小信号晶体管
BC846A -G直通。 BC848C -G
（ NPN ）
器件符合RoHS
特点
- 功率耗散
O
P
CM
： 0.20W （ @T
A
=25 C)
-collector电流
I
CM
: 0.1A
-collector - 基极电压
V
CBO
： BC846 = 80V
BC847=50V
BC848=30V
- 工作和存储结温
范围：T已
J
, T
英镑
= -65到+150
O
C
SOT-23
0.118(3.00)
0.110(2.80)
3
0.055(1.40)
0.047(1.20)
1
0.079(2.00)
0.071(1.80)
2
机械数据
-Case ： SOT -23 ，模压塑料。
-Terminals ：每MIL -STD- 750可焊性，
方法2026 。
-Approx 。重量： 0.008克
0.041(1.05)
0.035(0.90)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
0.004 （ 0.10 ）最大
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
电路图
-1.BASE
-2.EMITTER
-3.COLLECTOR
3
尺寸以英寸（毫米）
1
2
最大额定值
（在TA = 25
参数
O
C除非另有说明）
符号
BC846-G
BC847-G
BC848-G
BC846-G
BC847-G
BC848-G
价值
80
50
30
65
45
30
6
0.1
200
150
-65到+150
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
V
A
mW
°C
°C
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
公司保留改进产品的设计，功能和可靠性，恕不另行通知。
QW-BTR31
REV ： B
第1页
COMCHIP科技有限公司。
小信号晶体管
电气特性
（ BC846A -G直通。 BC848C -G ， @T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
BC846-G
BC847-G
BC848-G
BC846-G
BC847-G
BC848-G
符号
V
CBO
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
民
80
50
30
65
45
30
典型值
最大
单位
V
集电极 - 发射极击穿电压
发射基电压中断
V
首席执行官
V
EBO
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 70V ，我
E
=0
V
CB
= 50V ，我
E
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CB
= 45V ，我
E
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=2mA
V
V
0.1
A
6
集电极截止电流
BC846-G
BC847-G
BC848-G
BC846-G
BC847-G
BC848-G
I
CBO
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
I
首席执行官
I
EBO
0.1
0.1
110
200
420
220
450
800
0.5
1.1
100
4.5
A
A
BC846A,BC847A,BC848A
BC846B,BC847B,BC848B
BC847C,BC848C
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE （ SAT ）
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
f=100MH
Z
V
CB
= 10V ， F = 1MH
Z
V
V
MH
Z
pF
REV ： B
QW-BTR31
第2页
COMCHIP科技有限公司。
小信号晶体管
电气特性曲线（ BC846A -G直通。 BC848C -G ）
Fig.1-
静态特性
20
60uA
Fig.2-
FE
— I
C
1000
共发射极
V
CE
=5V
Ta=100°C
集电极电流IC （MA ）
常见
辐射源
-450uA
Ta=25°C
54uA
48uA
42uA
12
8
36uA
30uA
24uA
直流电流增益，H
FE
16
300
Ta=25°C
18uA
4
12uA
I
B
=
6uA
0
0
1
3
4
5
6
100
0.1
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流IC （MA ）
Fig.3- V
CESAT
—
I
C
集电极Emtter饱和电压
,
V
CESAT
（毫伏）
1000
Fig.4- V
BESAT
— I
C
基射极饱和电压，
， VB
E
SAT
(V)
1000
800
Ta=25°C
Ta=100°C
100
Ta=100°C
Ta=25°C
600
β=20
10
0.1
β=20
1
10
100
400
0.1
1
10
100
集电极电流IC （MA ）
集电极电流IC （MA ）
Fig.5-我
C
100
—
V
BE
100
Fig.6-科夫/ CIB
—
V
CB
/V
EB
f=1MHz
I
E
= 0 /集成电路= 0
TA = 25°C
集电极电流IC （MA ）
共发射极
V
CE
= 5V
Ta=100°C
电容C （PF ）
10
10
兴业银行
COB
1
Ta=25°C
1
0.1
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.1
1
10
20
基射极电压，V
BE
( V )
反向偏置电压，V （ V）
Fig.7- F
T
— I
C
1000
250
V
CE
= 5V
Ta=25°C
Fig.8- P
C
- TA
过渡频率f
T
（ MH
Z
)
集电极耗散功率，
P
C
（ mW）的
1
10
50
200
150
100
100
50
10
0
0
25
50
75
100
125
150
集电极电流IC （MA ）
QW-BTR31
环境温度，钽（℃）
REV ： B
第3页
COMCHIP科技有限公司。
QQ：2881677436 复制
