SMD型
肖特基势垒（双）二极管
BAS70系列
二极管
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
低正向电流
高的击穿电压
保护环
小型塑料SMD封装
低电容二极管。
1
2
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
R
日J-一
-65
tp
1 s;
TP < 10毫秒
-65
0.5
条件
民
最大
70
70
70
100
+150
150
+150
500
K / W
单位
V
mA
mA
mA
电极特T A = 25
P ARAM ETER
正向电压
S YM BOL
V
F
条件
I
F
= 1米
I
F
= 10m的
I
F
= 15μm的
反向电压漏电流
载流子寿命添 （K rakauer米ethod ）
二极管电容
记
1. P ulse测试：吨
p
= 300
s; = 0.02
C
d
I
R
V
R
= 50 V ;注1
V
R
= 70 V ;注1
I
F
= 5m的
F = 1M的赫兹; V
R
= 0;
米斧
410
750
1
100
10
100
2
单位
mV
mV
V
nA
A
ps
pF
记号
TYPE
记号
BAS70
73*
BAS70-04
74*
BAS70-05
75*
BAS70-06
76*
BAS70-07
77p
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
BAS70 / -04 / -05 / -06
表面贴装肖特基二极管
特点
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和ESD保护。
BAS70
3
BAS70-04
3
BAS70-05
3
BAS70-06
3
SOT- 23塑料包装
BAS70标识代码：
73
BAS70-04标识代码：
74
BAS70-05标识代码：
75
BAS70-06标识代码：
76
1
2
1
2
1
2
1
2
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
正向连续电流
非重复性峰值正向浪涌电流@ tp<1s
功耗
热阻结到环境空气
工作结温范围
存储温度范围
1)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
θ
JA
T
J
T
S
价值
70
200
1)
600
1)
200
1)
430
1)
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
mW
K / W
O
C
C
O
设备上的玻璃基板
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
=1mA
在我
F
=15mA
漏电流
在V
R
=50V
反向击穿电压
测试了10μA
反向恢复时间
从我
F
=通过我10毫安
R
= 10mA至我
R
=1mA
电容
在VR = 0V ， F = 1MHz的
符号
V
F
V
F
I
R
V
（ BR ）R
t
rr
C
合计
分钟。
马克斯。
410
1000
单位
mV
mV
nA
V
ns
pF
-
-
-
70
-
-
100
-
5
2
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/10/2005
BAS70/-04/-05/-06
公司Bauelemente
表面贴装肖特基势垒二极管
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
特点
SOT-23
A
L
·
·
·
低导通电压
低正向电压 - 0.75V （最大值） @ I F = 10毫安
非常低电容 - 不到2.0pF @ 0V
对于高速开关应用中，电路保护
暗淡
A
B
C
D
G
H
C
民
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
顶视图
B·S
机械数据
V
G
·
·
·
·
·
案例： SOT -23 ，模压塑料
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：见下面图表
重量： 0.008克（约）
安装位置：任意
1
2
3
J
K
J
D
H
K
L
S
V
单位：mm外形尺寸
3
3
3
3
1
2
1
2
1
2
1
2
BAS70标志： K73 ， BE ， 73
BAS70-04标志： K74 ， 74
BAS70-05标志： K75 ， 75
BAS70-06标志： K76 ， 76
最大额定值
（T J = 150℃除非另有说明）
等级
反向电压
前向功率耗散
@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作结存储温度范围
正向连续电流
单正向电流
t
v
10 m
符号
VR
PF
225
1.8
TJ ， TSTG
I
FM
- 55 + 150
70
100
mW
mW/5C
O
O
价值
70
单位
伏
5C
O
mA
mA
I
FSM
电动
特征
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压（IR = 10
A)
总电容（ VR = 0 V ， F = 1.0兆赫）
反向漏电流（ VR = 50 V ）
（ VR = 70 V）
正向电压（ IF = 1.0 MADC ）
正向电压（ IF = 10 MADC ）
正向电压（ IF = 15 MADC ）
符号
V（ BR ）R
CT
IR
VF
VF
VF
民
70
—
—
—
—
—
—
最大
—
2.0
0.1
10
410
750
1.0
单位
伏
pF
μAdc
MVDC
MVDC
VDC
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知individua
01君2002年修订版A
第1页2
BAS70/–04/–05/–06
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时，买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，因
直接或间接的个人损害，伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85507
第1版， 01 -APR- 99
恩智浦半导体
BAS70系列; 1PS7xSB70系列
通用肖特基二极管
1.4快速参考数据
表2中。
符号
每二极管
I
F
V
F
V
R
[1]
快速参考数据
参数
正向电流
正向电压
反向电压
I
