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我们所有的客户
关于文件中提到的名字,如三菱的变化
电气和三菱XX ,瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机,逻辑,模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM (闪速存储器,静态存储器等)等
因此,虽然三菱电机,三菱电机株式会社,三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中,这些名称
已在事实上,所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标,标识和公司声明,没有改变任何已经
到文档中的内容作出,而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注:三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
请参见第6页,以保证产品
最高结温150℃
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
BCR10CS
外形绘图
尺寸
单位:mm
4
1.5 MAX
10.5 MAX
4.5
1.3
1.5 MAX
8.6±0.3
9.8±0.5
TYPE
名字
3.0
–0.5
+0.3
0
–0
+0.3
电压
1
5
0.8
0.5
1 2 3
24
2.6±0.4
4.5
测量
点的情况下,
温度
I
T( RMS )
...................................................................... 10A
V
DRM
....................................................................... 600V
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
............................................ 20毫安
1
1
2
3 3
4
T
1
终奌站
T
2
终奌站
栅极端子
T
2
终奌站
TO-220S
应用
非接触式的交流开关,光德雷默,电闪光单元,
家用设备的控制,如电视机·音响·冰箱·洗衣机·
红外线被炉·地毯·电风扇,电磁驱动器,小型马达控制器,
复印机,电动工具,其它通用控制应用
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
½1
非重复峰值断态
电压
½1
电压等级
12
600
720
单位
V
V
符号
I
T( RMS )
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G( AV )
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率的正弦波全波360度通电,
60Hz的正弦波1完整周期,峰值,非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值,浪涌通态
当前
T
c
=103°C
½3
评级
10
100
41.6
5
0.5
10
2
–40 ~ +125
–40 ~ +125
1.2
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
g
½1.
门敞开着。
2002年3月
(1.5)
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
请参见第6页,以保证产品
最高结温150℃
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
电气特性
范围
符号
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
V
GD
R
日(J -C )
( dv / dt的)
c
门非触发电压
热阻
临界速率的断态崛起
整流电压
½5
参数
重复峰值断态电流
通态电压
!
门极触发电压
½2
@
#
!
门极触发
当前
½2
@
#
T
j
= 125°C ,V
D
=1/2V
DRM
结到
T
j
=125°C
½3 ½4
测试条件
T
j
= 125°C ,V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C,I
TM
= 15A ,瞬时测量
分钟。
典型值。
马克斯。
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
20
20
20
1.8
单位
mA
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
°C/
W
V / μs的
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
=6, R
G
=330
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
=6, R
G
=330
0.2
10
½2.
测量使用的门极触发特性测量电路。
½3.
情况下测量温度的T2终端1.5毫米远离模制外壳。
½4.
接触热阻R
TH( C-F )
在润滑的情况下为1.0 ° C / W 。
½5.
的临界速率断态换向电压的上升的试验条件列于下表中。
测试条件
整流电压和电流波形
(感性负载)
供应
电压
主流
电压
( dv / dt的)C
( di / dt的)C
时间
时间
V
D
1.结温
T
j
=125°C
通态电流换向的衰减率2。
( di / dt的)
c
=–5.0A/ms
3.峰值断态电压
V
D
=400V
时间
性能曲线
最大通态特性
额定浪涌通态电流
100
浪涌通态电流(A)
通态电流(A )
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
10
–1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压(V )
导通时间
(周期为60Hz )
2002年3月
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
请参见第6页,以保证产品
最高结温150℃
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
GATE特性
(Ι,
ΙΙ
ΙΙΙ)
100 (%)
门极触发电流VS.
结温
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
典型的例子
栅极电压( V)
门极触发电流(T
j
= T ° C)
门极触发电流(T
j
= 25°C)
10
2
7
5
3
2
V
GM
= 10V
10
1
P
GM
= 5W
P
G( AV )
=
7
5
0.5W
3 V
GT
= 1.5V
2
I
GM
= 2A
10
0
7
5
3
2
I
RGT我
I
FGT我,
I
RGT III
V
GD
= 0.2V
10
–1
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
10
栅极电流(毫安)
I
RGT我,
I
RGT III
I
FGT我
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
门极触发电压Vs
结温
100 (%)
最大瞬态热
阻抗特性
(结点到外壳)
10
2
2 3 5 7 10
3
2
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
(周期为60Hz )
瞬态热阻抗( ℃/ W)
门极触发电压(T
j
= T ° C)
门极触发电压(T
j
= 25°C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
典型的例子
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
最大导通功率
耗散
通态功耗( W)
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
160
外壳温度( ° C)
32
28
24 360°
传导
20电阻式,
电感
16荷载
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
140
120
100
80
60
40
20
0
0
曲线适用于基于何种
导通角
360°
传导
电阻式,
电感
负载
2
4
6
8
10
12
14
16
RMS通态电流(A )
RMS通态电流(A )
2002年3月
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
请参见第6页,以保证产品
最高结温150℃
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
环境温度( ℃)
80
60
电阻式,
40 INDUCTIVE
负载
20理学
对流
0
0
2
4
6
环境温度( ℃)
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
各鳍有铜
与铝合金
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
120 120 t2.3
100
100 100 t2.3
60 60 t2.3
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
自然对流
NO FINS
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
阻性,感性负荷
100
80
60
40
20
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
RMS通态电流(A )
8
10
12
14
16
RMS通态电流(A )
100 (%)
重复峰值断态
当前VS. JUNCTION
温度
10
5
7典型的例子
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
保持电流VS.
