4.5V至5.5V ， 2.0A 1路
同步降压转换器集成FET
BD8961NV
■一般
描述
ROHM的高效率降压型开关
调节器BD8961NV是设计成一个电源
产生一个低电压，包括从5 3.3伏
伏电源线。提供高效率
同步整流。采用电流模式
控制系统能够提供更快的瞬态响应
以在负载突然变化。
■特点
提供电流模式快速瞬态响应
PWM控制系统。
提供高效率，为所有负载范围内
同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）
集成软启动功能。
结合过热保护和ULVO
功能。
包含短路保护电路与
时间延迟功能。
集成的关断功能
●钥匙
规范
输入电压范围：
输出电压范围：
输出电流：
开关频率：
P沟道FET导通电阻：
N沟道FET的导通电阻：
工作温度范围：
●套餐
SON008V5060
4.5V至5.5V
3.3V(Typ.)
2.0A （最大）
1.0MHz(Typ.)
200mΩ(Typ.)
150mΩ(Typ.)
0μA （典型值。）
-25℃至+ 105 ℃
5.0毫米X 6.0毫米X 1.0毫米
■应用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机
和ASIC
Typical
应用电路
V
CC
CIN
EN
V
CC
， PV
CC
SW
L
V
OUT
V
OUT
V
OUT
ESR
R
O
第i个
GND ， PGND
C
O
R
第i个
C
第i个
图1典型应用
“产品
结构：硅单片集成电路
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本
产品并非设计防止放射性射线。
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02.MAR.2012 Rev.001
BD8961NV
针
CON组fi guration
顶视图
VOUT
V
CC
第i个
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
EN
PV
CC
SW
保护地
数据表
图2引脚配置
针
描述
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VOUT
V
CC
第i个
GND
保护地
SW
PV
CC
EN
引脚功能
输出电压引脚
V
CC
电源输入端子
GmAmp输出引脚/连接相位补偿电容
地
N沟道FET的源极引脚
P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
P沟道FET的源极引脚
使能引脚（高电平有效）
块
图
图3框图
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BD8961NV
“绝对
最大额定值
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW ， ITH电压
功耗1
功耗2
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
＊1
＊2
＊3
数据表
符号
V
CC
PV
CC
V
EN
V
SW
,V
第i个
Pd1
Pd2
TOPR
TSTG
TJMAX
评级
-0.3到+7
-0.3到+7
＊
1
＊
1
单位
V
V
V
V
mW
mW
℃
℃
℃
-0.3到+7
-0.3到+7
900
＊
2
＊
3
3900
-25至+105
-55到+150
+150
钯不应超过。
降额在完成7.2MW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板（铜的密度： 3 ％ ）
降额中完成的31.2mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装上JESD51-7 。
“操作
评级
(Ta=25℃)
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW平均输出电流
＊4
符号
V
CC
P
VCC
V
EN
ISW
*4
*4
*4
评级
分钟。
4.5
4.5
0
-
典型值。
5.0
5.0
-
-
马克斯。
5.5
5.5
VCC
2.0
单位
V
V
V
A
钯不应超过。
ⅵELECTRICAL
Characteristics(Ta=25℃,
V
CC
？光伏
CC
= 3.3V ， EN = V
CC
.)
参数
待机电流
偏置电流
EN低压
EN高压
EN输入电流
振荡频率
P沟道FET导通电阻
N沟道FET导通电阻
输出电压
第i个
SI
NK电流
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
UVLO阈值电压
UVLO电压版
软启动时间
定时锁定时间
输出短路阈值电压
符号
I
机顶盒
I
CC
V
ENL
V
ENH
I
EN
F
OSC
R
ONP
R
ONN
V
OUT
I
THSI
I
THSO
V
UVLO1
V
UVLO2
T
SS
T
LATCH
V
SCP
分钟。
-
-
-
2.0
-
0.8
-
-
3.250
10
10
3.6
3.65
0.5
1
-
范围
典型值。
0
250
GND
V
CC
1
1
200
150
3.300
20
20
3.8
3.90
1
2
1.65
马克斯。
10
450
0.8
-
10
1.2
320
270
3.350
-
-
4.0
4.2
2
3
2.31
单位
μA
μA
V
V
μA
兆赫
mΩ
mΩ
V
μA
μA
V
V
ms
ms
V
OUT
条件
EN = GND
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
P
VCC
=5V
P
VCC
=5V
V
OUT
=3.6V
V
OUT
=3.0V
V
CC
=5→0V
V
CC
=0→5V
SCP / TSD操作
V
OUT
=3.3→0V
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BD8961NV
Typical
性能曲线
数据表
图4 VCC- Vout的
图5法师， Vout的
图6电流输出， Vout的
图7的Ta -V
OUT
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BD8961NV
数据表
图8效率
图9的Ta -F
OSC
图10的Ta -R
ONN
, R
ONP
图11的Ta -V
EN
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单芯片型内置式FET开关稳压器系列
低噪音高效率
降压型开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD8961NV
No.09027EAT22
°说明
ROHM的高效率降压型开关稳压器BD8961NV是设计用来产生低电压的电源
包括从5伏电源线3.3伏。提供高效率同步整流。采用电流模式
控制系统，提供给负载突然变化更快的瞬态响应。
■特点
1 ）提供电流模式PWM控制系统快速瞬态响应。
2 ）提供高效率，为所有负载范围内同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）
3 ）采用软启动功能。
4 ）结合过热保护和ULVO功能。
5 ）采用了短路保护电路延时功能。
6 ）采用关机功能
7 ）雇用小型表面贴装型封装： SON008V5060
