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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第253页 > BCP53-16T3G
BCP53系列
PNP硅
外延晶体管
这PNP硅外延晶体管设计用于音频应用
放大器应用。该设备被容纳在SOT -223包
这是专为中等功率表面贴装应用。
HIGH CURRENT
NPN补是BCP56
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
焊接过程中所形成的引线吸收热应力,
消除了损坏的管芯的可能性
器件标识:
BCP53T1 = AH
BCP53-10T1 = AH- 10
BCP53-16T1 = AH- 16
S前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= 25 ° C(注1 )
减免上述25℃
工作和存储
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
1.5
12
T
J
, T
英镑
-65到+150
W
毫瓦/°C的
°C
价值
80
100
5.0
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
http://onsemi.com
中功率高
电流表面贴装
PNP晶体管
集电极2,4
1
BASE
辐射源3
标记图
4
1
3
SOT223
CASE 318E
风格1
A
Y
W
XXXXX
G
2
AYW
XXXXXG
G
1
=大会地点
=年
=工作周
=具体设备守则
= Pb-Free包装
( *注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
BCP53T1G
SBCP5310T1G
BCP5310T1G
SBCP5310T1G
BCP5316T1G
SBCP5316T1G
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
航运
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在一个玻璃环氧印刷电路板的1.575英寸x 1.575英寸
X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸
热特性
特征
热阻,结到环境
(表面贴装)
无铅焊接温度的,
0.0625 “的情况下,
在焊接洗澡时间
符号
R
qJA
T
L
260
10
最大
83.3
单位
° C / W
°C
s
BCP5316T3G
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2013
1
九月, 2013 - 10牧师
出版订单号:
BCP53T1/D
BCP53系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
R
BE
= 1.0千瓦)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= - 30 V直流,我
E
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= - 5.0伏,我
C
= 0)
V
( BR ) CBO
100
V
( BR ) CEO
80
V
( BR ) CER
100
V
( BR ) EBO
5.0
I
CBO
I
EBO
10
100
MADC
NADC
VDC
VDC
VDC
VDC
基本特征
直流电流增益
(I
C
= - 5.0 MADC ,V
CE
= - 2.0 V直流)
所有部件类型
(I
C
= -150 MADC ,V
CE
= - 2.0 V直流)
BCP53 , SBCP53
BCP53-10 , SBCP53-10
BCP53-16 , SBCP53-16
(I
C
= - 500 MADC ,V
CE
= - 2.0 V直流)
所有部件类型
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= - 500 MADC ,我
B
= - 50 MADC )
基射极电压ON
(I
C
= - 500 MADC ,V
CE
= - 2.0 V直流)
h
FE
25
40
63
100
25
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
1.0
0.5
VDC
250
160
250
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= -10 MADC ,V
CE
= - 5.0伏, F = 35兆赫)
f
T
50
兆赫
http://onsemi.com
2
BCP53系列
典型特征
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极卫星 -
URATION电压(V)的
2.0
1.8
h
FE
,直流电流增益
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
+25°C
+150°C
55°C
IC / IB = 10
BCP53 , -10 , -16
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
25 ° C, 5 V
25 ℃, 2 V
150℃, 2 V
150℃, 5伏
-55°C , 5 V
-55°C , 2 V
图1.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
180
150℃, 5伏
160
h
FE
,直流电流增益
h
FE
,直流电流增益
140
120
100
80
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
0
-55°C , 5 V
-55°C , 2 V
150℃, 2 V
25 ° C, 5 V
25 ℃, 2 V
250
200
150
100
50
300
图2.直流电流增益与集电极
电流( BCP53 )
150℃, 5伏
150℃, 2 V
25 ° C, 5 V
25 ℃, 2 V
-55°C , 5 V
-55°C , 2 V
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
图3.直流电流增益与集电极
电流( BCP53-10 )
1.2
V
BE ( SAT )
,基极发射极饱和
TION电压( V)
1.1
1.0
0.9
55°C
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
+150°C
0.001
0.01
0.1
1
10
+25°C
V
BE ( SAT )
,基极发射极饱和
TION电压( V)
IC / IB = 10
BCP53 , -10
1.2
图4.直流电流增益与集电极
电流( BCP53-16 )
IC / IB = 10
1.1
1.0
0.9
55°C
0.8
0.7
+25°C
0.6
0.5
0.4
+150°C
0.001
0.01
0.1
1
10
BCP53 -16
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图5. BCP53 , -10基极发射极饱和
电压与集电极电流
图6. BCP53-16基极发射极饱和
电压与集电极电流
http://onsemi.com
3
BCP53系列
典型特征
1.2
V
BE(上)
,基极发射极导通
电压(V)的
V
BE ( SAT )
,基极发射极饱和
TION电压( V)
VCE = 2 V
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
+150°C
0.001
0.01
0.1
1
10
+25°C
55°C
BCP53 , -10
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7 +25°C
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
+150°C
55°C
VCE = 2 V
BCP53 -16
I
C
,集电极电流( A)
图7. BCP53 , -10基极发射极导通
电压与集电极电流V
BE(上)
V
ce
