摩托罗拉
半导体技术资料
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通过BCW60ALT1 / D
通用晶体管
NPN硅
集热器
3
1
BASE
BCW60ALT1
BCW60BLT1
BCW60DLT1
3
2
辐射源
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
32
32
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
BCW60ALT1 = AA ， BCW60BLT1 = AB ， BCW60DLT1 = AD
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（IC = 2.0 MADC ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 32 V直流）
（ VCE = 32 VDC ， TA = 150 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 4.0伏， IC = 0 ）
1， FR- 5 = 1.0
0.75
2.氧化铝= 0.4 0.3
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
冰
—
—
IEBO
—
20
20
20
NADC
μAdc
NADC
32
5.0
—
—
VDC
VDC
0.062英寸
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
热复合是贝格斯公司的商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BCW60ALT1 BCW60BLT1 BCW60DLT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
μAdc ，
VCE = 5.0 V直流）
的hFE
BCW60A
BCW60B
BCW60D
BCW60A
BCW60B
BCW60D
BCW60A
BCW60B
BCW60D
的hFE
BCW60A
BCW60B
BCW60D
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
0.7
0.6
VBE （ON）的
0.6
0.75
1.05
0.85
VDC
0.55
0.35
VDC
125
175
350
250
350
700
VDC
20
30
100
120
175
380
60
70
100
—
—
—
220
310
630
—
—
—
—
—
（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
AC电流增益
（ VCE = 5.0伏， IC = 2.0 MADC ， F = 1.0千赫）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 50 MADC ， IB = 1.25 MADC ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0.25 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 50 MADC ， IB = 1.25 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 0.25 MADC ）
基地 - 发射极电压上
（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCE = 10 VDC ， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ VCE = 5.0伏， IC = 0.2 MADC ， RS = 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
fT
125
科博
—
NF
—
6.0
4.5
dB
—
pF
兆赫
开关特性
开启时间
（ IC = 10 MADC ， IB1 = 1.0 MADC ）
关断时间
（ IB2 = 1.0 MADC ， VBB = 3.6伏，R 1 = R 2 = 5.0千欧，RL = 990
)
吨
—
花花公子
—
800
150
ns
ns
等效开关时间测试电路
+ 3.0 V
300纳秒
占空比= 2 ％
– 0.5 V
<1.0 NS
+10.9 V
10 k
0
CS < 4.0 pF的*
– 9.1 V
＆ LT ; 1.0纳秒
1N916
CS < 4.0 pF的*
275
+ 3.0 V
t1
+10.9 V
10 k
275
10 < T1 < 500
s
占空比= 2 ％
测试夹具和连接器的*总并联电容
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BCW60ALT1 BCW60BLT1 BCW60DLT1
典型噪声特性
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
20
IC = 1.0毫安
恩，噪声电压（NV ）
300
A
带宽= 1.0赫兹
RS = 0
中，噪声电流（PA ）
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
2.0
10
20
50
100 200
500 1 k
男，频率（Hz ）
2k
5k
10 k
0.1
10
20
50
100 200
500 1 k
男，频率（Hz ）
2k
5k
10 k
30
A
10
A
IC = 1.0毫安
300
A
100
A
带宽= 1.0赫兹
RS
≈ ∞
10
7.0
5.0
10
A
3.0
100
A
30
A
图3.噪声电压
图4.噪声电流
噪声系数等值线
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
500 k
RS ，源电阻（欧姆）
RS ，源电阻（欧姆）
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
100
50
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
500 700
1k
带宽= 1.0赫兹
1M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
带宽= 1.0赫兹
2.0分贝
3.0分贝4.0分贝
6.0分贝
10分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
8.0分贝
500 700
1k
图5.窄带， 100赫兹
图6.窄带， 1.0千赫
500 k
RS ，源电阻（欧姆）
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
100
50
10
20
30
50 70 100
10 Hz至15.7千赫
噪声系数的定义是：
NF
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
8.0分贝
200 300
500 700
1k
+
20 LOG10
en2
)
4KTRS
)
在2RS2 1 2
4KTRS
晶体管的EN =噪声电压折合到输入端。 （图3）
在=噪声晶体管的电流折合到输入端。 （图4）
K =波尔兹曼常数（ 1.38× 10-23焦耳/ ° K）的
源电阻的T =温度（° K）
RS =信号源阻抗（欧姆）
IC ，集电极电流（ μA ）
图7.宽带
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BCW60ALT1 BCW60BLT1 BCW60DLT1
典型静态特性
400
TJ = 125°C
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
– 55°C
100
80
60
40
0.004 0.006 0.01
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
IC ，集电极电流（毫安）
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
TJ = 25°C
IC ，集电极电流（毫安）
0.8
IC = 1.0毫安
10毫安
50毫安
百毫安
100
TA = 25°C
脉冲宽度= 300
s
80占空比
≤
2.0%
IB = 500
A
400
A
300
A
0.6
60
200
A
40
100
A
20
0.4
0.2
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
IB ，基极电流（毫安）
0
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图9.集电极饱和区
图10.收集特性
TJ = 25°C
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 1.0 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.1
0.2
2.0
5.0
10
20
0.5 1.0
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
0.8
*适用于IC / IB
≤
hFE/2
25 ° C至125°C
0
*
q
VC的VCE （SAT）
- 55 ° C至25°C时
– 0.8
25 ° C至125°C
– 1.6
q
VB的VBE
– 2.4
0.1
0.2
- 55 ° C至25°C时
50
100
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
IC ，集电极电流（毫安）
图11. “开”电压
图12.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BCW60ALT1 BCW60BLT1 BCW60DLT1
典型的动态特性
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
1.0
2.0
TD @ VBE （关闭） = 0.5伏
tr
1000
VCC = 3.0 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
700
500
300
200
T， TIME （ NS ）
100
70
50
30
20
10
1.0
tf
ts
T， TIME （ NS ）
VCC = 3.0 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
2.0
3.0
20 30
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（毫安）
50
70 100
20 30
5.0 7.0 10
3.0
IC ，集电极电流（毫安）
50 70
100
图13.开启时间
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图14.开启，关闭时间
500
TJ = 25°C
F = 100 MHz的
300
200
5.0 V
C，电容（pF ）
VCE = 20 V
10
7.0
5.0
兴业银行
COB
3.0
2.0
TJ = 25°C
F = 1.0 MHz的
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
图15.电流增益 - 带宽积
图16.电容
20
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
缺氧缺血性脑病，输入阻抗（K
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
20
1.0 2.0
5.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
的hFE
≈
200 @ IC = 1.0毫安
VCE = 10 VDC
F = 1.0千赫
TA = 25°C
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1
0.2
0.5
20
1.0 2.0
5.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
VCE = 10 VDC
F = 1.0千赫
TA = 25°C
的hFE
≈
200 @ IC = 1.0毫安
图17.输入阻抗
图18.输出导纳
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
QQ：2881677436 复制
