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分立半导体
数据表
halfpage
M3D087
BAT160系列
肖特基势垒二极管双
产品speci fi cation
取代1999年的数据03月26日
1999年09月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管双
特点
低开关损耗
吸收非常高的能力
浪涌电流
快速恢复时间
保护环
塑料SMD封装。
应用
低功率开关电源
耗材
整流器阳离子
极性保护。
描述
平面肖特基势垒二极管双
封装在一个SOT223塑料
SMD封装。
1
2
3
MSB002 - 1
BAT160系列
钉扎
BAT160
针
A
1
2
3
4
k
1
北卡罗来纳州
k
2
a
1
, a
2
C
a
1
北卡罗来纳州
a
2
k
1
, k
2
S
a
1
北卡罗来纳州
k
2
k
1
, a
2
Fig.2
BAT160A二极管
配置（符号）。
页面
4
1
3
2北卡罗来纳州
MGL171
AGE
4
页面
4
1
3
2北卡罗来纳州
MGL172
Fig.3
顶视图
BAT160C二极管
配置（符号）。
记号
类型编号
BAT160A
BAT160C
BAT160S
记号
CODE
AT160A
AT160C
AT160S
页面
4
1
2北卡罗来纳州
3
Fig.1
简化的轮廓
（ SOT223 ）和引脚
配置。
MGL173
Fig.4
BAT160S二极管
配置（符号）。
1999年09月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管双
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FSM
I
RSM
T
英镑
T
j
连续反向电压
连续正向电流
非重复峰值正向电流
非重复性峰值反向电流
储存温度
结温
t
p
= 8.3毫秒;半正弦波;
JEDEC的方法
t
p
= 100
s
参数
条件
BAT160系列
分钟。
马克斯。
单位
60
1
10
0.5
+150
150
V
A
A
A
°C
°C
65
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
见图5
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 2 A
I
R
反向电流
V
R
= 60 V ;注意1 ;见图6
V
R
= 60 V ;牛逼
j
= 100
°C;
注意1 ;
见图6
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOT223标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
100
单位
K / W
二极管电容
F = 1兆赫; V
R
= 4 V ;参见图7
400
650
850
350
8
60
mV
mV
mV
A
mA
pF
参数
条件
马克斯。
单位
1999年09月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管双
图形数据
BAT160系列
10
4
手册， halfpage
IF
（MA ）
10
3
MCD784
10
5
手册， halfpage
IR
(A)
10
4
(1)
MCD768
10
3
(2)
(3)
10
2
(2)
10
2
10
(3)
(4)
(4)
10
(1)
1
10
1
0
0.2
0.4
0.6
VF （ V）
0.8
0
20
40
VR （ V）
60
1
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 100
°C.
(3) T
AMB
= 75
°C.
(4) T
AMB
= 25
°C.
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 100
°C.
(3) T
AMB
= 75
°C.
(4) T
AMB
= 25
°C.
Fig.5
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.6
反向电流反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
10
3
MCD766
Cd
（PF ）
10
2
10
0
20
40
VR （ V）
60
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.7
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1999年09月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管双
包装外形
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 4引线
BAT160系列
SOT223
D
B
E
A
X
c
y
H
E
b
1
v
M
A
4
Q
A
A
1
1
e
1
e
2
b
p
3
w
M
B
细节X
L
p
0
2
规模
4 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.8
1.5
A
1
0.10
0.01
b
p
0.80
0.60
b
1
3.1
2.9
c
0.32
0.22
D
6.7
6.3
E
3.7
3.3
e
4.6
e
1
2.3
H
E
7.3
6.7
L
p
1.1
0.7
Q
0.95
0.85
v
0.2
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT223
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-73
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
99-09-13
1999年09月20日
5
分立半导体
数据表
K， halfpage
M3D087
BAT160系列
肖特基势垒二极管双
产品数据表
取代1999年的数据03月26日
1999年09月20日
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒二极管双
特点
低开关损耗
吸收非常高的能力
浪涌电流
快速恢复时间
保护环
塑料SMD封装。
应用
低功率开关电源
耗材
整流器阳离子
极性保护。
描述
平面肖特基势垒二极管双
封装在一个SOT223塑料
SMD封装。
1
2
3
MSB002 - 1
BAT160系列
钉扎
BAT160
针
A
1
2
3
4
k
1
北卡罗来纳州
k
2
a
1
, a
2
C
a
1
北卡罗来纳州
a
2
k
1
, k
2
S
a
1
北卡罗来纳州
k
2
k
1
, a
2
Fig.2
2北卡罗来纳州
MGL171
4
1
3
BAT160A二极管
配置（符号）。
页面
4
4
1
3
2北卡罗来纳州
MGL172
Fig.3
顶视图
BAT160C二极管
配置（符号）。
记号
类型编号
BAT160A
BAT160C
BAT160S
记号
CODE
AT160A
AT160C
AT160S
4
Fig.1
简化的轮廓
（ SOT223 ）和引脚
配置。
1
2北卡罗来纳州
3
MGL173
Fig.4
BAT160S二极管
配置（符号）。
1999年09月20日
2
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒二极管双
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FSM
I
RSM
T
英镑
T
j
连续反向电压
连续正向电流
非重复峰值正向电流
非重复性峰值反向电流
储存温度
结温
t
p
