BC847ATT1 ， BC847BTT1 ，
BC847CTT1
通用
晶体管
NPN硅
http://onsemi.com
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SC -75 / SOT- 416封装该
是专为低功耗表面贴装应用。
特点
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
无铅包可用*
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
45
50
6.0
100
单位
V
V
V
MADC
1
3
2
CASE 463
SC75/SOT41
6
风格1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
热特性
特征
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ）
T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR-4板（注2）
T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
1. FR-4 @分钟垫。
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0垫。
符号
P
D
200
1.6
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
400
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
600
mW
毫瓦/°C的
° C / W
XX =器件代码
M =日期代码
最大
单位
XXM
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 第1版
出版订单号：
BC847ATT1/D
BC847ATT1 ， BC847BTT1 ， BC847CTT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10 mA）的
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
h
FE
BC847A
BC847B
BC847C
BC847A
BC847B
BC847C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
V
（ BR ） CEO
BC847系列
V
（ BR ） CES
BC847系列
V
（ BR ） CBO
BC847系列
V
（ BR ） EBO
BC847系列
I
CBO
6.0
15
5.0
nA
mA
50
V
50
V
45
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
兆赫
pF
dB
http://onsemi.com
2
BC847ATT1 ， BC847BTT1 ， BC847CTT1
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
1.0
20
2.0
5.0 10
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
图1.归DC电流增益
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
0.8
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
图4.基射极温度系数
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3
BC847ATT1 ， BC847BTT1 ， BC847CTT1
BC847
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
0.1
图5.归热响应
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
3.0
C
ob
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
4.0 6.0 8.0 10
2.0
V
R
，反向电压（伏）
20
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图6的电容
图7.电流增益 - 带宽积
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4
BC847ATT1 ， BC847BTT1 ， BC847CTT1
订购信息
设备
BC847ATT1
BC847BTT1
BC847BTT1G
BC847CTT1
BC847CTT1G
记号
1E
1F
1F
1G
1G
包
SC75/SOT416
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
航运
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子， BRD8011 / D 。
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5
BC847BTT1 ， BC847CTT1
通用
晶体管
NPN硅
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -416 / SC- 75封装，
是专为低功耗表面贴装应用。
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
最大
45
50
6.0
100
单位
V
V
V
MADC
1
CASE 463
SOT–416/SC–75
风格1
3
2
器件标识：
BC847BTT1 = 1F
BC847CTT1 = 1G
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
热特性
特征
器件总功耗，
FR-4板（1）
TA = 25°C
25°C以上降额
热阻，
结到环境（ 1 ）
器件总功耗，
FR-4板（2）
TA = 25°C
25°C以上降额
热阻，
结到环境（ 2 ）
结存储
温度范围
（1）的FR-4 @最低垫
（2）的FR-4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
符号
PD
200
1.6
R
θJA
PD
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
400
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
600
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
器件标识
请参阅表
订购信息
设备
BC847BTT1
BC847CTT1
包
SOT–416
SOT–416
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年9月 - 第2版
出版订单号：
BC847BTT1/D
BC847BTT1 ， BC847CTT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 mA）的
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
毫安）
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0
毫安）
集电极截止电流（ VCB = 30 V）
（ VCB = 30 V ， TA = 150 ° C）
V（ BR ） CEO
BC847系列
V（ BR ） CES
BC847系列
V（ BR ） CBO
BC847系列
V（ BR ） EBO
BC847系列
ICBO
6.0
—
—
—
—
—
—
15
5.0
nA
A
50
—
—
V
50
—
—
V
45
—
—
V
V
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A,
VCE = 5.0 V）
的hFE
BC847B
BC847C
BC847B
BC847C
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
—
200
420
—
—
—
—
580
—
150
270
290
520
—
—
0.7
0.9
660
—
—
—
450
800
0.25
0.6
—
—
700
770
V
V
mV
—
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
基射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基射极电压（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
基射极电压
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（ VCB = 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = 0.2 mA时， VCE = 5.0伏， RS = 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
fT
科博
NF
—
—
10
100
—
—
—
—
4.5
兆赫
pF
dB
http://onsemi.com
2
BC847BTT1 ， BC847CTT1
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
VCE = 10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
1.0
20
2.0
5.0 10
IC ，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
IC ，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
图1.归DC电流增益
2.0
TA = 25°C
1.6
IC = 200毫安
1.2
0.8
0.4
0
IC = IC = IC = 50毫安
10毫安20毫安
IC = 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.02
0.1
1.0
IB ，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
图4.基射极温度系数
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图5.归热响应
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3
BC847BTT1 ， BC847CTT1
对于采用SOT -416表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.5分钟。 （3×）
单位：mm
0.5分钟。 （3×）
1.4
SOT - 416 / SC- 90功耗
采用SOT- 416的功率消耗/ SC- 90是一种功能
化焊盘的大小。这可以从最小焊盘变化
大小为焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗表面贴装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
perature模具， RθJA ，从耐热性
器件的结点至环境;和操作温度，
TA 。使用提供的数据表中的值， PD可
计算方法如下。
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ， 1
可以计算出该装置的功率消耗而在
这种情况下是125毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
833°C/W
= 150毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在833 ° C / W，假设使用推荐的脚踏的
打印在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的150毫瓦功率耗散。另一种选择
将是使用陶瓷基板或铝芯
板，如热复合 。使用的基板材料，例如
作为热复合，较高的功耗可
实现使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
法，差别应该最多10℃ 。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用能很好地协同
ING降温
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
http://onsemi.com
5
1
典型
焊接格局
0.5
QQ：2880707522 复制
