乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
NPN硅
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -323 / SC- 70，它是
专为低功率表面贴装应用。
1
BASE
3
集热器
BC846AWT1,BWT1
BC847AWT1,BWT1
CWT1
BC848AWT1,BWT1
CWT1
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
2
辐射源
BC846
65
80
6.0
100
BC847
45
50
6.0
100
BC848
30
30
5.0
100
单位
V
V
V
MADC
1
2
CASE 419-02 ，花柱3
SOT - 323 / SC- 70
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
热阻，结到环境
器件总功耗
结温和存储温度
符号
P
D
R
θJA
P
D
T
J
, T
英镑
最大
150
833
2.4
-55到+150
单位
mW
° C / W
毫瓦/°C的
°C
器件标识
BC846AWT1 = 1A ; BC846BWT1 = 1B ; BC847AWT1 = 1E ; BC847BWT1 = 1F ;
BC847CWT1 = 1G ; BC848AWT1 = 1J ; BC848BWT1 = 1K ; BC848CWT1 = 1L
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10 mA）的
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10
A,
V
EB
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
A)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 1.0
A)
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列，
BC848系列
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
5.0
v
V
（ BR ） CES
v
V
（ BR ） CBO
v
V
（ BR ） EBO
I
CBO
v
nA
A
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062in
K4–1/4
乐山无线电公司， LTD 。
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
A,
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
h
FE
—
—
—
110
200
420
—
—
—
—
580
—
90
150
270
180
290
520
—
—
0.7
0.9
660
—
—
—
—
220
450
800
0.25
0.6
—
—
700
770
V
V
mV
—
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
BC846A ， BC847A ， BC848A
V
CE
= 5.0 V
dc
, R
S
= 2.0 k,
BC846B ， BC847B ， BC848B
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC847C ， BC848C
f
T
C
敖包
NF
100
—
—
—
—
—
—
—
—
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
h
FE
归一化直流电流增益
2.0
1.5
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
0.9
0.8
0.7
0.6
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
=10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
1.0
0.8
0.6
V，电压（V ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.4
0.3
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
2.0
θ
VB
，温度系数（毫伏/ ° C）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图1.归DC电流增益
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图2. “饱和度”和“开”电压
1.0
T
A
= 25°C
1.6
-55 ° C至+ 125°C
1.2
I
C
= 200毫安
1.2
1.6
I
C
=
0.8
I
C
=
I
C
= 50毫安
10毫安20毫安
I
C
= 100毫安
2.0
2.4
0.4
2.8
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
1.0
10
100
I
B
，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.基射极温度系数
K4–2/4
乐山无线电公司， LTD 。
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 ， CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
BC847/BC848
10.0
f
T
型，电流增益 - 带宽
产品（兆赫）
V，电压（V ）
7.0
5.0
3.0
C
ob
2.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.010
20
30
50
V
CE
= 10V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.81.0
2.0
4.0 6.0 8.010
20
40
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
h
FE
，直流电流增益（标准化）
图6.电流增益 - 带宽积
1.0
V
CE
= 5V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
T
A
= 25°C
0.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0
0.1 0.2
1.0
10
100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图8. “开”电压
θ
VB
，温度系数（毫伏/ ° C）
2.0
T
A
= 25°C
–1.0
–1.4
–1.8
–2.2
–2.6
–3.0
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
1.2
0.8
0.4
0
0.02
I
C
=
10毫安
θ
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
0.05 0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
I
B
，基极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
K4–3/4
乐山无线电公司， LTD 。
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 ， CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
BC846
40
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
f
T
型，电流增益 - 带宽积牛逼
500
200
100
50
20
20
C
ib
10
6.0
4.0
C
ob
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
2.0
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
K4–4/4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过BC846AWT1 / D
通用晶体管
NPN硅
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -323 / SC- 70，它是
专为低功率表面贴装应用。
1
BASE
2
辐射源
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
BC846
65
80
6.0
100
BC847
45
50
6.0
100
BC848
30
30
5.0
100
单位
V
V
V
MADC
集热器
3
BC846AWT1,BWT1
BC847AWT1,BWT1,
CWT1
BC848AWT1,BWT1,
CWT1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
3
1
2
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
