飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
切换。
描述
在SOT223塑料NPN型中功率晶体管
封装。 PNP补充： BCP51 ， BCP52和BCP53 。
手册， halfpage
BCP54 ; BCP55 ; BCP56
钉扎
针
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
4
2, 4
1
3
1
顶视图
2
3
MAM287
Fig.1
简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BCP54
BCP55
BCP56
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCP54
BCP55
BCP56
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
45
60
80
5
1
1.5
0.2
1.33
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
45
60
100
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BCP54 ; BCP55 ; BCP56
条件
注1
价值
94
13
单位
K / W
K / W
1.装置安装在印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
h
FE
直流电流增益
BCP55-10 ; 56-10
BCP54-16 ; 55-16 ; 56-16
V
CESAT
V
BE
f
T
h
FE1
-----------
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50毫安
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
63
100
分钟。
25
63
25
典型值。
130
160
250
500
1
1.6
mV
V
兆赫
马克斯。
100
10
100
250
单位
nA
A
nA
1999年4月08
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BCP54 ; BCP55 ; BCP56
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年4月08
5
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