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三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR12CM
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
BCR12CM
外形绘图
10.5 MAX
3.2±0.2
尺寸
单位:mm
4.5
4
1.3
16 MAX
12.5 MIN
3.8最大
TYPE
名字
电压
1.0
0.8
2.5
2.5
4.5
7.0
φ3.6±0.2
0.5
2.6
123
24
1
2
33
4
测量点
外壳温度
I
T( RMS )
...................................................................... 12A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
......................... 30毫安( 20mA)的
V5
1
T
1
终奌站
T
2
终奌站
栅极端子
T
2
终奌站
TO-220
应用
非接触式的交流开关,光德雷默,电闪光单元,
家用设备的控制,如电视机·音响·冰箱·洗衣机·
红外线被炉·地毯·电风扇,电磁驱动器,小型马达控制器,
复印机,电动工具,其它通用控制应用
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
V1
非重复峰值断态
电压
V1
电压等级
8
400
500
12
600
720
单位
V
V
符号
I
T( RMS )
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G( AV )
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率的正弦波全波360度通电,T
c
=98°C
60Hz的正弦波1完整周期,峰值,非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值,浪涌通态
当前
评级
12
120
60
5
0.5
10
2
–40 ~ +125
–40 ~ +125
2.0
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
g
V1.
门敞开着。
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR12CM
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
电气特性
符号
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
V
GD
R
日(J -C )
( dv / dt的)
c
门非触发电压
热阻
临界速率的断态崛起
整流电压
门极触发
当前
V2
门极触发电压
V2
参数
重复峰值断态电流
通态电压
!
@
#
!
@
#
T
j
= 125°C ,V
D
=1/2V
DRM
结到
V4
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
=6, R
G
=330
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
=6, R
G
=330
测试条件
T
j
= 125°C ,V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C,I
TM
= 20A ,瞬时测量
范围
分钟。
0.2
V3
典型值。
马克斯。
2.0
1.6
1.5
1.5
1.5
30
V5
30
V5
30
V5
1.8
单位
mA
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
°C/
W
V / μs的
V2.
测量使用的门极触发特性测量电路。
V3.
临界速率的关断状态的换向电压的上升示于下表中。
V4.
接触热阻R
TH( C-F )
在润滑的情况下为1.0 ° C / W 。
V5.
高灵敏度(我
GT
≤20mA)
也可用。 (我
GT
1)
( dv / dt的)
c
符号
R
8
400
L
10
V / μs的
R
12
600
L
10
分钟。
1.结温
T
j
=125°C
对国家衰败2.率commutat-
目前ING
( di / dt的)
c
=–6A/ms
3.峰值断态电压
V
D
=400V
单位
测试条件
电压
V
DRM
(V)
整流电压和电流波形
(感性负载)
供应
电压
主流
电压
( dv / dt的)C
( di / dt的)C
时间
时间
时间
V
D
性能曲线
最大通态特性
额定浪涌通态电流
200
浪涌通态电流(A)
通态电流(A )
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
10
–1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压(V )
导通时间
(周期为60Hz )
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR12CM
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
GATE特性
100 (%)
10
2
7
5
3
2 V
GM
= 10V
10
1
7
5
3
2
P
GM
= 5W
P
G( AV )
=
0.5W
V
GT
= 1.5V
I
GM
= 2A
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
门极触发电流VS.
结温
典型的例子
栅极电压( V)
门极触发电流(T
j
= T ° C)
门极触发电流(T
j
= 25°C)
I
RGT我,
I
RGT III
I
FGT我
10
0
7
5
3
2
V
GD
= 0.2V
I
RGT我
I
FGT我,
I
RGT III
10
–1
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
10
栅极电流(毫安)
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
最大瞬态热
阻抗特性
(结点到外壳)
10
2
2 3 5 7 10
3
2
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
(周期为60Hz )
门极触发电压Vs
结温
100 (%)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
典型的例子
瞬态热阻抗( ℃/ W)
门极触发电压(T
j
= T ° C)
门极触发电压(T
j
= 25°C)
最大导通功率
耗散
通态功耗( W)
32
外壳温度( ° C)
28
24 360°
传导
20电阻式,
电感
16荷载
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
160
140
120
100
80
60
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
曲线适用于基于何种
导通角
360°
40传导
电阻式,
20 INDUCTIVE
负载
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
RMS通态电流(A )
RMS通态电流(A )
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR12CM
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
环境温度( ℃)
环境温度( ℃)
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
各鳍均为黑色绘
铝和润滑
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
120 120 t2.3
100
100 100 t2.3
80
60 60 t2.3
60
电阻式,
40 INDUCTIVE
负载
20理学
对流
0
0
2
4
6
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
自然对流
NO FINS
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
阻性,感性负荷
100
80
60
40
20
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
RMS通态电流(A )
8
10
12
14
16
RMS通态电流(A )
100 (%)
重复峰值断态
当前VS. JUNCTION
温度
10
5
7典型的例子
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
保持电流VS.