F
= 1毫安
[1]
条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
70
410
70
单位
mA
mV
V
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
符号
BAS70H ; 1PS76SB70 ; 1PS79SB70
1
1
001aab540
2
sym001
2
BAS70L
1
2
阴极
阳极
[1]
1
1
2
2
sym001
透明
顶视图
BAS70 ; BAS70W
1
2
3
阳极
没有连接
阴极
1
2
006aaa144
3
1
3
2
北卡罗来纳州
006aaa436
BAS70-04 ; BAS70-04W
1
2
3
阳极（二极管1 ）
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管1） ，
阳极（二极管2 ）
1
2
006aaa144
3
1
3
2
006aaa437
BAS70_1PS7XSB70_SER_9
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本09 - 2010年1月13日
2 20
恩智浦半导体
BAS70系列; 1PS7xSB70系列
通用肖特基二极管
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
S2
G
73*
AH
S8
73*
74*
74*
75*
类型编号
BAS70-05W
BAS70-06
BAS70-06W
BAS70-07
BAS70-07S
BAS70-07V
BAS70VV
BAS70XY
-
标识代码
[1]
75*
76*
76*
77*
77*
77
N1
70*
-
类型编号
1PS76SB70
1PS79SB70
BAS70
BAS70H
BAS70L
BAS70W
BAS70-04
BAS70-04W
BAS70-05
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
反向电压
正向电流
正向重复峰值
当前
非重复性峰值正向
当前
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
-
最大
70
70
70
100
150
+150
+150
单位
V
mA
mA
mA
°C
°C
°C
t
p
≤
1 s;
δ ≤
0.5
t
p
≤
10毫秒
[1]
-
-
-
65
65
T
j
= 25
°C
前激增。
BAS70_1PS7XSB70_SER_9
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本09 - 2010年1月13日
5 20
BAS7 0 / -04 / -05 / -06
开关二极管
SOT-23
特点
低导通电压
快速开关
也可以在无铅版本
BAS70标记： 73
BAS70-04标志： 74
BAS70-05标志： 75
BAS70-06标志： 76
最大额定值@T
A
=25
℃
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
直流电压
正向连续电流
功耗
结温
储存温度
参数
价值
70
70
200
150
-55-150
单位
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
反向击穿电压
反向电压
前锋
二极管
电压
电容
漏电流
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
D
t
rr
TEST
I
R
= 10A
V
R
=50V
I
F
=1mA
I
F
=15mA
V
R
=0V
f=1MHz
条件
民
70
120
410
1000
2
5
最大
单位
V
nA
mV
pF
nS
尊恢复时间
I
F
=I
R
=10mA,I
rr
=0.1xI
R
,
R
L
=100
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
BAS70 / -04 / -05 / -06
200米瓦表面贴装肖特基二极管
SOT-23
0.020(0.51)
0.015(0.37)
特点
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和ESD
保护
0.080(2.05)
0.070(1.78)
0.024(0.61)
0.018(0.45)
0.120(3.05)
0.104(2.65)
0.055(1.40)
0.047(1.19)
0.098(2.50)
0.083(2.10)
0.041(1.05)
0.047(0.89)
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
终端：每MIIL - STD- 202焊接的，
方法208
标志着&极性：见下图
重量： 0.008克
0.043(1.10)
0.035(0.89)
0.006(0.15)
0.001(0.013)
0.024(0.61)
0.018(0.45)
0.007(0.178)
0.003(0.076)
尺寸以英寸（毫米）
BAS70标记： 73
BAS70-04标志： 74
BAS70-05标志： 75
BAS70-06标志： 76
最大额定值
类型编号
TA
25
o
C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
BAS70
70
49
70
100
200
625
-55 + 125
-65到+ 150
单位
V
V
mA
mA
mW
K / W
o
o
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流
@ t
≦1.0s
功率耗散（注1 ）
热阻结到环境空气
（注1 ）
工作结温范围
存储温度范围
I
F
I
FSM
Pd
R
θJA
T
J
T
英镑
符号
V
（ BR ）
I
R
V
F
Cj
TRR
民
70
_
_
_
_
C
C
电气特性
类型编号
反向击穿电压（注2 ） ， IR = 10uA的
反向漏电流tp<300us ， VR = 50V
正向电压降
结电容
注意事项：
TP = 300US ， IF = 1.0毫安
tp<300us ， IF = 15毫安
VR = 0 ， F = 1.0MHz的
最大
100
410
1000
2.0
5.0
单位
nA
mV
pF
nS
反向恢复时间（注3 ）
1.有效的规定，终端被保持在环境温度下进行。
2.测试周期< 3000uS 。
3.反向恢复测试条件： IF = IR = 10毫安， IRR = 1.0毫安， RL = 100Ω 。