“使用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机和ASIC
“行
up
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW ， ITH电压
功耗1
功耗2
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
＊1
＊2
＊3
符号
V
CC
PV
CC
V
EN
V
SW
,V
第i个
Pd1
Pd2
TOPR
TSTG
TJMAX
范围
-0.3½+7
-0.3½+7
＊
1
＊
1
单位
V
V
V
V
mW
mW
℃
℃
℃
-0.3½+7
-0.3½+7
900
＊
2
＊
3
3900
-25½+105
-55½+150
+150
钯不应超过。
降额在完成7.2MW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板（铜的密度： 3 ％ ）
降额中完成的31.2mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装上JESD51-7 。
“操作
条件（ TA = 25 ℃ ）
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW平均输出电流
＊4
符号
V
CC
*4
P
VCC
V
EN
ISW
*4
*4
范围
分钟。
4.5
4.5
0
-
典型值。
5.0
5.0
-
-
马克斯。
5.5
5.5
VCC
2.0
单位
V
V
V
A
钯不应超过。
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2009.05 - Rev.A的
BD8961NV
●信息
对优势
优势1 ：提供电流模式控制系统，快速瞬态响应。
常规产品（负载响应我
O
=0.1A→0.6A)
技术说明
BD8961NV （负载响应我
O
=1A→2A)
V
OUT
160mV
V
OUT
100mV
I
OUT
I
OUT
电压降是由于在负载突然变化被减少了约50％。
瞬态响应的图18中的比较
优势二：提供高效率同步整流
For
较重的负载：
利用同步整流模式和低导通电阻的MOS场效应管
注册为功率晶体管。
效率：
η
[%]
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
100
1000
10000
输出电流：我
OUT
[马]
ON P沟道MOS FET电阻（典型值）在200mΩ
对N沟道MOS FET电阻（典型值） 160mΩ
VCC=5V
图19效率
优势3 ： ·因合并小型功率MOS FET提供在更小的封装。
产量
所需的电流模式控制电容器有限公司： 22μF陶瓷电容
·电感
L所需的1兆赫的工作频率： 2.2μH的电感
减少所需的安装区域。
V
CC
15mm
CIN
C
IN
直流/直流
转换器
调节器
R
第i个
L
V
OUT
Co
10mm
C
第i个
C
O
L
R
第i个
C
第i个
图20中的示例应用程序
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2009.05 - Rev.A的
单芯片型内置式FET开关稳压器系列
低噪音高效率
降压型开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD8961NV
No.10027EBT22
°说明
ROHM的高效率降压型开关稳压器BD8961NV是设计用来产生低电压的电源
包括从5伏电源线3.3伏。提供高效率同步整流。采用电流模式
控制系统，提供给负载突然变化更快的瞬态响应。
■特点
1 ）提供电流模式PWM控制系统快速瞬态响应。
2 ）提供高效率，为所有负载范围内同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）
3 ）采用软启动功能。
4 ）结合过热保护和ULVO功能。
5 ）采用了短路保护电路延时功能。
6 ）采用关机功能
7 ）雇用小型表面贴装型封装： SON008V5060
“使用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机和ASIC
“行
up
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW ， ITH电压
功耗1
功耗2
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
＊1
＊2
＊3
符号
V
CC
PV
CC
V
EN
V
SW
,V
第i个
Pd1
Pd2
TOPR
TSTG
TJMAX
评级
-0.3½+7
-0.3½+7
＊
1
＊
1
单位
V
V
V
V
mW
mW
℃
℃
℃
-0.3½+7
-0.3½+7
900
＊
2
＊
3
3900
-25½+105
-55½+150
+150
钯不应超过。
降额在完成7.2MW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板（铜的密度： 3 ％ ）
降额中完成的31.2mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装上JESD51-7 。
“操作
条件（ TA = 25 ℃ ）
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW平均输出电流
＊4
符号
V
CC
*4
P
VCC
*4
V
EN
ISW
*4
评级
分钟。
4.5
4.5
0
-
典型值。
5.0
5.0
-
-
马克斯。
5.5
5.5
VCC
2.0
单位
V
V
V
A
钯不应超过。
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2010.04 - Rev.B的
BD8961NV
●信息
对优势
优势1 ：提供电流模式控制系统，快速瞬态响应。
常规产品（负载响应我
O
=0.1A→0.6A)
技术说明
BD8961NV （负载响应我
O
=1A→2A)
V
OUT
160mV
V
OUT
100mV
I
OUT
I
OUT
电压降是由于在负载突然变化被减少了约50％。
瞬态响应的图18中的比较
优势二：提供高效率同步整流
For
较重的负载：
利用同步整流模式和低导通电阻的MOS场效应管
注册为功率晶体管。
效率：
η
[%]
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
100
1000
10000
输出电流：我
OUT
[马]
ON P沟道MOS FET电阻（典型值）在200mΩ
对N沟道MOS FET电阻（典型值） 160mΩ
VCC=5V
图19效率
优势3 ： ·因合并小型功率MOS FET提供在更小的封装。
产量
所需的电流模式控制电容器有限公司： 22μF陶瓷电容
·电感
L所需的1兆赫的工作频率： 2.2μH的电感
减少所需的安装区域。
V
CC
15mm
CIN
C
IN
直流/直流
转换器
调节器
R
第i个
L
V
OUT
Co
10mm
C
第i个
C
O
L
R
第i个
C
第i个
图20中的示例应用程序
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2010 ROHM有限公司保留所有权利。
5/13
2010.04 - Rev.B的
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