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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第798页 > BUF602IDBVR
Burr Brown的产品
德州仪器(TI)
BUF602
SBOS339 - 2005年10月
高速,闭环缓冲
特点
宽带: 1000MHz的
高压摆率: 8000V / μs的
灵活的电源电压范围:
±1.4V
to
±6.3V
双电源供电
+ 2.8V至+ 12.6V单电源
输出电流: 60毫安(连续)
峰值输出电流:350mA
低静态电流: 5.8毫安
标准缓冲液引脚
可选的中间电源电压基准缓冲器
描述
该BUF602是一个闭环缓冲器推荐
了广泛的应用。其宽的带宽
(为1000MHz )和高压摆率( 8000V / μs)内使
非常适合用于非常高频的信号。为
交流耦合应用,可选的中点
引用( V
REF
)被提供,减少的数量
需要的外部元件和必要
提供电流以提供参考。
该BUF602是在一个标准的可用的SO-8
表面贴装封装,并在SOT23-5封装,其中一个
需要更小的空间。
应用
低阻抗基准缓冲器
时钟分配电路
视频/广播设备
通信设备
高速数据采集
测试设备和仪器
+V
CC
为2kΩ输入
V
IN
x1
Z
O
& LT ; 2
到20MHz
V
OUT
2k
200
x1
1F
V
CC
/2
自引用,交流耦合,单电源缓冲
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年,德州仪器
BUF602
www.ti.com
SBOS339 - 2005年10月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成
电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的操作和安装
程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损害,因为非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
代号
D
的dBV
特定网络版
温度
范围
-45 ° C至+ 85°C
-45 ° C至+ 85°C
记号
BUF602
AWO
订购
BUF602ID
BUF602IDR
BUF602IDBVT
BUF602IDBVR
传输介质,
QUANTITY
轨, 75
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 250
磁带和卷轴, 3000
产品
BUF602
BUF602
(1)
SO-8
SOT23-5
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾或者看到TI
网站:
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
电源
内部功耗
输入共模电压范围
存储温度范围:研发, DBV
焊接温度(焊接, 10秒)
结温(T
J
)
ESD额定值:
人体模型( HBM )
充电设备模型( CDM)
机器模型( MM )
(1)
2000V
1000V
200V
±6.5V
DC
见热信息
±V
S
-40 ° C至+ 125°C
+300°C
+150°C
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定的不支持。
顶视图
OUT
1
50k
V
CC
+V
CC
NC
NC
In
1
50k
2
3
4
x1
200
x1
50k
6
5
V
REF
V
CC
5
7
NC
SOT235
4
8
OUT
V
REF
3
50k
2
200
x1
4
In
x1
5
+V
CC
SO8
NC =无连接
AWO
1
2
针方向/封装标识
3
2
BUF602
www.ti.com
SBOS339 - 2005年10月
电气特性: V
S
=
±5V
粗体
极限测试时
+25°C.
在r
L
= 100Ω ,除非另有说明。
BUF602ID , IDBV
典型值
参数
AC性能
带宽
条件
(参见图30)
V
O
= 500mV的
PP
V
O
= 1V
PP
全功率带宽
带宽0.1分贝平整度
压摆率
上升时间和下降时间
建立时间,以0.05%的
谐波失真
2nd-Harmonic
V
O
= 5V
PP
V
O
= 500mV的
PP
V
O
= 5V步骤
V
O
= 0.2V步
V
O
= 1V步
V
O
= 2V
PP
, 5MHz的
R
L
= 100
R
L
= 500
3rd-Harmonic
R
L
= 100
R
L
= 500
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益
微分相位
BUFFER DC性能
(4)
最大增益
最小增益
输入失调电压
平均输入失调电压漂移
输入偏置电流
平均输入偏置电流漂移
缓冲输入
输入阻抗
缓冲输出
输出电压摆幅
R
L
= 100
R
L
= 500
输出电流(连续)
峰值输出电流
闭环输出阻抗
电源
额定工作电压
最大工作电压
最低工作电压
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比( PSRR + )
V
S
=
±5V
V
S
=
±5V
5.8
5.8
54
±5
±6.3
±1.4
6.3
5.3
48
±6.3
±1.4
6.9
4.9
46
±6.3
±1.4
7.2
4.3
45
V
V
V
mA
mA
dB
典型值
最大
最大
C
A
B
A
A
A
V
O
= 0V
V
O
= 0V
f
10MHz
±3.8
±4.0
±60
±350
1.4
