BCW 60
NPN
通用晶体管
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
1.1
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
0.4
3
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BCW 60
32 V
32 V
5V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
分钟。
典型值。
–
–
–
马克斯。
20 nA的
20
:
A
20 nA的
350毫伏
550毫伏
特性（T
j
= 25
/
C)
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 32 V
I
E
= 0, V
CB
= 32 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 4 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.25毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 1.25毫安
I
EB0
V
CESAT
V
CESAT
–
50毫伏
100毫伏
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
2
)
I
CB0
I
CB0
–
–
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
38
01.11.2003
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.25毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 1.25毫安
BCW 60B
V
CE
= 5 V，I
C
= 10
:
A
BCW 60C
BCW 60D
BCW 60B
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
BCW 60C
BCW 60D
BCW 60B
V
CE
= 1 V，I
C
= 50毫安
BCW 60C
BCW 60D
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 50毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A，R
G
= 2 k
S
,
F = 1千赫
)
F = 200赫兹
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
标记 - Stempelung
BCW 60B = AB
F
–
R
THA
2分贝
f
T
C
CB0
C
EB0
100兆赫
–
–
250兆赫
1.7 pF的
11 pF的
V
BEON
V
BEON
V
BEON
–
550毫伏
–
520毫伏
650毫伏
780毫伏
V
BESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
600毫伏
700毫伏
20
40
100
180
250
380
70
90
100
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
BCW 60
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
马克斯。
850毫伏
1050毫伏
–
–
–
310
460
630
–
–
–
–
700毫伏
–
–
–
–
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
6分贝
420 K / W
2
)
BCW 61系列
BCW 60C = AC
BCW 60D = AD
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
39
BCW60 ， BCX70
NPN硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BCW61 ， BCX71 （ PNP ）
3
2
1
VPS05161
TYPE
BCW60A
BCW60B
BCW60C
BCW60D
BCW60FF
BCW60FN
BCX70G
BCX70H
BCX70J
BCX70K
记号
AAS
ABS
ACS
ADS
AFS
ANS
AGS
AHS
AJS
AKS
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1
Jan-29-2002
NPN硅晶体管自动对焦
BCW 60
BCX 70
q
对于AF输入级和驱动器应用
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
30 Hz至15 kHz的低噪音
q
互补类型： BCW 61 ， BCX 71 （ PNP ）
TYPE
BCW 60 A
BCW 60 B
BCW 60℃
BCW 60天
BCW 60 FF
BCW 60 FN
BCX将70g
BCX 70小时
BCX 70焦耳
BCX为70K
记号
AAS
ABS
ACS
ADS
AFS
ANS
AGS
AHS
AJS
AKS
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C1517
Q62702-C1497
Q62702-C1476
Q62702-C1477
Q62702-C1529
Q62702-C1567
Q62702-C1539
Q62702-C1481
Q62702-C1552
Q62702-C1571
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
5.91
BCW 60
BCX 70
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BCW 60 BCW 60 FF
BCX 70
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
BCW 60 BCW 60 FF
BCX 70
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 32 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 32 V,
T
A
= 150 C
V
CB
= 45 V,
T
A
= 150 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V
直流电流增益
1)
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
BCW 60 A， BCX为70g
BCW 60 B， BCX 70小时
BCW 60 FF ， BCW 60℃ ， BCX 70焦耳
BCW 60 FN ， BCW 60 D， BCX为70K
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
BCW 60 A， BCX为70g
BCW 60 B， BCX 70小时
BCW 60 FF ， BCW 60℃ ， BCX 70焦耳
BCW 60 FN ， BCW 60 D， BCX为70K
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 1 V
BCW 60 A， BCX为70g
BCW 60 B， BCX 70小时
BCW 60 FF ， BCW 60℃ ， BCX 70焦耳
BCW 60 FN ， BCW 60 D， BCX为70K
BCW 60 BCW 60 FF
BCX 70
BCW 60 BCW 60 FF
BCX 70
I
EB0
h
FE
20
20
40
100
120
180
250
380
50
70
90
100
140
200
300
460
170
250
350
500
–
–
–
–
–
–
–
–
220
310
460
630
–
–
–
–
V
(BR)CE0
32
45
V
(BR)CB0
32
45
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
20
20
20
20
20
nA
nA
A
A
nA
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
≤
2 %.
