933
BD935
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD937
BD939
BD941
BD933
BD935
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD937
BD939
BD941
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BD933/935/937/939/941
价值
45
60
100
120
140
45
60
80
100
120
5
3
7
0.5
30
150
-65~150
单位
V
V
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
4.17
70
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BD933
BD935
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
BD937
BD939
BD941
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
I
C
= 1A ;我
B
= 0.1A
B
BD933/935/937/939/941
条件
民
45
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 100毫安;我
B
= 0
80
100
120
0.6
1.3
0.05
1
0.1
0.2
40
25
3
250
V
V
V
mA
mA
mA
I
C
= 1A ; V
CE
= 2V
V
CB
= V
CBOMAX
; I
E
= 0
V
CB
= V
CBOMAX
; I
E
= 0,T
J
=150℃
V
CE
= V
CEOMAX
; I
B
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2V
I
C
= 1A ; V
CE
= 2V
I
C
= 250毫安; V
CE
= 10V
兆赫
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= 1.0A ;我
B1
= -I
B2
= 0.1A
打开-O FF时间
1.5
3.0
μs
0.4
1.0
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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