TA = 25°C
热阻，结到环境
器件总功耗
结温和存储温度
符号
PD
R
q
JA
PD
TJ ， TSTG
最大
150
833
2.4
- 55 + 150
单位
mW
° C / W
毫瓦/°C的
°C
CASE 419-02 ，花柱3
SOT–323/SC–70
器件标识
BC846AWT1 = 1A ; BC846BWT1 = 1B ; BC847AWT1 = 1E ; BC847BWT1 = 1F ;
BC847CWT1 = 1G ; BC848AWT1 = 1J ; BC848BWT1 = 1K ; BC848CWT1 = 1L
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 mA）的
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0
m
A)
集电极截止电流（ VCB = 30 V）
（ VCB = 30 V ， TA = 150 ° C）
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
V（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
5.0
V
V（ BR ） CES
V
V（ BR ） CBO
V
V（ BR ） EBO
V
ICBO
nA
A
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 ， CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A,
VCE = 5.0 V）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
—
—
—
110
200
420
—
—
—
—
580
—
90
150
270
180
290
520
—
—
0.7
0.9
660
—
—
—
—
220
450
800
0.25
0.6
—
—
700
770
V
V
mV
—
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基地 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基地 - 发射极电压（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
基地 - 发射极电压
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（ VCB = 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（ IC = 0.2 mA时，
VCE = 5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
fT
科博
NF
—
—
—
—
10
4.0
100
—
—
—
—
4.5
兆赫
pF
dB
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
VCE = 10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
IC ，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
IC ，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
图1.归DC电流增益
2.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
TA = 25°C
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC = IC = IC = 50毫安
10毫安20毫安
0.8
IC = 100毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
IB ，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
图4.基射极温度系数
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 ， CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
BC847/BC848
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25°C
400
300
200
3.0
COB
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
VCE = 10 V
TA = 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
VR ，反向电压（伏）
20
40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
IC ，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = 5 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
V，电压（V ）
TA = 25°C
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 5.0 V
0.4
0.2
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.1 0.2
10
100
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
0
0.2
0.5
1.0
10 20
2.0
5.0
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
200
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
TA = 25°C
1.6
20毫安
1.2
IC =
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
–1.0
–1.4
–1.8
θ
VB的VBE
–2.2
-55 ° C至125°C
0.8
0.4
–2.6
0
–3.0
0.2
0.5
10 20
1.0 2.0
5.0
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
200
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
IB ，基极电流（毫安）
5.0
10
20
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 ， CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
BC846
40
TA = 25°C
C，电容（pF ）
20
兴业银行
10
6.0
4.0
COB
F T ，电流增益 - 带宽积
500
VCE = 5 V
TA = 25°C
200
100
50
20
2.0
0.1
0.2
0.5
5.0
1.0 2.0
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 ， CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
对于采用SOT- 323 / SC- 70表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.025
0.65
0.025
0.65
0.075
1.9
0.035
0.9
0.028
0.7
英寸
mm
SOT–323/SC–70
SOT - 323 / SC- 70功耗
采用SOT- 323的功率消耗/ SC-70是一种功能
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的值SOT- 323 / SC- 70
包， PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是150毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
833°C/W
= 150毫瓦
为SOT- 323 / SC- 70封装的833 ° C / W假设
在玻璃环氧使用推荐的足迹
印刷电路板来实现的功率耗散
150毫瓦。还有其他方法实现
从SOT- 323 / SC- 70更高的功率耗散
封装。另一种替代方法是使用一种陶瓷
衬底或铝芯板等的热
包钢 。使用的基板材料，如热复合，一个
铝芯板，功耗可提高一倍
使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
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通过BC846AWT1 / D
通用晶体管
NPN硅
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -323 / SC- 70，它是
专为低功率表面贴装应用。
1
BASE
2
辐射源
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
BC846
65
80
6.0
100
BC847
45
50
6.0