- 14 -
版本： C07
额定值和特性曲线（ BAS70 / -04 / -05 / -06 ）
FIG.1-功耗降低曲线
峰值正向浪涌电流。 （MA ）
Fig.2-最大非重复性峰值
正向浪涌电流每支架
100
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
P
D
，功耗（毫瓦）
200
100
50
0
0
0
25
50
75
100
125
1
2
T
A
，环境温度（ C）
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
FIG.3-典型正向特性
100
T
A
= 125
0
C
FIG.4-典型的反向特性
10000
T
A
= 125
0
C
I
F
瞬时正向电流。 （MA ）
I
R
，瞬时反向电流。 （ nA的）
T
A
= 75
0
C
1000
T
A
= 75
0
C
10
T
A
= 25
0
C
100
T
A
= 25
0
C
1
T
A
= 0
0
C
10
T
A
= 0
0
C
T
A
= -40
0
C
1
T
A
= -40
0
C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
V
F,
正向电压。 （V ）
V
R
，反向电压。 （V ）
FIG.5-典型的总电容VS
反向电压
100
F = 1.0MHz的
2.0
FIG.6-典型瞬态热
特征
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
结电容（pF ）
10
1.0
1
0
0.1
0
5
10
反向电压
15
20
0.01
0.1
1
脉冲的持续时间。 （秒）
10
100
版本： C07
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BAS40
THRU
BAS70
表面贴装
肖特基二极管
200 mWatt
SOT-23
A
D
特点
SOT- 23封装用于表面贴装应用
保护从线到V
CC
和线对地
低正向电压和反向恢复特性
双向低进可用的用“ -04 ”后缀（图2）
磁带&卷轴EIA标准481 。
机械数据
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
安装位置：任意
重量： 0.008克（约）
C
B
最大额定值
工作温度： -55℃ + 125
存储温度： -55 ℃ + 150℃
功耗： 200毫瓦@ T
AMB
=25 C
BAS40
o
o
I
FM
=200mA
@
T
a
=
25 C
o
I
FM
=70mA
@
T
a
=
25 C
G
H
J
o
o
F
E
o
o
正向连续电流：
BAS70
o
正向电流浪涌： 600毫安@ T
p
<1s ，T
AMB
=25 C
K
尺寸
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
描述
肖特基势垒的二极管，在各种配置SOT- 23
提供了用于高速通用使用的软件包
交换器，混频器和检测器的应用程序。它们也可以是
用于信号完整性和抵消传输线
夹紧了/和下冲带（ PC）板恍惚的影响
从与肖特基势低阈值电压的信号反射。
这种类型的终止也并不依赖于匹配
所述传输线的特性阻抗，使得它
特别有用的，其中线交流阻抗是未知的或一
变量。终止可以控制的扭曲这个梅索德
时钟，数据，地址和控制线，以及提供了一个
稳定的信号抖动的影响。它也可以显著降低
功耗比标准电阻器为基础的
终止方法。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
.037
.950
.037
.950
修改：
A
www.mccsemi.com
1作者：
4
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel ：
3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
4
of
4
2011/01/01
1
BAS70/BAS70-04
BAS70-05/BAS70-06
表面贴装肖特基势垒二极管
产品特点：
*极快的开关速度
*低正向电压
*非常小的传导损耗
*肖特基势垒二极管封装在一个SOT- 23封装
小信号
肖特基二极管
70m
安培
70伏
描述：
这些肖特基势垒二极管被设计用于高速
开关应用电路保护，电压钳位，
极低的正向电压降低传导损耗，
微型表面贴装封装非常适合手持和
便携式应用中，空间是有限的。
1
2
3
SOT-23
SOT- 23外形尺寸
A
单位：mm
顶视图
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
民
0.35
1.19
2.10
0.85
0.46
1.70
2.70
0.01
0.89
0.30
0.076
最大
0.51
1.40
3.00
1.05
1.00
2.10
3.10
0.13
1.10
0.61
0.25
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/2
Rev.B的27 09年7月
BAS70/BAS70-04
BAS70-05/BAS70-06
最大额定值
反向电压
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
平均整流器正向电流
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
R
I
F（ AV ）
T
J
TSTG
价值
70
70
-55到+125
-55到+150
单位
V
mA
°C
°C
电气特性
特征
（ TA = 25℃除非另有说明）
符号
V（ BR ）R
民
70
最大
-
0.41
1.00
2
单位
伏
伏
PF
μAdc
nS
反向击穿电压（ IR = 100μA ）
正向电压
IF=1.0mA
IF=15mA
总电容
（ VR = 0V ， F = 1.0MHz的）
反向漏
VR=50V
反向恢复时间
IF = IR = 10毫安， IR （REC） = 1.0毫安
VF
-
-
-
-
CT
IR
0.1
TRR
5.0
器件标识
项
BAS70
BAS70-04
BAS70-05
BAS70-06
记号
73 ， BE
74 ， CG
75 ， EH
76 ， GK
Eqivalent Circuitdiagram
3
3
3
3
1
1
2
1
2
1
2
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/2
Rev.B的27 09年7月
QQ：2881677436 复制