结温
100 (%)
重复峰值断态电流(T
j
= T ° C)
重复峰值断态电流(T
j
= 25°C)
典型的例子
维持电流(T
j
= T ° C)
维持电流(T
j
= 25°C)
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
LACHING电流VS.
结温
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
转折电压VS.
结温
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
LACHING电流(mA)
10
0
–40
+
T
2
, G
+
典型
½
T
2
, G
例子
0
40
80
120
160
结温( ° C)
击穿电压(T
j
= T ° C)
击穿电压(T
j
= 25°C)
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
分配
+
T
2
, G
典型
例子
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR12CM
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
100 (%)
160
140
崛起的断态临界速率
换向电压( V / μs)内
转折电压VS.
增长速度的
断态电压
典型的例子
T
j
= 125°C
换相特性
3典型
2例
10
2
T
j
= 125°C
7 I
T
= 4A
5
τ
= 500s
3 V
D
= 200V
2 F = 3HZ
电压波形
t
( dv / dt的)
C
V
D
电流波形
( di / dt的)
C
I
T
击穿电压( dv / dt的= XV /μs的)
击穿电压( dv / dt的= 1V /μs的)
120
100
80
60
40
20
#1
我象限
#2
第三象限
τ
t
0
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
增长速度OFF态电压(V /μs的)
10
1
我象限
7
5
3最低
2字符
第三象限
10
0
开创性意义
7价值
5
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
通态衰变率
换向电流( A / MS )
门极触发电流VS.
栅电流脉冲宽度
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1 0
10
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
门极触发特性测试电路
6
6
100 (%)
典型的例子
I
FGT我
I
RGT我
I
RGT III
门极触发电流( TW )
门极触发电流( DC )
6V
V
A
R
G
6V
V
A
R
G
测试程序
1
6
测试程序
2
6V
V
A
R
G
栅电流脉冲宽度(微秒)
测试程序
3
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR12CM
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
BCR12CM
外形绘图
10.5 MAX
3.2±0.2
尺寸
单位:mm
4.5
4
1.3
16 MAX
12.5 MIN
3.8最大
TYPE
名字
电压
1.0
0.8
2.5
2.5
4.5
7.0
φ3.6±0.2
0.5
2.6
123
24
1
2
33
4
测量点
外壳温度
I
T( RMS )
...................................................................... 12A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
......................... 30毫安( 20mA)的
V5
1
T
1
终奌站
T
2
终奌站
栅极端子
T
2
终奌站
TO-220
应用
非接触式的交流开关,光德雷默,电闪光单元,
家用设备的控制,如电视机·音响·冰箱·洗衣机·
红外线被炉·地毯·电风扇,电磁驱动器,小型马达控制器,
复印机,电动工具,其它通用控制应用
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
V1
非重复峰值断态
电压
V1
电压等级
8
400
500
12
600
720
单位
V
V
符号
I
T( RMS )
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G( AV )
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率的正弦波全波360度通电,T
c
=98°C
60Hz的正弦波1完整周期,峰值,非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值,浪涌通态
当前
评级
12
120
60
5
0.5
10
2
–40 ~ +125
–40 ~ +125
2.0
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
g
V1.
门敞开着。
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR12CM
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
电气特性
符号
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
V
GD
R
日(J -C )
( dv / dt的)
c
门非触发电压
热阻
临界速率的断态崛起
整流电压
门极触发
当前
V2
门极触发电压
V2
参数
重复峰值断态电流
通态电压
!
@
#
!
@
#
T
j
= 125°C ,V
D
=1/2V
DRM
结到
V4
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
=6, R
G
=330
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
=6, R
G
=330
测试条件
T
j
= 125°C ,V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C,I
TM
= 20A ,瞬时测量
范围
分钟。
0.2
V3
典型值。
马克斯。
2.0
1.6
1.5
1.5
1.5
30
V5
30
V5
30
V5
1.8
单位
mA
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
°C/
W
V / μs的
V2.
测量使用的门极触发特性测量电路。
V3.
临界速率的关断状态的换向电压的上升示于下表中。
V4.
接触热阻R
TH( C-F )
在润滑的情况下为1.0 ° C / W 。
V5.