,集电极 - 发射极电压( V)
1.0
0.9
0.8
电容(pF)
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.001
0.01
0.1
1
I
b
,基极电流( A)
50
40
0
IC = 100毫安
IC = 500毫安
90
80
70
60
BCP53 , -10 , -16
IC = 1.0
IC = 1.5 A
110
图8. BCP53-16基极发射极导通
电压与集电极电流
BCP5310
100
BCP53
BCP5316
1
2
3
4
5
电压(V)的
图9. BCP53 ,-10, -16饱和区
25
IC ,集电极电流( A)
10
图10.输入电容
100毫秒10毫秒
1s
1毫秒
20
电容(pF)
BCP5310
15
BCP53
10
BCP5316
1
0.1
连续热限制
5
0
0
在T单脉冲测试
AMB
= 25°C
0.01
0.1
1
10
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
电压(V)的
VCE ,集电极 - 发射极电压( V)
图11.输出电容
图12.标准工作区
http://onsemi.com
4
BCP53系列
包装尺寸
D
b1
SOT- 223 ( TO- 261 )
CASE 318E -04
ISSUE
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ,
1994.
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L
L1
H
E
1.50
0.02
0.60
2.90
0.24
6.30
3.30
2.20
0.85
0.20
1.50
6.70
MILLIMETERS
最大
1.63
1.75
0.06
0.10
0.75
0.89
3.06
3.20
0.29
0.35
6.50
6.70
3.50
3.70
2.30
2.40
0.94
1.05
1.75
2.00
7.00
7.30
10°
0.060
0.001
0.024
0.115
0.009
0.249
0.130
0.087
0.033
0.008
0.060
0.264
英寸
0.064
0.002
0.030
0.121
0.012
0.256
0.138
0.091
0.037
0.069
0.276
最大
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
0.078
0.287
10°
4
H
E
1
2
3
E
b
e1
e
q
L
C
A
0.08 (0003)
A1
q
L1
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
焊接足迹*
3.8
0.15
2.0
0.079
2.3
0.091
2.3
0.091
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
mm
英寸
SCALE 6 : 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC拥有的权利,拥有多项专利,商标,
著作权,商业秘密和其他知识产权。 SCILLC的产品/专利覆盖的上市可能在www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf访问。 SCILLC
保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证,声明或担保
特定用途,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,包括但
不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表和/或规格提供“典型”参数,并会根据不同的应用
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权使用的组件用于系统
外科植入到体内,或用于支持或维持生命,或其他应用程序的任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成一种情况,
可能发生的人身伤害或死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师直接或间接引起的,收费是无害的,
人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC是疏忽就设计或制造
零件。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5817-1050
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
BCP53T1/D
2N7002E
小信号MOSFET
60伏310毫安,单N通道, SOT -23
特点
低R
DS ( ON)
小尺寸表面贴装封装
沟槽技术
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
低压侧负载开关
电平转换电路
DC- DC转换器
便携式应用,即DSC , PDA,手机,等等。
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
60 V
R
DS ( ON)
最大
3.0
W
@ 4.5 V
2.5
W
@ 10 V
I
D
最大
(注1 )
310毫安
应用
简化的原理图
N沟道
3
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流(注1 )
稳定状态
t<5s
功率耗散(注1 )
稳定状态
t<5s
漏电流脉冲(T
p
= 10
女士)
工作结存储
温度范围
源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
±20
260
190
310
220
300
420
1.2
55
to
+150
300
260
mW
3
单位
V
V
mA
2
( TOP VIEW )
1
标记图
&放大器;引脚分配
3
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
A
°C
mA
°C
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
703 MG
G
1
2
来源
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
703
=器件代码
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
热特性
特征
结到环境
稳定状态
(注1 )
结到环境
t
5秒(注1 )
符号
R
qJA
R
qJA
最大
417
300
单位
° C / W
订购信息
设备
2N7002ET1G
SOT23
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
1.表面安装上使用1平方垫尺寸(铜区FR4板= 1.127在
平方[ 1盎司]包括痕迹)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2011
2011年2月
第3版
1
出版订单号:
2N7002E/D
2N7002E
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V,
I
D
= 200毫安,R
G
= 10
W
V
GS
= 5 V, V
DS
= 10 V;
I
D
= 240毫安
V
GS
= 10 V,I
D
= 240毫安
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 50毫安
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 200毫安
0.79
0.7
1.2
V
26.7
V
GS
= 0 V , F = 1MHz时,
V
DS
= 25 V
4.6
2.9
0.81
0.31
0.48
0.08
1.7
1.2
4.8
3.6
ns
nC
40
pF
V
DS
= 5 V,I
D
= 200毫安
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 60 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
