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BC817 ; BC817W ; BC337
45 V ， 500毫安NPN通用晶体管
牧师06 - 2009年11月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
通用NPN晶体管。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BC817
BC817W
BC337
[1]
[1]
类型编号
PNP补充
JEITA
-
SC-70
SC-43A
BC807
BC807W
BC327
SOT23
SOT323
SOT54 （ TO-92 ）
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节） 。
1.2产品特点
HIGH CURRENT
低电压
1.3应用
通用开关和放大
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
直流电流增益
BC817 ; BC817W ; BC337
BC817-16 ; BC817-16W ; BC337-16
BC817-25 ; BC817-25W ; BC337-25
BC817-40 ; BC817-40W ; BC337-40
[1]
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
条件
开基;
I
C
= 10毫安
民
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
45
500
1
-
600
250
400
600
单位
V
mA
A
I
C
= 100毫安;
V
CE
= 1 V
[1]
-
100
100
160
250
恩智浦半导体
BC817 ; BC817W ; BC337
45 V ， 500毫安NPN通用晶体管
2.管脚信息
表3中。
针
SOT23
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
1
2
2
sym021
钉扎
描述
简化的轮廓
符号
3
1
3
SOT323
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
3
1
2
sym021
3
1
2
sot323_so
SOT54
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab347
3
2
1
sym026
SOT54A
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab348
3
2
1
sym026
SOT54变种
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab447
3
2
1
sym026
BC817_BC817W_BC337_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年11月17日
2 19
恩智浦半导体
BC817 ; BC817W ; BC337
45 V ， 500毫安NPN通用晶体管
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
BC817
BC817W
BC337
[2]
[1]
[2]
类型编号
[1]
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
SOT323
-
SC-70
SC-43A
塑料单端含铅（通孔）包; SOT54
3 LEADS
适用于所有可用的选项组。
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5 。
BC817
BC817-16
BC817-25
BC817-40
BC817W
BC817-16W
BC817-25W
BC817-40W
BC337
BC337-16
BC337-25
BC337-40
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
6D*
6A*
6B*
6C*
6D*
6A*
6B*
6C*
C337
C33716
C33725
C33740
类型编号
BC817_BC817W_BC337_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年11月17日
3 19
恩智浦半导体
BC817 ; BC817W ; BC337
45 V ， 500毫安NPN通用晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
BC817
BC817W
BC337
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基;
I
C
= 10毫安
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
45
5
500
1
200
250
200
625
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
A
mA
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1][2]
[1][2]
-
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
晶体管安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
适用于所有可用的选项组。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
BC817
BC817W
BC337
[1]
[2]
条件
民
典型值
最大
单位
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1][2]
[1][2]
-
-
-
-
-
-
500
625
200
K / W
K / W
K / W
晶体管安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
适用于所有可用的选项组。
BC817_BC817W_BC337_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年11月17日
4 19
恩智浦半导体
BC817 ; BC817W ; BC337
45 V ， 500毫安NPN通用晶体管
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止电流
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 20 V
I
E
= 0 ; V
CB
= 20 V;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
BC817 ; BC817W ; BC337
BC817-16 ; BC817-16W ;
BC337-16
BC817-25 ; BC817-25W ;
BC337-25
BC817-40 ; BC817-40W ;
BC337-40
h
FE
V
CESAT
V
BE
C
c
f
T
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
V
BE
大约降低2毫伏/ K随温度的升高。
民
-
-
-
[1]
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
最大
100
5
100
600
250
400
600
-
700
1.2
-
-
单位
nA
μA
nA
I
C
= 0 ; V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1 V
100
100
160
250
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1 V
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的
[1]
[1]
40
-
-
-
100
mV
V
pF
兆赫
[2]
[1]
[2]
BC817_BC817W_BC337_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年11月17日
5 19
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