高灵敏度(我
GT
≤20mA)
也可用。 (我
GT
1)
( dv / dt的)
c
符号
R
8
400
L
10
V / μs的
R
12
600
L
10
分钟。
1.结温
T
j
=125°C
对国家衰败2.率commutat-
目前ING
( di / dt的)
c
=–6A/ms
3.峰值断态电压
V
D
=400V
单位
测试条件
电压
V
DRM
(V)
整流电压和电流波形
(感性负载)
供应
电压
主流
电压
( dv / dt的)C
( di / dt的)C
时间
时间
时间
V
D
性能曲线
最大通态特性
额定浪涌通态电流
200
浪涌通态电流(A)
通态电流(A )
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
10
–1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压(V )
导通时间
(周期为60Hz )
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR12CM
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
GATE特性
100 (%)
10
2
7
5
3
2 V
GM
= 10V
10
1
7
5
3
2
P
GM
= 5W
P
G( AV )
=
0.5W
V
GT
= 1.5V
I
GM
= 2A
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
门极触发电流VS.
结温
典型的例子
栅极电压( V)
门极触发电流(T
j
= T ° C)
门极触发电流(T
j
= 25°C)
I
RGT我,
I
RGT III
I
FGT我
10
0
7
5
3
2
V
GD
= 0.2V
I
RGT我
I
FGT我,
I
RGT III
10
–1
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
10
栅极电流(毫安)
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
最大瞬态热
阻抗特性
(结点到外壳)
10
2
2 3 5 7 10
3
2
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
(周期为60Hz )
门极触发电压Vs
结温
100 (%)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
典型的例子
瞬态热阻抗( ℃/ W)
门极触发电压(T
j
= T ° C)
门极触发电压(T
j
= 25°C)
最大导通功率
耗散
通态功耗( W)
32
外壳温度( ° C)
28
24 360°
传导
20电阻式,
电感
16荷载
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
160
140
120
100
80
60
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
曲线适用于基于何种
导通角
360°
40传导
电阻式,
20 INDUCTIVE
负载
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
RMS通态电流(A )
RMS通态电流(A )
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR12CM
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
环境温度( ℃)
环境温度( ℃)
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
各鳍均为黑色绘
铝和润滑
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
120 120 t2.3
100
100 100 t2.3
80
60 60 t2.3
60
电阻式,
40 INDUCTIVE
负载
20理学
对流
0
0
2
4
6
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
自然对流
NO FINS
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
阻性,感性负荷
100
80
60
40
20
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
RMS通态电流(A )
8
10
12
14
16
RMS通态电流(A )
100 (%)
重复峰值断态
当前VS. JUNCTION
温度
10
5
7典型的例子
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
保持电流VS.
结温
100 (%)
重复峰值断态电流(T
j
= T ° C)
重复峰值断态电流(T
j
= 25°C)
典型的例子
维持电流(T
j
= T ° C)
维持电流(T
j
= 25°C)
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
LACHING电流VS.
结温
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
转折电压VS.
结温
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
LACHING电流(mA)
10
0
–40
+
T
2
, G
+
典型
½
T
2
, G
例子
0
40
80
120
160
结温( ° C)
击穿电压(T
j
= T ° C)
击穿电压(T
j
= 25°C)
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
分配
+
T
2
, G
典型
例子
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR12CM
中功率使用
非绝缘型,平面型钝化
100 (%)
160
140
崛起的断态临界速率
换向电压( V / μs)内
转折电压VS.
增长速度的
断态电压
典型的例子
T
j
= 125°C
换相特性
3典型
2例
10
2
T
j
= 125°C
7 I
T
= 4A
5
τ
= 500s
3 V
D
= 200V
2 F = 3HZ
电压波形
t
( dv / dt的)
C
V
D
电流波形
( di / dt的)
C
I
T
击穿电压( dv / dt的= XV /μs的)
击穿电压( dv / dt的= 1V /μs的)
120
100
80
60
40
20
#1
我象限
#2
第三象限
τ
t
0
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
增长速度OFF态电压(V /μs的)
10
1
我象限
7
5
3最低
2字符
第三象限
10
0
开创性意义
7价值
5
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
通态衰变率
换向电流( A / MS )
门极触发电流VS.
栅电流脉冲宽度
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1 0
10
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
门极触发特性测试电路
6
6
100 (%)
典型的例子
I
FGT我
I
RGT我
I
RGT III
门极触发电流( TW )
门极触发电流( DC )
6V
V
A
R
G
6V
V
A
R
G
测试程序
1
6
测试程序
2
6V
V
A
R
G
栅电流脉冲宽度(微秒)
测试程序
3
Feb.1999
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    -
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联系人:何小姐
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22+
32570
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电话:13910052844(微信同步)
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