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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第77页 > BD544B
BD544 ， BD544A ， BD544B ， BD544C
PNP硅功率晶体管
●
●
●
●
●
专为配套使用的
BD543系列
在25 ° C的温度， 70瓦
8的连续集电极电流
10 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
B
C
E
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
BD544
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BD544A
BD544B
BD544C
BD544
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
BD544A
BD544B
BD544C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
工作自由空气的温度范围
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注： 1。此值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
2.减额直线到150℃情况下，温度保持在0.56 W / ℃的速率。
3.减免线性至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
P
合计
T
A
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-8
-10
70
2
-65到+150
-65到+150
-65到+150
260
V
A
A
W
W
°C
°C
°C
°C
V
V
单位
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BD544 ， BD544A ， BD544B ， BD544C
PNP硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD544
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注4 ）
V
CE
= -40 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -60 V
V
CE
= -80 V
V
CE
= -100 V
I
首席执行官
I
EBO
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-4 V
-0.3 A
-1 A
-1.6 A
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-1 A
-3 A
-5 A
-3 A
-5 A
- 8A
-5 A
（见注4和5）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
（见注4和5）
（见注4和5）
60
40
15
-0.5
-0.5
-1
-1.4
V
V
I
B
= 0
BD544A
BD544B
BD544C
BD544
BD544A
BD544B
BD544C
BD544/544A
BD544B/544C
民
-40
-60
-80
-100
-0.4
-0.4
-0.4
-0.4
-0.7
-0.7
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
|
h
fe
|
注： 4。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
5.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.79
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -6 A
V
BE （OFF）的
= 4 V
I
B（上）
= -0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= 0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.4
0.7
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD544 ， BD544A ， BD544B ， BD544C
PNP硅功率晶体管
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
1000
TCS634AI
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
-10
TCS634AE
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
I
C
= -6 A
-1·0
h
FE
- 直流电流增益
100
10
-0·1
1·0
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-0·01
-0·001
-0·01
-0·1
I
B
- 基极电流 - 一个
-1·0
-10
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·2
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-1·1
TCS634AF
-1·0
-0·9
-0·8
-0·7
-0·6
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
BD544 ， BD544A ， BD544B ， BD544C
PNP硅功率晶体管
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-10
SAS634AF
I
C
- 集电极电流 - 一个
-1·0
-0·1
-0·01
-1·0
BD544
BD544A
BD544B
BD544C
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS633AD
图5中。
4
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD544 ， BD544A ， BD544B ， BD544C
PNP硅功率晶体管
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
5
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
描述
·70
在25 ° C的温度W
.Complement
到类型BD543 / A / B / C
·8
一个连续集电极电流
应用
·设计
高功率音频放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BD544
BD544A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD544B
BD544C
BD544
BD544A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD544B
BD544C
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
结温
存储温度范围
-80
-100
-5
-8
-10
70
W
2
150
-65~150
℃
℃
V
A
A
-80
-100
-40
-60
V
价值
-40
-60
V
单位
BD544/A/B/C
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
4.17
62.5
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BD544
BD544A
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
BD544B
BD544C
V
CE（
SAT
)-1
V
CE（
SAT
)-2
V
CE（
SAT
)-3
V
BE （
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
BD544
BD544A
BD544B
BD544C
BD544/A
BD544B/C
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
BD544/A/B/C
条件
民
-40
-60
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
-80
-100
-0.5
-0.5
-1.0
-1.4
-0.4
-0.4
mA
-0.4
-0.4
-0.7
mA
V
V
V
V
I
C
= -5A ;我
B
= -1A
B
I
C
= -8A ;我
B
= -1.6A
B
I
C
= -5A ; V
CE
= -4V
V
CE
= -40V; V
BE
= 0
V
CE
= -60V; V
BE
= 0
V
CE
= -80V; V
BE
= 0
V
CE
= -100V; V
BE
= 0
V
CE
= -30V ;我
B
= 0
B
I
CES
集热器
截止目前
I
首席执行官
集热器
截止目前
V
CE
= -60V ;我
B
= 0
B
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
I
C
= -3A ; V
CE
= -4V
I
C
= -5A ; V
CE
= -4V
60
40
15
-1
mA
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
0.4
0.7
μs
μs
I
C
= -6A ;我
B1
= -I
B2
= -0.6A;
V
BE （
关闭
)
= 4V ，R
L
= 5Ω
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
BD544 ， BD544A ， BD544B ， BD544C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1973年6月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
BD543系列
在25 ° C的温度， 70瓦
8的连续集电极电流
10 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BD544
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BD544A
BD544B
BD544C
BD544
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
BD544A
BD544B
BD544C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
工作自由空气的温度范围
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注： 1。此值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
2.减额直线到150℃情况下，温度保持在0.56 W / ℃的速率。
3.减免线性至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
P
合计
T
A
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-8
-10
70
2
-65到+150
-65到+150
-65到+150
260
V
A
A
W
W
°C
°C
°C
°C
V
V
单位
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BD544 ， BD544A ， BD544B ， BD544C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD544
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注4 ）
V
CE
= -40 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -60 V
V
CE
= -80 V
V
CE
= -100 V
I
首席执行官
I
EBO
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-4 V
-0.3 A
-1 A
-1.6 A
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-1 A
-3 A
-5 A
-3 A
-5 A
-8 A
-5 A
（见注4和5）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
（见注4和5）
（见注4和5）
60
40
15
-0.5
-0.5
-1
-1.4
V
V
I
B
= 0
BD544A
BD544B
BD544C
BD544
BD544A
BD544B
BD544C
BD544/544A
BD544B/544C
民
-40
-60
-80
-100
-0.4
-0.4
-0.4
-0.4
-0.7
-0.7
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
|
h
fe
|
注： 4。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
5.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.79
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -6 A
V
BE （OFF）的
= 4 V
I
B（上）
= -0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= 0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.4
0.7
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BD544 ， BD544A ， BD544B ， BD544C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
1000
TCS634AI
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
-10
TCS634AE
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
I
C
= -6 A
-1·0
h
FE
- 直流电流增益
100
10
-0·1
1·0
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-0·01
-0·001
-0·01
-0·1
I
B
- 基极电流 - 一个
-1·0
-10
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·2
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-1·1
TCS634AF
-1·0
-0·9
-0·8
-0·7
-0·6
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BD544 ， BD544A ， BD544B ， BD544C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-10
SAS634AF
I
C
- 集电极电流 - 一个
-1·0
-0·1
-0·01
-1·0
BD544
BD544A
BD544B
BD544C
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS633AD
图5中。
产品
信息
4
BD544 ， BD544A ， BD544B ， BD544C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
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