恩智浦半导体
产品数据表
通用控制雪崩
（双）二极管
特点
小型塑料SMD封装
开关速度：最大。 50纳秒
一般应用
连续反向电压：最大。 90 V
重复峰值反向电压：最大。 110 V
重复峰值正向电流：最大。 600毫安
重复峰值反向电流：最大。 600毫安。
应用
通用开关在如表面贴装
电路。
描述
通用开关二极管平面制作
技术，并封装在小矩形塑料
SMD SOT23封装。该BAS29由一个单一的
二极管。该BAS31具有两个二极管串联。该BAS35
有两个二极管具有公共阳极。
记号
3
手册， halfpage
2
BAS29 ; BAS31 ; BAS35
钉扎
描述
针
BAS29
1
2
3
阳极
阴极
BAS31
阳极
常见
连接
BAS35
阴极（K1）
阴极（K2）
常见
阳极
没有连接阴极
1
2
3
3
一。简化的轮廓。
。 BAS31二极管。
1
2
北卡罗来纳州
1
2
3
。 BAS35二极管。
1
类型编号
BAS29
BAS31
BAS35
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
= W ：中国制造。
记号
CODE
(1)
B 。 BAS29二极管。
L20或
A8
L21或
V1
L22或
V2
MAM233
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
2003年03月20
2
恩智浦半导体
产品数据表
通用控制雪崩
（双）二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
RRM
V
R
I
F
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
参数
条件
BAS29 ; BAS31 ; BAS35
分钟。
马克斯。
单位
110
90
250
150
600
V
V
mA
mA
mA
单二极管装;见图2 ;
注1
双二极管装;见图2 ;
注1
I
FRM
I
FSM
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
方波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;见图4
t = 1
s
t = 100
s
t=1s
65
10
4
0.75
250
600
5
+150
150
A
A
A
mW
mA
mJ
°C
°C
P
合计
I
RRM
E
RRM
T
英镑
T
j
记
总功耗
反向重复峰值电流
反向重复峰值能量
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
t
p
≥
50
s;
f
≤
20赫兹;牛逼
j
= 25
°C
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
2003年03月20
3
恩智浦半导体
产品数据表
通用控制雪崩
（双）二极管
图形数据
MBG440
BAS29 ; BAS31 ; BAS35
手册， halfpage
300
手册， halfpage
600
MBH280
IF
（MA ）
200
(1)
IF
（MA ）
400
(1)
(2)
(3)
100
(2)
200
0
0
100
TAMB （
o
C)
200
0
0
1
VF （ V）
2
设备安装在一FR4印刷电路板。
（ 1）单二极管装。
（ 2 ）双二极管装。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压。
10
2
手册，全页宽
IFSM
(A)
MBH327
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP （微秒）
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
2003年03月20
5
SMD型
KAS29/KAS31/KAS35
(BAS29/BAS31/BAS35)
Typlcal特点
二极管
设备安装在一FR4印刷电路板。
（ 1）单二极管装。
（ 2 ）双二极管装。
（1）环境温度为150
（ 2 ） TJ = 25
（ 3 ） TJ = 25
;典型值。
;典型值。
;最大值。
图1中允许的最大持续前进
当前环境温度的函数。
图2正向电流的函数
正向电压。
基于方波电流。
TJ = 25 °暴涨之前。
C
图3允许的最大非重复性峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
www.kexin.com.cn
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
通用控制雪崩
（双）二极管
图形数据
BAS29 ; BAS31 ; BAS35
手册， halfpage
300
MBG440
手册， halfpage
600
MBH280
IF
（MA ）
200
(1)
IF
（MA ）
400
(1)
(2)
(3)
100
(2)
200
0
0
100
TAMB （
o
C)
200
0
0
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
1
VF （ V）
2
设备安装在一FR4印刷电路板。
（ 1）单二极管装。
（ 2 ）双二极管装。
Fig.2
允许的最大持续前进
当前环境温度的函数。
Fig.3
正向电流为一个函数
正向电压。
10
2
手册，全页宽
IFSM
(A)
MBH327
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP （微秒）
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1999年5月21日
5
BAS35
BAS35
接线图
3
3
3
2
1
L22
1
2
1
2
SOT-23
小信号二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
价值
120
200
1.0
2.0
-55到+150
150
单位
V
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
350
357
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
V
F
参数
击穿电压
正向电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 400毫安
V
R
= 90 V
V
R
= 90 V，T
A
= 150°C
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
= I
R
= 10 mA时，我
RR
= 1.0毫安，
R
L
= 100
民
120
最大
750
840
900
1.0
1.25
100
100
35
50
单位
V
mV
mV
mV
V
V
nA
A
pF
ns
I
R
C
T
t
rr
反向电流
总电容
反向恢复时间
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BAS35 ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
TRANSYS
电子
L I M I T E
SOT- 23 BAS29 ， BAS31 ， BAS35
硅平面外延高速二极管
BAS29单个二极管，串联BAS31双二极管BAS35和双二极管，公共阳极。
记号
BAS29- L20
BAS31 = L21
BAS35 = L22
包装外形细节
在M中所有尺寸
m
2
1
BAS29
3
2
1
BAS31
3
2
1
BAS35
3
绝对最大额定值
（每二极管）
连续反向电压
重复峰值正向电流
正向电流
结温
在我正向电压
F
= 50毫安
从切换时的反向恢复时间
I
