BCW33LT1G
通用晶体管
NPN硅
特点
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
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集热器
3
1
BASE
2
辐射源
3
1
2
最大额定值
等级
集热器
发射极电压
集热器
基极电压
辐射源
基极电压
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
32
32
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（注2 ） ，
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
SOT23
(TO236AB)
CASE 318
类型6
标记图
D3 M
G
G
D3
=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
BCW33LT1G
BCW33LT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第4版
1
出版订单号：
BCW33LT1/D
BCW33LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 2.0 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
B
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 32 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 32 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0.5 MADC ）
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 0.2 MADC ，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
C
敖包
NF
4.0
10
pF
dB
的hFE
420
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.55
800
VDC
0.25
VDC
0.70
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
32
32
5.0
VDC
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
100
10
NADC
MADC
等效开关时间测试电路
+ 3.0 V
300纳秒
占空比= 2 ％
+10.9 V
10 k
275
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
0
+ 3.0 V
t
1
+10.9 V
10 k
275
- 0.5 V
<1.0 NS
C
S
< 4.0 pF的*
- 9.1 V
＆ LT ; 1.0纳秒
1N916
C
S
< 4.0 pF的*
测试夹具和连接器的*总并联电容
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
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2
BCW33LT1G
典型静态特性
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
BCW33LT1
T
J
= 25°C
100
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
50毫安
T
A
= 25°C
脉冲宽度= 300
ms
80占空比
≤
2.0%
I
B
= 500
mA
400
mA
300
mA
0.6
百毫安
60
200
mA
40
100
mA
20
0.4
0.2
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
0
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图8.集电极饱和区
图9.集电极特性
T
J
= 25°C
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
0.8
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/2
25 ° C至125°C
0
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
- 55 ° C至25°C时
- 0.8
25 ° C至125°C
- 1.6
q
VB
对于V
BE
- 2.4
0.1
0.2
- 55 ° C至25°C时
50
100
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
图10. “开”电压
图11.温度系数
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
1.0
2.0
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 VDC
t
r
1000
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
700
500
300
200
T， TIME （ NS ）
100
70
50
30
20
10
1.0
t
f
t
s
T， TIME （ NS ）
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
2.0
3.0
20 30
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70 100
20 30
3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
50 70
100
图12.开启时间
图13.开启，关闭时间
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4
BCW33LT1G
典型的动态特性
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
500
T
J
= 25°C
F = 100 MHz的
300
200
5.0 V
C，电容（pF ）
V
CE
= 20 V
5.0
10
7.0
C
ib
T
J
= 25°C
F = 1.0 MHz的
C
ob
3.0
2.0
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图14.电流增益 - 带宽积
R（T ），瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.1
0.05
P
（ PK）
0.02
0.01
t
1
单脉冲
图15.电容
D = 0.5
0.2
图19A
占空比D = T
1
/t
2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
（见AN- 569 ）
Z
qJA （T ）
= R （t）的
w
R
qJA
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
Z
qJA （T ）
t
2
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100 200
0.01
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k
图16.热响应
10
4
V
CC
= 30 V直流
IC ，集电极电流（ NA）
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
I
CBO
和
I
CEX
@ V
BE （OFF）的
= 3.0伏
I
首席执行官
设计说明：使用热响应数据
周期性功率脉冲的列车可以通过模型来表示
如图16A 。使用该模型和该设备的热
响应的归一化有效瞬态热阻
图16是计算不同的占空比。
找
qJA （T ）
，乘以由从图16中得到的值
稳态值R
qJA
.
例如：
该MPS3904正在消退以下下2.0瓦特高峰
条件：
t
1
= 1.0毫秒，T
2
= 5.0毫秒。 （D = 0.2）
使用图16以1.0毫秒的脉冲宽度和D = 0.2，的读出
R（T ）为0.22 。
因此，峰值上升，结温
DT
= R（T ）× P
（ PK）
个R
qJA
= 0.22 ×2.0 ×200 = 88 ℃。
欲了解更多信息，请参阅AN- 569 。
-4
0
-2
0
0
+ 20 + 40 + 60 + 80 + 100 + 120 + 140 + 160
T
J
，结温（ ° C）
图16A 。
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5
QQ：2880707522 复制