100
BC848
30
30
5.0
100
单位
V
V
V
MADC
集热器
3
BC846AWT1,BWT1
BC847AWT1,BWT1,
CWT1
BC848AWT1,BWT1,
CWT1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
3
1
2
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
TA = 25°C
热阻，结到环境
器件总功耗
结温和存储温度
符号
PD
R
q
JA
PD
TJ ， TSTG
最大
150
833
2.4
- 55 + 150
单位
mW
° C / W
毫瓦/°C的
°C
CASE 419-02 ，花柱3
SOT–323/SC–70
器件标识
BC846AWT1 = 1A ; BC846BWT1 = 1B ; BC847AWT1 = 1E ; BC847BWT1 = 1F ;
BC847CWT1 = 1G ; BC848AWT1 = 1J ; BC848BWT1 = 1K ; BC848CWT1 = 1L
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 mA）的
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0
m
A)
集电极截止电流（ VCB = 30 V）
（ VCB = 30 V ， TA = 150 ° C）
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
V（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
5.0
V
V（ BR ） CES
V
V（ BR ） CBO
V
V（ BR ） EBO
V
ICBO
nA
A
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 ， CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A,
VCE = 5.0 V）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
—
—
—
110
200
420
—
—
—
—
580
—
90
150
270
180
290
520
—
—
0.7
0.9
660
—
—
—
—
220
450
800
0.25
0.6
—
—
700
770
V
V
mV
—
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基地 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基地 - 发射极电压（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
基地 - 发射极电压
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（ VCB = 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（ IC = 0.2 mA时，
VCE = 5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
fT
科博
NF
—
—
—
—
10
4.0
100
—
—
—
—
4.5
兆赫
pF
dB
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
VCE = 10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
IC ，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
IC ，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
图1.归DC电流增益
2.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
TA = 25°C
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC = IC = IC = 50毫安
10毫安20毫安
0.8
IC = 100毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
IB ，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
图4.基射极温度系数
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 ， CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
BC847/BC848
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
400
300
200
3.0
COB
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
VCE = 10 V
TA = 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
VR ，反向电压（伏）
20
40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
IC ，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = 5 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
V，电压（V ）
TA = 25°C
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 5.0 V
0.4
0.2
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.1 0.2
10
100
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
0
0.2
0.5
1.0
10 20
2.0
5.0
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
200
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
TA = 25°C
1.6
20毫安
1.2
IC =
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
–1.0
–1.4
–1.8
θ
VB的VBE
–2.2
-55 ° C至125°C
0.8
0.4
–2.6
0
–3.0
0.2
0.5
10 20
1.0 2.0
5.0
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
200
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
IB ，基极电流（毫安）
5.0
10
20
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 ， CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
BC846
40
TA = 25°C
C，电容（pF ）
20
兴业银行
10
6.0
4.0
COB
F T ，电流增益 - 带宽积
500
VCE = 5 V
TA = 25°C
200
100
50
20
2.0
0.1
0.2
1.0 2.0
10 20
0.5
5.0
VR ，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC846AWT1 ， BWT1 BC847AWT1 ， BWT1 ， CWT1 BC848AWT1 ， BWT1 ， CWT1
对于采用SOT- 323 / SC- 70表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.025
0.65
0.025
0.65
0.075
1.9
0.035
0.9
0.028
0.7
英寸
mm
SOT–323/SC–70
SOT - 323 / SC- 70功耗
采用SOT- 323的功率消耗/ SC-70是一种功能
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的值SOT- 323 / SC- 70
包， PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是150毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
833°C/W
= 150毫瓦
为SOT- 323 / SC- 70封装的833 ° C / W假设
在玻璃环氧使用推荐的足迹
印刷电路板来实现的功率耗散
150毫瓦。还有其他方法实现
从SOT- 323 / SC- 70更高的功率耗散
封装。另一种替代方法是使用一种陶瓷
衬底或铝芯板等的热
包钢 。使用的基板材料，如热复合，一个
铝芯板，功耗可提高一倍
使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
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