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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第798页 > BB506CFS-TL-H
初步
数据表
BB506C
内置偏置电路MOS FET IC
超高频射频放大器
特点
内置偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。
高增益
PG = 24 dB典型值。中（f = 900 MHz）的
低噪音
NF = 1.4 dB典型值。中（f = 900 MHz）的
低输出电容
COSS = 1.1 pF的典型值。中（f = 1 MHz）的
提供迷你模具封装： CMPAK - 4 （ SOT- 343mod ）
R07DS0288EJ0200
（上一篇： REJ03G1246-0100 ）
Rev.2.00
2011年3月28日
概要
瑞萨封装代码： PTSP0004ZA -A
（包名称： CMPAK - 4 ）
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注意事项：
1.标记为“ FS- 」 。
2. BB506C是RENESAS BBFET个别型号。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
6
+6
–0
+6
–0
30
250
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
注： 3。价值上的玻璃环氧树脂板（50毫米
40 mm
1 mm).
R07DS0288EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第1页8
BB506C
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
GATE1源击穿
电压
GATE2源击穿
电压
GATE1源截止
当前
GATE2源截止
当前
GATE1源截止
电压
GATE2源截止
电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
功率增益
噪声系数
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
I
G1SS
I
G2SS
V
G1S(off)
V
G2S(off)
I
D（ OP ）
|y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
PG
NF
民
6
+6
+6
—
—
0.5
0.4
12
27
1.2
0.7
19
—
典型值
—
—
—
—
—
0.8
0.7
16
32
1.6
1.1
24
1.4
最大
—
—
—
+100
+100
1.1
1.0
20
38
2.0
1.5
29
2.1
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
pF
pF
dB
dB
测试条件
I
D
= 200
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
I
G1
= +10
A,
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= +10
A,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= +5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
= +5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 5 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V
R
G
= 100 k
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V
R
G
= 100 kΩ的， F = 1千赫
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V
R
G
= 100 k F = 1 MHz的
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5V, V
G2S
= 4 V
R
G
= 100 k F = 900兆赫
偏置电路用于经营项目（I
D（ OP ）
, |y
fs
| ，西塞，科斯， NF ， PG ）
V
G2
门2
门1
R
G
V
G1
漏
A
I
D
来源
R07DS0288EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第2页8
BB506C
初步
900 MHz功率增益，噪声系数测试电路
V
G1
V
G2
C4
C5
V
D
C6
R1
R2
C3
G2
R3
D
L3
RFC
产量
(
50
Ω)
L4
输入
(
50
Ω)
L1
L2
G1
S
C1
C2
C1, C2
C3
C4至C6
R1
R2
R3
:
:
:
:
:
:
可变电容（ 10pF的MAX）
圆盘电容器（1000 pF的）
空气电容器（1000 pF的）
100 kΩ
47 kΩ
4.7 kΩ
L1:
10
L2:
10
26
（ φ1毫米铜线）
单位：mm
8
21
L4:
29
3
L3:
18
10
7
7
RFC ： F1毫米铜线珐琅4圈内部直径6毫米
R07DS0288EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
10
3
第3页8
BB506C
初步
主要特点
最大信道的功耗曲线
信道功率耗散P沟道* （MW ）
400
25
典型的输出特性
V
G2S
= 4 V
V
DS
= V
G1
20
82 kΩ
68 kΩ
300
I
D
（MA ）
15
100 kΩ
120 kΩ
200
漏电流
10
k
Ω
150 kΩ
100
5
R
G
80
=1
0
50
100
150
200
0
0
1
2
3
4
5
环境温度T
a
(°C)
*上的玻璃环氧树脂板值（50毫米
×
40 mm
×
1 mm)
漏极至源极电压V
DS
(V)
正向转移导纳
与GATE1电压
|y
fs
| （女士）
50
V
DS
= 5 V
V
G2S
=4 V
R
G
= 100 kΩ
F = 1千赫
漏电流与电压GATE1
25
V
DS
= 5 V
V
G2S
= 4 V
R
G
= 100 kΩ
I
D
（MA ）
20
40
正向转移导纳
4V
15
4V
3V
3V
2V
30
20
漏电流
10
5
V
G2S
= 1 V
0
0
1
2
3
4
5
10 V
G2S
= 0
2V
1V
0
0
1
2
3
4
5
GATE1电压V
G1
(V)
GATE1电压V
G1
(V)
漏电流与栅极电阻
25
5
输入电容与
GATE2至源极电压
V
DS
= 5 V
V
G1
= 5 V
R
G
= 100 kΩ
F = 1 MHz的
输入电容西塞（PF ）
100
1000
漏电流I
D
（MA ）
20
4
15
3
10
5
V
DS
= V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V
0
10
2
1
0
0
1
2
3
4
门阻抗R
G
(kΩ)
GATE2至源极电压V
G2S
(V)
R07DS0288EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第4页8
BB506C
功率增益主场迎战栅极电阻
50
V
DS
= 5 V
V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V
F = 900兆赫
初步
噪声系数与栅极电阻
5
V
DS
= 5 V
V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V
F = 900兆赫
功率增益PG （分贝）
NF（ dB）的
噪声系数
40
4
30
3
20
2
10
1
0
10
0
100
1000
10
100
1000
门阻抗R
G
(kΩ)
功率增益主场迎战
GATE2至源极电压
25
5
门阻抗R
G
(kΩ)
噪声系数与
GATE2至源极电压
V
DS
= 5 V
V
G1
= 5 V
R
G
= 100 kΩ
F = 900兆赫
NF（ dB）的
噪声系数
4
V
DS
= 5 V
V
G1
=5 V
R
G
= 100 kΩ
F = 900兆赫
1
2
3
功率增益PG （分贝）
20
4
15
3
2
10
5
1
0
0
1
2
3
4
GATE2至源极电压V
G2S
(V)
增益与减
GATE2至源极电压
40
V
DS
= 5 V
V
G1
= 5 V
R
G
= 100 kΩ
F = 900兆赫
GATE2至源极电压
V
G2S
(V)
增益降低GR （分贝）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
GATE2至源极电压V
G2S
(V)
R07DS0288EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第5页8
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