结温
100 (%)
重复峰值断态电流(T
j
= T ° C)
重复峰值断态电流(T
j
= 25°C)
典型的例子
维持电流(T
j
= T ° C)
维持电流(T
j
= 25°C)
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
LACHING电流VS.
结温
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
–40
转折电压VS.
结温
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
2002年3月
LACHING电流(mA)
+
T
2
, G
+
典型
½
T
2
, G
例子
0
40
80
120
160
结温( ° C)
击穿电压(T
j
= T ° C)
击穿电压(T
j
= 25°C)
+
分布牛逼
2
, G
典型
例子
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
BCR10CS
外形绘图
尺寸
单位:mm
4
1.5 MAX
10.5 MAX
4.5
1.3
1.5 MAX
8.6±0.3
9.8±0.5
TYPE
名字
3.0
–0.5
+0.3
0
–0
+0.3
电压
1
5
0.8
0.5
1 2 3
24
2.6±0.4
4.5
测量
点的情况下,
温度
I
T( RMS )
...................................................................... 10A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
......................... 30毫安( 20mA)的
V5
应用
固态继电器,混合IC
1
1
2
3 3
4
T
1
终奌站
T
2
终奌站
栅极端子
T
2
终奌站
TO-220S
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
V1
非重复峰值断态
电压
V1
电压等级
8
400
500
12
600
720
单位
V
V
符号
I
T( RMS )
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G( AV )
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率的正弦波全波360度通电,T
c
=103°C
60Hz的正弦波1完整周期,峰值,非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值,浪涌通态
当前
评级
10
100
41.6
5
0.5
10
2
–40 ~ +125
–40 ~ +125
1.2
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
g
V1.
门敞开着。
Feb.1999
(1.5)
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
电气特性
符号
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
V
GD
R
日(J -C )
( dv / dt的)
c
门非触发电压
热阻
临界速率的断态崛起
整流电压
门极触发
当前
V2
门极触发电压
V2
参数
重复峰值断态电流
通态电压
!
@
#
!
@
#
T
j
= 125°C ,V
D
=1/2V
DRM
结到
V4
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
=6, R
G
=330
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
=6, R
G
=330
测试条件
T
j
= 125°C ,V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C,I
TM
= 15A ,瞬时测量
范围
分钟。
0.2
V3
典型值。
马克斯。
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
30
V5
30
V5
30
V5
1.8
单位
mA
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
°C/
W
V / μs的
V2.
测量使用的门极触发特性测量电路。
V3.
临界速率的关断状态的换向电压的上升示于下表中。
V4.
接触热阻R
TH( C-F )
在润滑的情况下为1.0 ° C / W 。
V5.
高灵敏度(我
GT
≤20mA)
也可用。 (我
GT
1)
( dv / dt的)
c
符号
R
8
400
L
10
V / μs的
R
12
600
L
10
分钟。
1.结温
T
j
=125°C
对国家衰败2.率commutat-
目前ING
( di / dt的)
c
=–5A/ms
3.峰值断态电压
V
D
=400V
单位
测试条件
电压
V
DRM
(V)
整流电压和电流波形
(感性负载)
供应
电压
主流
电压
( dv / dt的)C
( di / dt的)C
时间
时间
时间
V
D
性能曲线
最大通态特性
浪涌通态电流(A)
额定浪涌通态电流
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流(A )
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
10
–1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压(V )
导通时间
(周期为60Hz )
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
GATE特性
门极触发电流VS.