±3.7
±3.8
±50
±3.7
±3.8
±49
±3.7
±3.8
±48
V
V
mA
mA
典型值
典型值
B
A
A
C
C
1.0 || 2.1
MΩ || pF的
典型值
C
±3
±7
R
L
= 500
R
L
= 500
0.99
0.99
±16
1
0.98
±30
1
0.98
±36
±125
±8
±20
1
0.98
±38
±125
±8.5
±20
V/V
V/V
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
最大
最大
最大
最大
最大
A
A
A
B
A
B
F > 100kHz的
F > 100kHz的
NTSC ,R
L
= 150Ω至0V
NTSC ,R
L
= 150Ω至0V
–57
–76
–68
–98
4.8
2.1
0.15
0.04
–44
–63
–63
–85
5.1
2.6
–44
–62
–63
–84
5.6
2.7
–42
–60
–63
–82
6.0
2.8
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
°
最大
最大
最大
最大
最大
最大
典型值
典型值
B
B
B
B
B
B
C
C
1000
920
880
240
8000
350
6
7000
625
6000
640
5000
650
560
550
540
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ps
ns
典型值
典型值
典型值
最大
典型值
B
C
C
C
B
B
C
+25°C
最小/最大温度过高
+25°C
(2)
0℃至
70°C
(3)
-40 ° C至
+85°C
(3)
单位
MIN /
最大
考试级别
(1)
(1)
(2)
(3)
(4)
测试等级: ( A)100 % ,在25 ℃条件下测定。在特征值,模拟设定温度限制。 (二)限制由特性设置
和仿真。仅供参考 )典型值。
结点温度=室温为25 ° C规格。
结温度=环境低温极限;结温度=室温+ 8 ℃,在高温下限值以上
温度指标。
目前被认为是积极的出节点。
3
BUF602
www.ti.com
SBOS339 - 2005年10月
电气特性: V
S
=
±5V
(续)
粗体
极限测试时
+25°C.
在r
L
= 100Ω ,除非另有说明。
BUF602ID , IDBV
典型值
参数
热特性
产品规格: ID
热阻
θ
JA
D
的dBV
SO-8
SOT23-5
结到环境
结到环境
125
150
° C / W
° C / W
典型值
典型值
C
C
-40至+85
°C
典型值
C
条件
+25°C
最小/最大温度过高
+25°C
(2)
0℃至
70°C
(3)
-40 ° C至
+85°C
(3)
单位
MIN /
最大
考试级别
(1)
4
BUF602
www.ti.com
SBOS339 - 2005年10月
电气特性: V
S
= +5V
粗体
极限测试时
+25°C.
在r
L
= 100Ω到V
S
/ 2,除非另有说明。
BUF602ID , IDBV
典型值
参数
AC性能
带宽
条件
(参见图31)
V
O
= 500mV的
PP
V
O
= 1V
PP
全功率带宽
带宽0.1分贝平整度
压摆率
上升时间和下降时间
建立时间,以0.05%的
谐波失真
2nd-Harmonic
V
O
= 3V
PP
V
O
= 500mV的
PP
V
O
= 3V步骤
V
O
= 0.2V步
V
O
= 1V步
V
O
= 2V
PP
, 5MHz的
R
L
= 100
R
L
= 500
3rd-Harmonic
R
L
= 100
R
L
= 500
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益
微分相位
BUFFER DC性能
(4)
最大增益
最小增益
输入失调电压
平均输入失调电压漂移
输入偏置电流
平均输入偏置电流漂移
缓冲输入
输入阻抗
缓冲输出
大多数正输出电压
R
L
= 100
R
L
= 500
至少Positive输出电压
R
L
= 100
R
L
= 500
输出电流(连续)
峰值输出电流
闭环输出阻抗
中点参考输出
最大半山电源参考电压
最小中间电源参考电压
中间电源输出电流,采购
中间电源输出电流,下沉
中间电源输出阻抗
2.5
2.5
800
70
200
2.6
2.4
2.6
2.4
2.6
2.4
V
V
A
A
最大
典型值
典型值
典型值
A
A
C
C
C
V
O
= 0V
V
O
= 0V
f
10MHz
+3.9
+4.1
+1.1
+0.9
±60
±160
1.4
+3.7
+3.8
+1.3
+1.2
±50
+3.7
+3.8
+1.3
+1.2
±49
+3.7
+3.8
+1.3
+1.2
±48
V
V
V
V
mA
mA
最大
最大
典型值
典型值
B
A
B
A
A
C
C
1.0 || 2.1
MΩ || pF的
典型值
C
±3
±7
R
L
= 500
R
L
= 500
0.99
0.99
±16
1
0.98
±30
1
0.98
±36
±125
±8
±20
1
0.98
±38
±125
±8.5
±20
V/V
V/V
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
最大
最大
最大
最大
最大
A
A
A
B
A
B
F > 100kHz的
F > 100kHz的
NTSC ,R
L
= 100Ω到V
S
/2
NTSC ,R
L
= 100Ω到V
S
/2
–50
–73
–70
–73
4.9
2.2
0.16
0.05
–45
–62
–64
–72
5.2
2.7
–44
–61
–64
–72
5.7
2.8
–43
–60
–63
–71
6.1
2.9
