【初步数据表BB506C内置偏置电路MOS FET IC超高频射频放大器特点内置偏置电路;为了减少使用】,IC型号BB506CFS-TL-H,BB506CFS-TL-H PDF资料,BB506CFS-TL-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

BB506C

内置偏置电路MOS FET IC

超高频射频放大器

特点

内置偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。

高增益

PG = 24 dB典型值。中（f = 900 MHz）的

低噪音

NF = 1.4 dB典型值。中（f = 900 MHz）的

低输出电容

COSS = 1.1 pF的典型值。中（f = 1 MHz）的

提供迷你模具封装： CMPAK - 4 （ SOT- 343mod ）

R07DS0288EJ0200

（上一篇： REJ03G1246-0100 ）

Rev.2.00

2011年3月28日

概要

瑞萨封装代码： PTSP0004ZA -A

（包名称： CMPAK - 4 ）

1.源

2. GATE1

3. GATE2

4.漏

注意事项：

1.标记为“ FS- 」。

2. BB506C是RENESAS BBFET个别型号。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

GATE1至源极电压

GATE2至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

符号

G1S

G2S

PCH

Note3

总胆固醇

TSTG

评级

–0

250

150

-55到+150

单位

注： 3。价值上的玻璃环氧树脂板（50毫米

40 mm

1 mm).

R07DS0288EJ0200 Rev.2.00

2011年3月28日

第1页8

BB506C

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

GATE1源击穿

电压

GATE2源击穿

电压

GATE1源截止

当前

GATE2源截止

当前

GATE1源截止

电压

GATE2源截止

电压

漏电流

正向转移导纳

输入电容

输出电容

功率增益

噪声系数

符号

（ BR ） DSS

(BR)G1SS

(BR)G2SS

G1SS

G2SS

G1S(off)

G2S(off)

D（ OP ）

国际空间站

OSS

民

—

0.5

0.4

1.2

0.7

—

典型值

—

0.8

0.7

1.6

1.1

1.4

最大

—

+100

1.1

1.0

2.0

1.5

2.1

单位

测试条件

= 200

G1S

= V

G2S

= 0

= +10

G2S

= V

= 0

= +10

G1S

= V

= 0

G1S

= +5 V, V

G2S

= V

= 0

G2S

= +5 V, V

G1S

= V

= 0

= 5 V, V

G2S

= 4 V，I

= 100

= 5 V, V

G1S

= 5 V，I

= 100

= 5 V, V

G2S

= 4 V

= 100 k

= 5 V, V

G2S

= 4 V

= 100 kΩ的， F = 1千赫

= 5 V, V

G2S

= 4 V

= 100 k F = 1 MHz的

= 5 V, V

= 5V, V

G2S

= 4 V

= 100 k F = 900兆赫

偏置电路用于经营项目（I

D（ OP ）

, |y

| ，西塞，科斯， NF ， PG ）

门2

门1

漏

来源

R07DS0288EJ0200 Rev.2.00

2011年3月28日

第2页8

BB506C

初步

900 MHz功率增益，噪声系数测试电路

RFC

产量

(

Ω)

输入

(

Ω)

C1, C2

C4至C6

可变电容（ 10pF的MAX）

圆盘电容器（1000 pF的）

空气电容器（1000 pF的）

100 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

L1:

L2:

（ φ1毫米铜线）

单位：mm

L4:

L3:

RFC ： F1毫米铜线珐琅4圈内部直径6毫米

R07DS0288EJ0200 Rev.2.00

2011年3月28日

第3页8

BB506C

初步

主要特点

最大信道的功耗曲线

信道功率耗散P沟道* （MW ）

400

典型的输出特性

G2S

= 4 V

= V

82 kΩ

68 kΩ

300

（MA ）

100 kΩ

120 kΩ

200

漏电流

150 kΩ

100

150

200

环境温度T

(°C)

*上的玻璃环氧树脂板值（50毫米

40 mm

1 mm)

漏极至源极电压V

(V)

正向转移导纳

与GATE1电压

| （女士）

= 5 V

G2S

=4 V

= 100 kΩ

F = 1千赫

漏电流与电压GATE1

= 5 V

G2S

= 4 V

= 100 kΩ

（MA ）

正向转移导纳

漏电流

G2S

= 1 V

10 V

G2S

= 0

GATE1电压V

(V)

GATE1电压V

(V)

漏电流与栅极电阻

输入电容与

GATE2至源极电压

= 5 V

= 100 kΩ

F = 1 MHz的

输入电容西塞（PF ）

100

1000

漏电流I

（MA ）

= V

= 5 V

G2S

= 4 V

门阻抗R

(kΩ)

GATE2至源极电压V

G2S

(V)

R07DS0288EJ0200 Rev.2.00

2011年3月28日

第4页8

BB506C

功率增益主场迎战栅极电阻

= 5 V

G2S

= 4 V

F = 900兆赫

初步

噪声系数与栅极电阻

= 5 V

G2S

= 4 V

F = 900兆赫

功率增益PG （分贝）

NF（ dB）的

噪声系数

100

1000

100

1000

门阻抗R

(kΩ)

功率增益主场迎战

GATE2至源极电压

门阻抗R

(kΩ)

噪声系数与

GATE2至源极电压

= 5 V

= 100 kΩ

F = 900兆赫

NF（ dB）的

噪声系数

= 5 V

=5 V

= 100 kΩ

F = 900兆赫

功率增益PG （分贝）

GATE2至源极电压V

G2S

(V)

增益与减

GATE2至源极电压

= 5 V

= 100 kΩ

F = 900兆赫

GATE2至源极电压

G2S

(V)

增益降低GR （分贝）

GATE2至源极电压V

G2S

(V)

R07DS0288EJ0200 Rev.2.00

2011年3月28日

第5页8

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RENESAS

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SOT-343

原装现货假一赔十★品惠特价热卖

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地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402

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联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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全新原装正品/质量有保证

深圳市楷瑞达科技电子有限公司

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联系人：张

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RENESAS/瑞萨

22+

6920

SOT-343

公司现货，原装正品

上海金庆电子科技京城市场部

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