半导体集团
3
BCW 60
BCX 70
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0.25毫安
I
C
= 50毫安，
I
B
= 1.25毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0.25毫安
I
C
= 50毫安，
I
B
= 1.25毫安
基射极电压
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 1 V
1)
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
BCW 60 A， BCX为70g
BCW 60 B， BCX 70小时
BCW 60 FF ， BCW 60℃ ， BCX 70焦耳
BCW 60 FN ， BCW 60 D， BCX为70K
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
BCW 60 A， BCX为70g
BCW 60 B， BCX 70小时
BCW 60 FF ， BCW 60℃ ， BCX 70焦耳
BCW 60 FN ， BCW 60 D， BCX为70K
f
T
C
敖包
C
IBO
h
11e
–
–
–
–
h
12e
–
–
–
1.5
2.0
2.0
3.0
–
–
–
2.7
3.6
4.5
7.5
–
–
–
–
10
– 4
–
–
–
250
3
8
–
–
–
k
兆赫
pF
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
V
BE（上）
–
0.55
–
0.52
0.65
0.78
–
0.75
–
0.70
0.83
0.85
1.05
0.12
0.20
0.25
0.55
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
≤
2 %.
半导体集团
4
BCW 60
BCX 70
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
BCW 60 A， BCX为70g
BCW 60 B， BCX 70小时
BCW 60 FF ， BCW 60℃ ， BCX 70焦耳
BCW 60 FN ， BCW 60 D， BCX为70K
开路输出导纳
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
BCW 60 A， BCX为70g
BCW 60 B， BCX 70小时
BCW 60 FF ， BCW 60℃ ， BCX 70焦耳
BCW 60 FN ， BCW 60 D， BCX为70K
噪声系数
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 1千赫，
f
= 200赫兹
BCW 60 A至BCX为70K
BCW 60 FF ， BCW 60 FN
等效噪声电压
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 10赫兹... 50赫兹
BCW 60 FF ， BCW 60 FN
h
21e
–
–
–
–
h
22e
–
–
–
–
F
18
24
30
50
–
–
–
–
dB
200
260
330
520
–
–
–
–
s
值
典型值。
马克斯。
单位
–
–
–
V
n
–
2
1
–
–
2
0.135
V
半导体集团
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BCW60B
BCW60C
BCW60D
直流电流增益
BCW60B
BCW60C
BCW60D
直流电流增益
BCW60B
BCW60C
BCW60D
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 1.25毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 1.25毫安
I
C
= 10
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 1 V
C
c
C
e
f
T
F
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的;注1
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
I
C
= 50毫安; V
CE
= 1 V
70
90
100
50
100
600
0.7
550
100
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
180
250
380
条件
I
E
= 0; V
CB
= 32 V
I
E
= 0; V
CB
= 32 V ;牛逼
AMB
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 10
A;
V
CE
= 5 V
20
40
100
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BCW60系列
价值
500
单位
K / W
典型值。
马克斯。
20
20
20
310
460
630
350
550
850
1.05
750
6
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
V
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
520
650
780
1.7
11
250
2
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
1999年04月22
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BCW60系列
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月22
5
恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BCW60B
BCW60C
BCW60D
直流电流增益
BCW60B
BCW60C
BCW60D
直流电流增益
BCW60B
BCW60C
BCW60D
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 1.25毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 1.25毫安
I
C
= 10
μA;
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 1 V
C
c
C
e
f
T
F
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪声系数
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的;注1
I
C
= 200
μA;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
I
C
= 50毫安; V
CE
= 1 V
70
90
100
50
100
600
0.7
550
100