60
75
1
500
±100
1.0
4.4
0.86
1.1
530
2.5
3.0
mS
2.5
nA
V
毫伏/°C的
W
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
开关特性,V
GS
= V
(注3)
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%
3.开关特性是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
2N7002E
典型特征
2.0
1.6
1.2
0.8
3.0 V
0.4
0
2.5 V
2.0 V
0
2
4
6
V
DS
,漏极至源极电压( V)
1.2
V
GS
= 10 V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
0.8
3.5 V
0.4
T
J
= 25°C
0
T
J
= 125°C
0
2
T
J
=
55°C
4
6
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.区域特征
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
2.4
V
GS
= 4.5 V
2.0
1.6
T
J
= 25°C
1.2
0.8
0.4
0
T
J
=
55°C
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
2.4
图2.传输特性
V
GS
= 10 V
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
图3.导通电阻与漏电流和
温度
1.6
R
DS ( ON)
,漏 - 源
电阻(标准化)
2.2
图4.导通电阻与漏电流和
温度
I
D
= 0.2 A
I
D
= 250毫安
1.2
I
D
= 75毫安
1.8
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
1.4
0.8
1.0
0.4
2
4
6
8
10
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温( ° C)
图5.导通电阻与栅极 - 源
电压
图6.导通电阻变化与
温度
http://onsemi.com
3
2N7002E
典型特征
40
C
国际空间站
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
5
4
3
2
1
0
T
J
= 25°C
I
D
= 0.25 A
C,电容(pF )
30
20
C
OSS
10
0
C
RSS
0
4
8
12
16
20
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
栅极 - 源极或漏极至源极电压( V)
QG ,总栅极电荷( NC)
图7.电容变化
10
V
GS
= 0 V
I
S
,源电流( A)
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1
T
J
= 85°C
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图9.二极管的正向电压与电流
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4
2N7002E
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
ISSUE AP
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模FLASH ,
突起,或毛刺。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
q
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0
°
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
10
°
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
0
°
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
10
°
D
SEE视图C
3
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
风格21 :
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话:
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电子邮件:
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安森美半导体网站:
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为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
2N7002E/D
BCP53系列
PNP硅
外延晶体管
这PNP硅外延晶体管设计用于音频应用
放大器应用。该设备被容纳在SOT -223包
这是专为中等功率表面贴装应用。
HIGH CURRENT
NPN补是BCP56
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
焊接过程中所形成的引线吸收热应力,
消除了损坏的管芯的可能性
器件标识:
BCP53T1 = AH
BCP53-10T1 = AH- 10
BCP53-16T1 = AH- 16
S前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= 25 ° C(注1 )
减免上述25℃
工作和存储
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
1.5
12
T
J
, T
英镑
-65到+150
W
毫瓦/°C的
°C
价值
80
100
5.0
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
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中功率高
电流表面贴装
PNP晶体管
集电极2,4
1
BASE
辐射源3
标记图
4
1
3
SOT223
CASE 318E
风格1
A
Y
W
XXXXX
G
2
AYW
XXXXXG
G
1
=大会地点
=年
=工作周
=具体设备守则
= Pb-Free包装
( *注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
BCP53T1G
SBCP5310T1G
BCP5310T1G
SBCP5310T1G
BCP5316T1G
SBCP5316T1G
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
SOT223
(无铅)
航运
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在一个玻璃环氧印刷电路板的1.575英寸x 1.575英寸
X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸
热特性
特征
热阻,结到环境
(表面贴装)
无铅焊接温度的,
0.0625 “的情况下,
在焊接洗澡时间
符号
R
qJA
T
L
260
10
最大
83.3
单位
° C / W
°C
s
BCP5316T3G
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2013
1
九月, 2013 - 10牧师
出版订单号:
BCP53T1/D
BCP53系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
R
BE
= 1.0千瓦)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= - 30 V直流,我
E
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= - 5.0伏,我
