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BC546/547/548/549/550
BC546/547/548/549/550
开关和应用
高压： BC546 ，V
首席执行官
=65V
低噪声： BC549 ， BC550
补到BC556 BC560 ...
1
TO-92
1.收藏家2.基地3.发射
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
： BC546
： BC547 / 550
： BC548 / 549
价值
80
50
30
65
45
30
6
5
100
500
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压： BC546
： BC547 / 550
： BC548 / 549
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散功率
结温
储存温度
： BC546 / 547
： BC548 /五百五十○分之五百四十九
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
C
ib
NF
参数
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
： BC546 / 548分之547
： BC549 / 550
： BC549
： BC550
测试条件
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=2mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
V
CE
= 5V ，我
C
=2mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
=200A
F = 1kHz时，R
G
=2K
V
CE
= 5V ，我
C
=200A
R
G
= 2KΩ ， F = 30 15000MHz
580
分钟。
110
90
200
700
900
660
300
3.5
9
2
1.2
1.4
1.4
10
4
4
3
6
700
720
典型值。
马克斯。
15
800
250
600
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
pF
dB
dB
dB
dB
单位
nA
h
FE
分类
分类
h
FE
2002仙童半导体公司
A
110 ~ 220
B
200 ~ 450
C
420 ~ 800
修订版A2 ， 2002年8月
BC546/547/548/549/550
典型特征
100
100
80
I
B
= 350
A
I
B
= 300
A
I
B
= 250
A
I
B
= 200
A
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
I
B
= 400
A
V
CE
= 5V
10
60
40
I
B
= 150
A
I
B
= 100
A
1
20
I
B
= 50
A
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
图1.静态特性
图2.传输特性
V
BE
（SAT） ，V
CE
（SAT） [毫伏] ，饱和电压
10000
V
CE
= 5V
1000
I
C
= 10 I
B
h
FE
，直流电流增益
1000
V
BE
（SAT）
100
100
10
V
CE
（SAT）
1
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图3.直流电流增益
图4.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
100
1000
f
T
，电流增益带宽积
C
ob
[ pF的] ，电容
f=1MHz
I
E
= 0
10
V
CE
= 5V
100
1
10
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
1
10
100
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
I
C
[马] ，集电极电流
图5.输出电容
图6.电流增益带宽积
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年8月
BC546/547/548/549/550
包装尺寸
TO-92
4.58
–0.15
+0.25
0.46
14.47
±0.40
±0.10
4.58
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
3.60
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
0.38
–0.05
+0.10
3.86MAX
1.02
±0.10
0.38
–0.05
+0.10
(R2.29)
(0.25)
单位：毫米
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年8月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
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B64290P0687X046
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BF720
BAS70-06
BAS7006
B82799S0223N001
BRX48
B43584E2279M007
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BC86916
BT139X-800F
BD6963AFUJ
B43252B0157M000
B37941R9101K041
B37981M1101K054
BL-BG4331M
BA223-60
B41821A2687M000
BZX384-C39
BZX384C39
供货商
型号
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数量
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单价/备注
操作
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ON/安森美
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18600
TO-92
全新原装正品/质量有保证
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百分百进口正品原装现货 支持实单！
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电话：755-83252273
联系人：郑
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24+
90000
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㊣10/11+
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23+
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电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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FSC
21+22+
27000
TO-92
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
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联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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原装正品，支持实单
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
BC547BTA
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FAIRCHILD/仙童
2410+
1181
TO-92
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.
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