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
°
最大
最大
最大
最大
最大
最大
典型值
典型值
B
B
B
B
B
B
C
C
780
700
420
130
2500
450
6
1800
875
1600
875
1400
900
400
400
390
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ps
ns
典型值
典型值
典型值
最大
典型值
B
C
C
C
B
B
C
+25°C
最小/最大温度过高
+25°C
(2)
0℃至
70°C
(3)
-40 ° C至
+85°C
(3)
单位
MIN /
最大
考试级别
(1)
(1)
(2)
(3)
(4)
测试等级: ( A)100 % ,在25 ℃条件下测定。在特征值,模拟设定温度限制。 (二)限制由特性设置
和仿真。仅供参考 )典型值。
结点温度=室温为25 ° C规格。
结温度=环境低温极限;结温度=室温+ 4 ℃,在高温下限值以上
温度指标。
目前被认为是积极的出节点。
5
BUF602
www.ti.com
......................................................................................................................................................
SBOS339B - 2005年10月 - 修订2008年5月
高速,闭环缓冲
1
特点
描述
该BUF602是一个闭环缓冲器推荐
了广泛的应用。其宽的带宽
(为1000MHz )和高压摆率( 8000V / μs)内使
非常适合用于非常高频的信号。为
交流耦合应用,可选的中点
引用( V
REF
)被提供,减少的数量
需要的外部元件和必要
提供电流以提供参考。
该BUF602是在一个标准的可用的SO-8
表面贴装封装,并在SOT23-5封装,其中一个
需要更小的空间。
宽带: 1000MHz的
高压摆率: 8000V / μs的
灵活的电源电压范围:
± 1.4V至± 6.3V双电源
+ 2.8V至+ 12.6V单电源
输出电流: 60毫安(连续)
峰值输出电流:350mA
低静态电流: 5.8毫安
标准缓冲液引脚
可选的中间电源电压基准缓冲器
2
应用
低阻抗基准缓冲器
时钟分配电路
视频/广播设备
通信设备
高速数据采集
测试设备和仪器
+V
CC
为2kΩ输入
V
IN
x1
Z
O
& LT ; 2
到20MHz
V
OUT
2k
200
x1
1F
V
CC
/2
自引用,交流耦合,单电源缓冲
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2005-2008 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
BUF602
SBOS339B - 2005年10月 - 修订2008年5月
......................................................................................................................................................
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
代号
D
的dBV
特定网络版
温度
范围
-45 ° C至+ 85°C
-45 ° C至+ 85°C
记号
BUF602
AWO
订购
BUF602ID
BUF602IDR
BUF602IDBVT
BUF602IDBVR
传输介质,
QUANTITY
轨, 75
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 250
磁带和卷轴, 3000
产品
BUF602
BUF602
(1)
SO-8
SOT23-5
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾或者看到TI
网站:
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
电源
内部功耗
输入共模电压范围
存储温度范围:研发, DBV
焊接温度(焊接, 10秒)
结温(T
J
)
ESD额定值:
人体模型( HBM )
充电设备模型( CDM)
机器模型( MM )
(1)
2000V
1000V
200V
±6.5V
DC
见热信息
±V
S
-65 ° C至+ 125°C
+300°C
+150°C
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定的不支持。
顶视图
OUT
1
50k
V
CC
+V
CC
NC
NC
In
1
50k
2
3
4
x1
200
x1
50k
6
5
V
REF
V
CC
7
NC
SOT235
8
OUT
V
REF
3
50k
2
200
x1
4
In
x1
5
+V
CC
5
SO8
NC =无连接
AWO
1
2
针方向/封装标识
2
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产品文件夹链接( S) :
BUF602
版权所有2005-2008 ,德州仪器
3
4
BUF602
www.ti.com
......................................................................................................................................................