C
= 0)
V
( BR ) CBO
100
V
( BR ) CEO
80
V
( BR ) CER
100
V
( BR ) EBO
5.0
I
CBO
I
EBO
10
100
MADC
NADC
VDC
VDC
VDC
VDC
基本特征
直流电流增益
(I
C
= - 5.0 MADC ,V
CE
= - 2.0 V直流)
所有部件类型
(I
C
= -150 MADC ,V
CE
= - 2.0 V直流)
BCP53 , SBCP53
BCP53-10 , SBCP53-10
BCP53-16 , SBCP53-16
(I
C
= - 500 MADC ,V
CE
= - 2.0 V直流)
所有部件类型
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= - 500 MADC ,我
B
= - 50 MADC )
基射极电压ON
(I
C
= - 500 MADC ,V
CE
= - 2.0 V直流)
h
FE
25
40
63
100
25
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
1.0
0.5
VDC
250
160
250
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= -10 MADC ,V
CE
= - 5.0伏, F = 35兆赫)
f
T
50
兆赫
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2
BCP53系列
典型特征
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极卫星 -
URATION电压(V)的
2.0
1.8
h
FE
,直流电流增益
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
+25°C
+150°C
55°C
IC / IB = 10
BCP53 , -10 , -16
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
25 ° C, 5 V
25 ℃, 2 V
150℃, 2 V
150℃, 5伏
-55°C , 5 V
-55°C , 2 V
图1.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
180
150℃, 5伏
160
h
FE
,直流电流增益
h
FE
,直流电流增益
140
120
100
80
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
0
-55°C , 5 V
-55°C , 2 V
150℃, 2 V
25 ° C, 5 V
25 ℃, 2 V
250
200
150
100
50
300
图2.直流电流增益与集电极
电流( BCP53 )
150℃, 5伏
150℃, 2 V
25 ° C, 5 V
25 ℃, 2 V
-55°C , 5 V
-55°C , 2 V
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
图3.直流电流增益与集电极
电流( BCP53-10 )
1.2
V
BE ( SAT )
,基极发射极饱和
TION电压( V)
1.1
1.0
0.9
55°C
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
+150°C
0.001
0.01
0.1
1
10
+25°C
V
BE ( SAT )
,基极发射极饱和
TION电压( V)
IC / IB = 10
BCP53 , -10
1.2
图4.直流电流增益与集电极
电流( BCP53-16 )
IC / IB = 10
1.1
1.0
0.9
55°C
0.8
0.7
+25°C
0.6
0.5
0.4
+150°C
0.001
0.01
0.1
1
10
BCP53 -16
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图5. BCP53 , -10基极发射极饱和
电压与集电极电流
图6. BCP53-16基极发射极饱和
电压与集电极电流
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3
BCP53系列
典型特征
1.2
V
BE(上)
,基极发射极导通
电压(V)的
V
BE ( SAT )
,基极发射极饱和
TION电压( V)
VCE = 2 V
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
+150°C
0.001
0.01
0.1
1
10
+25°C
55°C
BCP53 , -10
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7 +25°C
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
+150°C
55°C
VCE = 2 V
BCP53 -16
I
C
,集电极电流( A)
图7. BCP53 , -10基极发射极导通
电压与集电极电流V
BE(上)
V
ce
,集电极 - 发射极电压( V)
1.0
0.9
0.8
电容(pF)
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.001
0.01
0.1
1
I
b
,基极电流( A)
50
40
0
IC = 100毫安
IC = 500毫安
90
80
70
60
BCP53 , -10 , -16
IC = 1.0
IC = 1.5 A
110
图8. BCP53-16基极发射极导通
电压与集电极电流
BCP5310
100
BCP53
BCP5316
1
2
3
4
5
电压(V)的
图9. BCP53 ,-10, -16饱和区
25
IC ,集电极电流( A)
10
图10.输入电容
100毫秒10毫秒
1s
1毫秒
20
电容(pF)
BCP5310
15
BCP53
10
BCP5316
1
0.1
连续热限制
5
0
0
在T单脉冲测试
AMB
= 25°C
0.01
0.1
1
10
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
电压(V)的
VCE ,集电极 - 发射极电压( V)
图11.输出电容
图12.标准工作区
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4
BCP53系列
包装尺寸
D
b1
SOT- 223 ( TO- 261 )
CASE 318E -04
ISSUE
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ,
1994.
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L
L1
H
E
1.50
0.02
0.60
2.90
0.24
6.30
3.30
2.20
0.85
0.20
1.50
6.70
MILLIMETERS
最大
1.63
1.75
0.06
0.10
0.75
0.89
3.06
3.20
0.29
0.35
6.50
6.70
3.50
3.70
2.30
2.40
0.94
1.05
1.75
2.00
7.00
7.30
10°
0.060
0.001
0.024
0.115
0.009
0.249
0.130
0.087
0.033
0.008
0.060
0.264
英寸
0.064
0.002
0.030
0.121
0.012
0.256
0.138
0.091
0.037
0.069
0.276
最大
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
0.078
0.287
10°
4
H
E
1
2
3
E
b
e1
e
q
L
C
A
0.08 (0003)
A1
q
L1
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
焊接足迹*
3.8
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SCALE 6 : 1
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