= 8.3毫秒;半正弦波;
JEDEC的方法
t
p
= 100
μs
参数
条件
BAT160系列
分钟。
马克斯。
单位
60
1
10
0.5
+150
150
V
A
A
A
°C
°C
65
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
见图5
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 2 A
I
R
反向电流
V
R
= 60 V ;注意1 ;见图6
V
R
= 60 V ;牛逼
j
= 100
°C;
注意1 ;
见图6
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
μs; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOT223标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
100
单位
K / W
二极管电容
F = 1兆赫; V
R
= 4 V ;参见图7
400
650
850
350
8
60
mV
mV
mV
μA
mA
pF
参数
条件
马克斯。
单位
1999年09月20日
3
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒二极管双
图形数据
BAT160系列
10
4
手册， halfpage
IF
（MA ）
10
3
MCD784
10
5
手册， halfpage
IR
(μA)
10
4
MCD768
(1)
10
3
(2)
(3)
10
2
(2)
10
2
10
(3)
(4)
(4)
10
(1)
1
10
1
0
0.2
0.4
0.6
VF （ V）
0.8
0
20
40
VR （ V）
60
1
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 100
°C.
(3) T
AMB
= 75
°C.
(4) T
AMB
= 25
°C.
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 100
°C.
(3) T
AMB
= 75
°C.
(4) T
AMB
= 25
°C.
Fig.5
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.6
反向电流反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
10
3
MCD766
Cd
（PF ）
10
2
10
0
20
40
VR （ V）
60
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.7
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1999年09月20日
4
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒二极管双
包装外形
BAT160系列
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 4引线
SOT223
D
B
E
A
X
c
y
H
E
b
1
v
M
A
4
Q
A
A
1
1
e
1
e
2
b
p
3
w
M
B
细节X
L
p
0
2
规模
4 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.8
1.5
A
1
0.10
0.01
b
p
0.80
0.60
b
1
3.1
2.9
c
0.32
0.22
D
6.7
6.3
E
3.7
3.3
e
4.6
e
1
2.3
H
E
7.3
6.7
L
p
1.1
0.7
Q
0.95
0.85
v
0.2
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT223
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-73
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
99-09-13
1999年09月20日
5
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BZY97-C62
BTS432D2E3043
B41112A5107M000
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B32912B3334M
B1079AS-151M
BCW33LT3G
B3635
B37871R5220K041
BD3501FVM
BZT52-B18S
BZT52B18S
B82503U0000E003
BNC-LR-PC-3
BSA223SP
B25DA120KL
B32360A3506J030
B37937K9K060
BA4560F-E2
BA6418N
供货商
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厂家
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封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAT160C
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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电话：0755-83258002
联系人：林
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
BAT160C
NXP?
2014+
9000
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联系人：江先生
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BAT160C
NXP?
2014+
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联系人：蔡小姐
地址：新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
BAT160C
NXP?
2014+
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BAT160C
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地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
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电话：0755-83798683
联系人：许先生
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BAT160C
NXP/恩智浦
23+
6000
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深圳市毅创腾电子科技有限公司
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电话：755-83210909 / 83616256
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电话：0755-23306107
联系人：业务员
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