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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BD311

描述

·带

TO- 3封装

高

直流电流增益

优秀

安全工作区

.Complement

输入BD312

应用

·设计

对于功率放大器的应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（峰值）

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

60

60

5

10

20

4

115

-65~200

-65~200

单位

V

V

V

A

A

A

W

℃

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

1.52

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BD311

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

条件

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

V

CB

=额定，我

E

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

I

C

= 10A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V,f=1MHz

25

5

4

兆赫

民

60

1.0

1.8

1.5

1.0

1.0

典型值。

最大

单位

V

V

V

V

mA

mA

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BD311

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BD311

描述

·采用TO-3封装

高

直流电流增益

·卓越的安全工作区

·补充输入BD312

应用

·专为功率放大器应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

描述

绝对最大额定值（ TA = 25 ）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（峰值）

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

60

60

5

10

20

4

115

-65~200

-65~200

单位

V

V

V

A

A

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

1.52

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BD311

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

条件

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

V

CB

=额定，我

E

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

I

C

= 10A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V,f=1MHz

25

5

4

兆赫

民

60

1.0

1.8

1.5

1.0

1.0

典型值。

最大

单位

V

V

V

V

mA

mA

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BD311

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BD311

描述

·带

TO- 3封装

高

直流电流增益

优秀

安全工作区

.Complement

输入BD312

应用

·设计

对于功率放大器的应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

T

j

T

英镑

固电

IN

集电极 - 基极电压

导½

半

参数

条件

发射极开路

开基

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（峰值）

ES

昂

CH

集电极开路

ICO

EM

OR

UCT

ND

价值

60

60

5

10

20

4

单位

V

V

V

A

A

A

W

℃

℃

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

115

-65~200

-65~200

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

1.52

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BD311

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

V

CB

=额定，我

E

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

I

C

= 10A ; V

CE

=4V

25

民

60

1.0

1.8

1.5

1.0

1.0

典型值。

最大

单位

V

V

V

V

mA

mA

固电

IN

直流电流增益

导½

半

跃迁频率

昂

CH

MIC

ê SE

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V,f=1MHz

ND

O

OR

UCT

5

4

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BD311

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸

3

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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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联系人：连

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联系人：曾先生/刘小姐

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24+

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TO-3（铁帽）

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联系人：肖先生

地址：福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司）

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122

原装正品！价格优势！

北京上用科技有限公司

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√ 欧美㊣品

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深圳市创芯联盈电子有限公司

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联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

BD311

PHILIPS/飞利浦

2443+

23000

TO-3

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市芯满林科技有限公司

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