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
V
R
I
FRM
I
F
T
j
V
F
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
＆ LT ;
90
600
250
150
0.84
V
mA
mA
°C
V
t
rr
＆ LT ;
75纳秒
评级
（每二极管） （在T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
极限值
连续反向电压
V
R
重复峰值正向电流
I
FRM
反向重复峰值电流
I
RRM
马克斯。
马克斯。
马克斯。
90 V
600毫安
600毫安
BAS29 ， BAS31 ， BAS35
平均正向电流整流
（平均超过任何20 ms周期）
非重复峰值正向电流
T = 1微秒;牛逼
j
= 25 ° C至前激增;每个晶
T = 1秒;牛逼
j
= 25 ° C至前激增;每个晶
正向电流（ D）
反向重复峰值能量
t
p
≥
50微秒; F
≤
20赫兹;牛逼
j
= 25 °C
储存温度
结温
热阻
从结点到环境*
特征
（每二极管）
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
正向电压
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 400毫安
反向电流
V
R
= 90 V
V
R
= 90 V ;牛逼
AMB
= 150 °C
反向雪崩击穿电压
I
R
= 1毫安
二极管电容
V
R
= 0; F = 1 MHz的
从切换时的反向恢复时间
I
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
I
F（ AV ）
I
FSM
I
F
E
RRM
TSTG
Tj
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
250毫安
3 A
0.75 A
250毫安
马克斯。
5.0兆焦耳
-55 + 150℃
马克斯。
150 °C
R
日J-一
=
430 K / W
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
V
（ BR ）R
C
d
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
0.75
0.84
0.90
1.00
1.25
V
V
V
V
V
100 nA的
100 A
120至175 V
＆ LT ;
35 pF的
t
rr
＆ LT ;
75纳秒
*当安装在8毫米× 10毫米× 0.7mm的陶瓷基板。
BAS31 ， BAS35
BAS31 ， BAS35
表面贴装小信号双二极管
Kleinsignal - Doppel - Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2011-10-11
功耗 - Verlustleistung
2.9
0.4
±0.1
350毫瓦
120 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
±0.1
3
1
2
1.9
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值（T
A
= 25°C)
每个二极管/二极管亲
功耗 - Verlustleistung
1
)
马克斯。平均正向电流（ DC ）
Dauergrenzstrom
重复峰值正向电流
Periodischer Spitzenstrom
不重复峰值正向浪涌电流
Stostrom - Grenzwert
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 s
P
合计
I
FAV
I
FRM
I
FSM
I
FSM
V
RRM
T
j
T
S
2.5
1.3
TYPE
CODE
最大
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BAS31 ， BAS35
350毫瓦
2
)
200毫安
2
)
600毫安
2
)
1A
2A
120 V
-55...+150°C
-55...+150°C
特性（T
j
= 25°C)
正向电压
3
)
Durchlass - Spannung
3
)
I
F
I
F
I
F
I
F
I
F
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
=
=
=
=
=
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
400毫安
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
Kennwerte （T
j
= 25°C)
< 750毫伏
< 840毫伏
< 900毫伏
< 1.00 V
< 1.25 V
< 100 nA的
< 100 μA
漏电流
Sperrstrom
V
R
= 90 V
V
R
= 90 V
1
2
3
两个二极管的总功耗 - 郑树森德Verlustleistungen beider Dioden
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BAS31 ， BAS35
特性（T
j
= 25°C)
马克斯。结电容 - 马克斯。 Sperrschichtkapazitt
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间 - Sperrverzug
I
F
= 10毫安尤伯杯/经过我
R
= 10毫安双/到我
R
= 1毫安
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
C
T
t
rr
R
THA
Kennwerte （T
j
= 25°C)
35 pF的
< 50纳秒
< 400 K / W
1
)
概要 - Gehuse
3
穿针 - Anschlubelegung
双二极管，串联
Doppeldiode ， Reihenschaltung
标记 - Stempelung
BAS31 = L21
1
3
2
1 = A1
2 = K2
3 = K1 / A2
双二极管，共阳极
Doppeldiode ， gemeinsame阳极
1
2
BAS35 = L22
1 = K1
2 = K2
3 = A1/A2
120
[%]
100
10
[A]
1
80
T
j
= 125°C
60
10
-1
40
10
-2
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
T
j
= 25°C
I
F
10
-3
0
V
F
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
功耗与环境温度）
1
Verlustleistung在ABH 。冯明镜Umgebungstemp 。 ）
正向特性（典型值）
Durchlasskennlinien （ typische Werte ）
1
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
产品speci fi cation
KAS29/KAS31/KAS35
(BAS29/BAS31/BAS35)
Typlcal特点
设备安装在一FR4印刷电路板。
（ 1）单二极管装。
（ 2 ）双二极管装。
（1）环境温度为150
（ 2 ） TJ = 25
（ 3 ） TJ = 25
;典型值。
;典型值。
;最大值。
图1中允许的最大持续前进
当前环境温度的函数。
图2正向电流的函数
正向电压。
基于方波电流。
TJ = 25 °暴涨之前。
C
图3允许的最大非重复性峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
3 4
QQ：2880707522 复制
