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BFG 19S
NPN硅晶体管RF
对于低噪声，低失真宽带
天线放大器
电信系统中高达1.5千兆赫
集电极电流为10 mA至70毫安
4
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
1
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S


3
2
1
VPS05163
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BFG 19S
最大额定值
参数
记号
BFG19S
1=E
引脚配置
2=B
3=E
4=C
包
SOT-223
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
75 °C
1)
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
价值
15
20
20
3
100
12
1
150
-65 ... 150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗，
T
S
mA
W
°C

75
K / W
1
Oct-26-1999
BFG 19S
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 2 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V
h
FE
40
100
220
-
I
EBO
-
-
10
A
I
CBO
-
-
100
nA
I
CES
-
-
100
A
V
（ BR ） CEO
15
-
-
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Oct-26-1999
BFG 19S
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
值
参数
分钟。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大可用
F)
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
,
-
-
IP
3
,
-
11
5
35
-
-
-
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
三阶截点
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
f
= 900兆赫
G
ma
-
-
13.5
8
-
-
F
-
-
2.5
4
-
-
C
eb
-
4.6
-
C
ce
-
0.4
-
C
cb
-
0.85
1.4
f
T
4
5.5
-
典型值。
马克斯。
单位
GHz的
pF
dB
1
G
ma
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)

DBM

3
Oct-26-1999
BFG 19S
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*,
T
S
)
*包装安装在环氧
1200
mW
1000
900
T
S
P
合计
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
A
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
2
10
2
K / W
P
totmax
/ P
totDC
-
10
1
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
4
Oct-26-1999
BFG 19S
集电极 - 基极电容
C
cb
=
f
(V
CB
)
f
= 1MHz的
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
=参数
2.6
pF
6.0
GHz的
5V
3V
2V
2.2
2.0
1.8
5.0
4.5
C
cb
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
4
8
12
16
V
f
T
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0
mA
0.7V
1V
22
20
40
60
80
120
V
CB
I
C
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
F（我
C
)
f
= 0.9GHz
V
CE
=参数
14
10V
5V
dB
3V
2V
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
F（我
C
)
f
= 1.8GHz的
V
CE
=参数
10
dB
10V
5V
3V
10
6
2V
G
8
1V
G
4
1V
6
2
4
0.7V
0
0.7V
2
0
20
40
60
80
mA
120
-2
0
20
40
60
80
mA
120
I
C
I
C
5
Oct-26-1999
BFG 19S
NPN硅晶体管RF
对于低噪声，低失真宽带
天线放大器
电信系统可达1.5GHz
集电极电流为10 mA至70毫安
CECC型可供选择： CECC 50 002/259
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
订购代码标识
引脚配置
BFG 19S
BFG19S Q62702 - F1359
1=E
2=B
3=E
4=C
包
SOT-223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
值
15
20
20
3
100
12
W
1
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
≤
75
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
1)
T
S
≤
75 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
半导体集团
1
Dec-13-1996
BFG 19S
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
15
-
-
-
-
100
-
V
A
-
100
nA
-
100
A
-
10
-
40
220
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 2 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V
半导体集团
2
Dec-13-1996
BFG 19S
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
4
5.5
0.85
0.4
4.6
-
GHz的
pF
-
1.4
-
-
dB
-
-
2.5
4
-
-
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
C
cb
C
ce
-
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
C
eb
-
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益
2)
G
ma
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
Z
L
=
Z
LOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
-
-
11
5
-
-
DBM
-
35
-
-
-
13.5
8
-
-
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
三阶截点
IP
3
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 900兆赫
Z
S
=Z
L
= 50
2)
G
ma
= |S
21
/S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
半导体集团
3
Dec-13-1996
BFG 19S
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*,
T
S
)
*包装安装在环氧
1200
mW
1000
P
合计
900
T
S
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
T
A
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
2
10
2
R
thjs
K / W
P
totmax
/P
totDC
-
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
半导体集团
4
Dec-13-1996
BFG 19S
集电极 - 基极电容
C
cb
=
f
(V
CB
)
V
BE
=
v
be
= 0,
f
= 1MHz的
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
=参数
2.6
pF
2.2
6.0
GHz的
C
cb
2.0
1.8
1.6
1.4
f
T
5.0
4.5
4.0
3.5
5V
3V
2V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
4
8
12
16
V
V
R
22
1.5
1.0
0
20
40
60
80
mA
I
C
120
0.7V
3.0
2.5
2.0
1V
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
F（我
C
)
f
= 0.9GHz
V
CE
=参数
14
10V
5V
dB
3V
2V
10
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
F（我
C
)
f
= 1.8GHz的
V
CE
=参数
10
dB
10V
G
G
5V
3V
6
2V
8
1V
6
4
1V
2
4
0.7V
2
0
20
40
60
80
mA
I
C
120
0
0.7V
-2
0
20
40
60
80
mA
I
C
120
半导体集团
5
Dec-13-1996
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BS-A334RD
BC638-16
B43456A4398M003
B32521-C6153
BZT55C68
BAS85/T1
BR25080N-10SU-1.8
B43540A9187M087
BYM56B
BYM11-50
B45294R1157M419
BTA208-600D
BS616LV8017DI70
BQ3287EAMT
BAW56LT1
B1603
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFG19S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
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电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
BFG19S
NXP/INFINEON
2019
79600
SOT-223
原装正品 钻石品质 假一赔十
江苏芯钻时代电子科技有限公司
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电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
BFG19S
INFINEON
24+
5000
SOT-223
原装正品现货
深圳信泰电子器材有限公司
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电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BFG19S
INFINEON
24+
8000
SOT-223
100%原装正品，只做原装正品
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
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电话：13528893675
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
BFG19S
PH
22+
9600
SOT-22
全新原装现货热卖可长期供货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BFG19S
PHILIPS/飞利浦
2443+
23000
SOT-223
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BFG19S
INFINEON/英飞凌
24+
12300
SOT-223
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华胜英科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ：1402770874 复制

电话：13711580601
联系人：郭
地址：深圳市福田区华强北华强广场B座
BFG19S
INFINEON
22+/23+
1000
SOT-223
原装正品 力挺实单
深圳市芯福林电子科技有限公司
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电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BFG19S
INENOI原装
21+22+
27000
SOT223
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BFG19S
INENOI原装
02+
20950
SOT223
原装正品，支持实单
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BFG19S
NXP
24+
9850
SOT223
100%原装正品，可长期订货
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