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
180
250
380
条件
I
E
= 0; V
CB
= 32 V
I
E
= 0; V
CB
= 32 V ;牛逼
AMB
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 10
μA;
V
CE
= 5 V
20
40
100
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BCW60系列
价值
500
单位
K / W
典型值。
马克斯。
20
20
20
310
460
630
350
550
850
1.05
750
6
单位
nA
μA
nA
mV
mV
mV
V
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
520
650
780
1.7
11
250
2
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
1999年04月22
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
数据表状态
文件
状态
(1)
目标数据表
初步数据表
产品数据表
笔记
产品
状态
(2)
发展
QUALI科幻阳离子
生产
德网络nition
BCW60系列
本文件包含的数据从客观规范的产品
发展。
本文件包含的初步规格数据。
本文件包含的产品规格。
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的文档。
2.本文档中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个文件发布
和可能不同的情况下，多个器件。最新产品状态信息可在互联网上
网址http://www.nxp.com 。
免责声明
一般
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准确和可靠。然而，恩智浦半导体
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保留随时更改信息的权利
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适合使用
恩智浦半导体产品
没有设计，授权或担保适合
在医疗，军事，航空，航天和生活配套使用
设备，或者是在故障或失效
的恩智浦半导体的产品可以合理
预期会导致人身伤害，死亡或严重
属性或环境损害。恩智浦半导体
接受列入恩智浦和/或使用不承担任何责任
半导体产品在此类设备或
应用，因此这样的夹杂物和/或用途是在
客户自己的风险。
应用
在此描述为应用程序
任何这些产品仅用于说明性目的。
恩智浦半导体作任何陈述或
保修这样的应用将是适当的
没有进一步的测试或修改指定用途。
极限值
应力以上的一个或多个限制
值（如在绝对最大额定值定义
IEC 60134 ）的系统可能会造成永久性损坏
该设备。极限值值仅为
该器件在这些或任何其他条件操作
1999年04月22
5
超过上述的这种特性部分给出
文档是不是暗示。暴露限制值
长时间可能会影响器件的可靠性。
销售条款和条件
恩智浦半导体
产品的销售都遵循的一般条款和
商业销售截至公布的条件下，
http://www.nxp.com/profile/terms ，包括那些
关于保修，知识产权
侵权和赔偿责任限制，除非明确
恩智浦半导体另有书面同意。在
案件信息有任何不一致或冲突
本文与此类条款和条件，后者
将占上风。
没有任何要约出售或许可
本文档中的任何内容
也许能被解释为要约出售产品
这是开放的接受或批，运送或
任何许可下的任何版权，专利暗示或
其它工业或知识产权。
出口管制
本文档以及所述一条（或多条）
这里描述可能会受到出口管制
的规定。出口可能需要从一个事先授权
国家主管部门。
快速参考数据
快速参考的数据是
在限制值赋予了产品数据的提取物和
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不完整的，详尽的或具有法律约束力。
BCW60
NPN硅外延平面晶体管
用于通用开关和放大。
这些晶体管被分为3组B中，
C和D ，根据其电流增益。
互补型的PNP晶体管
BCW61建议。
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
J
T
S
价值
32
32
5
100
200
200
200
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
O
C
C
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/12/2005
BCW60
特点在T
a
=25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 5 V，I
C
= 10 A
BCW60B
BCW60C
BCW60D
在V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
BCW60B
BCW60C
BCW60D
在V
CE
= 1 V，I
C
= 50毫安
BCW60B
BCW60C
BCW60D
集电极饱和电压
在我
C
= 10 mA时，我
B
= 0.25毫安
集电极饱和电压
在我
C
= 50 mA时，我
B
= 1.25毫安
基本饱和电压
在我
C
= 10 mA时，我
B
= 0.25毫安
基本饱和电压
在我
C
= 50 mA时，我
B
= 1.25毫安
基射极电压
在我
C
= 2毫安， V
CE
= 5V
集电极基截止电流
在V
CB
= 32 V
在V
CB
= 32 V ，T
j
= 150
O
C
发射基截止电流
在V
EB
= 4 V
Gain -bandwidth产品
在V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容
在V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
发射极 - 基极电容
在V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
噪声系数
在我
C
= 200 μA ，V
CE
= 5 V ，R
S
= 2 KΩ ， F = 1千赫，
Δf=200Hz
热阻，结到环境
1)
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
I
EBO
f
T
C
CBO
C
EBO
NF
R
θJA
分钟。
20
40
100
180
250
380
70
90
100
0.05
0.1
0.6
0.7
0.55
-
-
-
100
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
250
1.7
11
2
-
马克斯。
-
-
-
310
460
630
-
-
-
0.35
0.55
0.85
1.05
0.75
20
20
20
-
-
-
6
500
1)
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
nA
A
nA
兆赫
pF
pF
dB
K / W
晶体管安装在一FR4印刷电路板。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/12/2005
QQ：2880707522 复制