结温
100 (%)
栅极电压( V)
门极触发电流(T
j
= T ° C)
门极触发电流(T
j
= 25°C)
10
2
7
5
3
2
V
GM
= 10V
10
1
P
GM
= 5W
P
G( AV )
=
7
5
0.5W
3 V
GT
= 1.5V
2
I
GM
= 2A
10
0
7
5
3
2
I
RGT我
I
FGT我,
I
RGT III
V
GD
= 0.2V
10
–1
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
10
栅极电流(毫安)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
典型的例子
I
RGT我,
I
RGT III
I
FGT我
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
最大瞬态热
阻抗特性
(结点到外壳)
10
2
2 3 5 7 10
3
2
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
(周期为60Hz )
门极触发电压Vs
结温
100 (%)
门极触发电压(T
j
= T ° C)
门极触发电压(T
j
= 25°C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
典型的例子
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
最大导通功率
耗散
瞬态热阻抗( ℃/ W)
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
160
曲线适用于基于何种
导通角
通态功耗( W)
32
24 360°
传导
20电阻式,
电感
16荷载
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
外壳温度( ° C)
28
140
120
100
80
60
360°
40传导
电阻式,
20 INDUCTIVE
负载
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
RMS通态电流(A )
RMS通态电流(A )
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
环境温度( ℃)
80
60
电阻式,
40 INDUCTIVE
负载
20理学
对流
0
0
2
4
6
环境温度( ℃)
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
各鳍有铜
与铝合金
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
120 120 t2.3
100
100 100 t2.3
60 60 t2.3
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
自然对流
NO FINS
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
阻性,感性负荷
100
80
60
40
20
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
RMS通态电流(A )
8
10
12
14
16
RMS通态电流(A )
100 (%)
重复峰值断态
当前VS. JUNCTION
温度
10
5
7典型的例子
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
保持电流VS.
结温
100 (%)
重复峰值断态电流(T
j
= T ° C)
重复峰值断态电流(T
j
= 25°C)
典型的例子
维持电流(T
j
= T ° C)
维持电流(T
j
= 25°C)
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
LACHING电流VS.
结温
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
转折电压VS.
结温
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
LACHING电流(mA)
分配
10
0
–40
+
T
2
, G
+
典型
½
T
2
, G
例子
0
40
80
120
160
结温( ° C)
击穿电压(T
j
= T ° C)
击穿电压(T
j
= 25°C)
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
+
T
2
, G
典型
例子
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
100 (%)
160
140
崛起的断态临界速率
换向电压( V / μs)内
转折电压VS.
增长速度的
断态电压
典型的例子
T
j
= 125°C
换相特性
3典型
2例
10
2
T
j
= 125°C
7 I
T
= 4A
5
τ
= 500s
3 V
D
= 200V
2 F = 3HZ
电压波形
t
( dv / dt的)
C
V
D
电流波形
( di / dt的)
C
I
T
击穿电压( dv / dt的= XV /μs的)
击穿电压( dv / dt的= 1V /μs的)
120
100
80
60
40
20
#1
我象限
#2
第三象限
τ
t
0
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
增长速度OFF态电压(V /μs的)
10
1
我象限
7
5
3最低
2字符
第三象限
10
0
开创性意义
7价值
5
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
通态衰变率
换向电流( A / MS )
门极触发电流VS.
栅电流脉冲宽度
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1 0
10
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
100 (%)
门极触发特性测试电路
6
6
典型的例子
I
FGT我
I
RGT我
I
RGT III
门极触发电流( TW )
门极触发电流( DC )
6V
V
A
R
G
6V
V
A
R
G
测试程序
1
6
测试程序
2
6V
V
A
R
G
栅电流脉冲宽度(微秒)
测试程序
3
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
BCR10CS
外形绘图
尺寸
单位:mm
4
1.5 MAX
10.5 MAX
4.5
1.3
1.5 MAX
8.6±0.3
9.8±0.5
TYPE
名字
3.0
–0.5
+0.3
0
–0
+0.3
电压
1
5
0.8
0.5
1 2 3
24
2.6±0.4
4.5
测量
点的情况下,
温度
I
T( RMS )
...................................................................... 10A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
......................... 30毫安( 20mA)的
V5
应用
固态继电器,混合IC
1
1
2
3 3
4
T
1
终奌站
T
2
终奌站
栅极端子
T
2
终奌站
TO-220S
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
V1
非重复峰值断态
电压
V1
电压等级
8
400
500
12
600
720
单位
V
V
符号
I
T( RMS )
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G( AV )
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率的正弦波全波360度通电,T
c
=103°C
60Hz的正弦波1完整周期,峰值,非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值,浪涌通态
当前
评级
10
100
41.6
5
0.5
10
2
–40 ~ +125
–40 ~ +125
1.2
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
g
V1.
门敞开着。
Feb.1999
(1.5)
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
电气特性
符号
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
V
GD
R
日(J -C )
( dv / dt的)
c
门非触发电压
热阻
临界速率的断态崛起
整流电压
门极触发
当前
V2
门极触发电压
V2
参数
重复峰值断态电流
通态电压
!
@
#
!
@
#
T
j
= 125°C ,V
D
=1/2V
DRM
结到
V4
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
=6, R
G
=330
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
=6, R
G
=330
测试条件
T
j
= 125°C ,V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C,I
TM
= 15A ,瞬时测量
范围
分钟。
0.2
V3
典型值。
马克斯。
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
30
V5
30
V5
30
V5
1.8
单位
mA
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
°C/
W
V / μs的
V2.
