【分立半导体数据表书， halfpageM3D186BC636 ; BC638 ; BC640PNP中】,IC型号BC638-16,BC638-16 PDF资料,BC638-16经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D186

BC636 ; BC638 ; BC640

PNP中功率晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据3月7日

1999年04月23

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP中功率晶体管

特点

大电流（最大1 A）

低电压（最大80 V）。

应用

音频和视频放大器。

描述

PNP中功率晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料

封装。 NP补充： BC635 ， BC637和BC639 。

手册， halfpage

BC636 ; BC638 ; BC640

钉扎

针

BASE

集热器

辐射源

描述

MAM285

Fig.1

简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）

和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

BC636

BC638

BC640

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BC636

BC638

BC640

EBO

合计

英镑

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C;

注1

集电极开路

开基

1.5

200

0.83

+150

150

+150

°C

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

100

分钟。

马克斯。

单位

1999年04月23

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP中功率晶体管

热特性

符号

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

EBO

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

= 0; V

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

BC636 ; BC638 ; BC640

价值

150

单位

K / W

分钟。

100

马克斯。

100

250

160

250

0.5

1.6

单位

= 0; V

V ;牛逼

= 150

°C

= 0; V

V ;见图2

150

500

直流电流增益

BC636-10

BC636-16 ; BC638-16 ; BC640-16

CESAT

FE1

-----------

FE2

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

的直流电流增益比

互补对

500

毫安;我

500

毫安; V

= 150毫安;

= 2 V

150

毫安; V

V ;见图2

兆赫

毫安; V

V ; F = 100 MHz的100

1999年04月23

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP中功率晶体管

BC636 ; BC638 ; BC640

手册，全页宽

160

MBH730

的hFE

120

VCE =

IC （MA ）

图2直流电流增益;典型值。

1999年04月23

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP中功率晶体管

包装外形

塑料单端含铅（通孔）包; 3引线

BC636 ; BC638 ; BC640

SOT54

2.5

规模

5 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

5.2

5.0

0.48

0.40

0.66

0.56

0.45

0.40

4.8

4.4

1.7

1.4

4.2

3.6

2.54

1.27

14.5

12.7

(1)

2.5

记

这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。

概要

VERSION

SOT54

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-92

EIAJ

SC-43

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月23

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