测量使用的门极触发特性测量电路。
V3.
临界速率的关断状态的换向电压的上升示于下表中。
V4.
接触热阻R
TH( C-F )
在润滑的情况下为1.0 ° C / W 。
V5.
高灵敏度(我
GT
≤20mA)
也可用。 (我
GT
1)
( dv / dt的)
c
符号
R
8
400
L
10
V / μs的
R
12
600
L
10
分钟。
1.结温
T
j
=125°C
对国家衰败2.率commutat-
目前ING
( di / dt的)
c
=–5A/ms
3.峰值断态电压
V
D
=400V
单位
测试条件
电压
V
DRM
(V)
整流电压和电流波形
(感性负载)
供应
电压
主流
电压
( dv / dt的)C
( di / dt的)C
时间
时间
时间
V
D
性能曲线
最大通态特性
浪涌通态电流(A)
额定浪涌通态电流
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流(A )
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
10
–1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压(V )
导通时间
(周期为60Hz )
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
GATE特性
门极触发电流VS.
结温
100 (%)
栅极电压( V)
门极触发电流(T
j
= T ° C)
门极触发电流(T
j
= 25°C)
10
2
7
5
3
2
V
GM
= 10V
10
1
P
GM
= 5W
P
G( AV )
=
7
5
0.5W
3 V
GT
= 1.5V
2
I
GM
= 2A
10
0
7
5
3
2
I
RGT我
I
FGT我,
I
RGT III
V
GD
= 0.2V
10
–1
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
10
栅极电流(毫安)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
典型的例子
I
RGT我,
I
RGT III
I
FGT我
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
最大瞬态热
阻抗特性
(结点到外壳)
10
2
2 3 5 7 10
3
2
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
(周期为60Hz )
门极触发电压Vs
结温
100 (%)
门极触发电压(T
j
= T ° C)
门极触发电压(T
j
= 25°C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
典型的例子
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
最大导通功率
耗散
瞬态热阻抗( ℃/ W)
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
160
曲线适用于基于何种
导通角
通态功耗( W)
32
24 360°
传导
20电阻式,
电感
16荷载
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
外壳温度( ° C)
28
140
120
100
80
60
360°
40传导
电阻式,
20 INDUCTIVE
负载
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
RMS通态电流(A )
RMS通态电流(A )
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
环境温度( ℃)
80
60
电阻式,
40 INDUCTIVE
负载
20理学
对流
0
0
2
4
6
环境温度( ℃)
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
各鳍有铜
与铝合金
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
120 120 t2.3
100
100 100 t2.3
60 60 t2.3
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
自然对流
NO FINS
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
阻性,感性负荷
100
80
60
40
20
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
RMS通态电流(A )
8
10
12
14
16
RMS通态电流(A )
100 (%)
重复峰值断态
当前VS. JUNCTION
温度
10
5
7典型的例子
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
保持电流VS.
结温
100 (%)
重复峰值断态电流(T
j
= T ° C)
重复峰值断态电流(T
j
= 25°C)
典型的例子
维持电流(T
j
= T ° C)
维持电流(T
j
= 25°C)
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
LACHING电流VS.
结温
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
转折电压VS.
结温
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
LACHING电流(mA)
分配
10
0
–40
+
T
2
, G
+
典型
½
T
2
, G
例子
0
40
80
120
160
结温( ° C)
击穿电压(T
j
= T ° C)
击穿电压(T
j
= 25°C)
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
+
T
2
, G
典型
例子
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR10CS
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
100 (%)
160
140
崛起的断态临界速率
换向电压( V / μs)内
转折电压VS.
增长速度的
断态电压
典型的例子
T
j
= 125°C
换相特性
3典型
2例
10
2
T
j
= 125°C
7 I
T
= 4A
5
τ
= 500s
3 V
D
= 200V
2 F = 3HZ
电压波形
t
( dv / dt的)
C
V
D
电流波形
( di / dt的)
C
I
T
击穿电压( dv / dt的= XV /μs的)
击穿电压( dv / dt的= 1V /μs的)
120
100
80
60
40
20
#1
我象限
#2
第三象限
τ
t
0
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
增长速度OFF态电压(V /μs的)
10
1
我象限
7
5
3最低
2字符
第三象限
10
0
开创性意义
7价值
5
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
通态衰变率
换向电流( A / MS )
门极触发电流VS.
栅电流脉冲宽度
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1 0
10
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
100 (%)
门极触发特性测试电路
6
6
典型的例子
I
FGT我
I
RGT我
I
RGT III
门极触发电流( TW )
门极触发电流( DC )
6V
V
A
R
G
6V
V
A
R
G
测试程序
1
6
测试程序
2
6V
V
A
R
G
栅电流脉冲宽度(微秒)
测试程序
3
Feb.1999
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