SBOS339B - 2005年10月 - 修订2008年5月
电气特性: V
S
= ±5V
粗体
极限测试时
+25°C.
在r
L
= 100Ω ,除非另有说明。
BUF602ID , IDBV
典型值
参数
AC性能
带宽
条件
(参见图30)
V
O
= 500mV的
PP
V
O
= 1V
PP
全功率带宽
带宽0.1分贝平整度
压摆率
上升时间和下降时间
建立时间,以0.05%的
谐波失真
2nd-Harmonic
V
O
= 5V
PP
V
O
= 500mV的
PP
V
O
= 5V步骤
V
O
= 0.2V步
V
O
= 1V步
V
O
= 2V
PP
, 5MHz的
R
L
= 100
R
L
= 500
3rd-Harmonic
R
L
= 100
R
L
= 500
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益
微分相位
BUFFER DC性能
最大增益
最小增益
输入失调电压
平均输入失调电压漂移
输入偏置电流
平均输入偏置电流漂移
缓冲输入
输入阻抗
缓冲输出
输出电压摆幅
R
L
= 100
R
L
= 500
输出电流(连续)
峰值输出电流
闭环输出阻抗
电源
额定工作电压
最大工作电压
最低工作电压
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比( PSRR + )
热特性
产品规格: ID
热阻
θ
JA
D
的dBV
SO-8
SOT23-5
结到环境
结到环境
125
150
° C / W
° C / W
典型值
典型值
C
C
-40至+85
°C
典型值
C
V
S
= ±5V
V
S
= ±5V
5.8
5.8
54
±5
±6.3
±1.4
6.3
5.3
48
±6.3
±1.4
6.9
4.9
46
±6.3
±1.4
7.2
4.3
45
V
V
V
mA
mA
dB
典型值
最大
最大
C
A
B
A
A
A
V
O
= 0V
V
O
= 0V
f
10MHz
±3.8
±4.0
±60
±350
1.4
±3.7
±3.8
±50
±3.7
±3.8
±49
±3.7
±3.8
±48
V
V
mA
mA
典型值
典型值
B
A
A
C
C
1.0 || 2.1
MΩ || pF的
典型值
C
±3
±7
(4)
最小/最大温度过高
+25°C
(2)
0℃至
70°C
(3)
-40 ° C至
+85°C
(3)
单位
MIN /
最大
考试级别
(1)
+25°C
1000
920
880
240
8000
350
6
560
550
540
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
典型值
典型值
典型值
最大
典型值
B
C
C
C
B
B
C
7000
625
6000
640
5000
650
V / μs的
ps
ns
–57
–76
–68
–98
4.8
2.1
0.15
0.04
–44
–63
–63
–85
5.1
2.6
–44
–62
–63
–84
5.6
2.7
–42
–60
–63
–82
6.0
2.8
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
°
最大
最大
最大
最大
最大
最大
典型值
典型值
B
B
B
B
B
B
C
C
F > 100kHz的
F > 100kHz的
NTSC ,R
L
= 150Ω至0V
NTSC ,R
L
= 150Ω至0V
R
L
= 500
R
L
= 500
0.99
0.99
±16
1
0.98
±30
1
0.98
±36
±125
±8
±20
1
0.98
±38
±125
±8.5
±20
V/V
V/V
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
最大
最大
最大
最大
最大
A
A
A
B
A
B
(1)
(2)
(3)
(4)
测试等级: ( A) + 25° C 100 %测试。在特征值,模拟设定温度限制。 (二)限制由特性设置
和仿真。 ( C)仅作为参考的典型值。
结温度=室温为+ 25°C的规格。
结温度=环境低温极限;结温度=室温+ 8 ℃,在高温下限值以上
温度指标。
目前被认为是积极的出节点。
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电气特性: V
S
= +5V
粗体
极限测试时
+25°C.
在r
L
= 100Ω到V
S
/ 2,除非另有说明。
BUF602ID , IDBV
典型值
参数
AC性能
带宽
条件
(参见图31)
V
O
= 500mV的
PP
V
O
= 1V
PP
全功率带宽
带宽0.1分贝平整度
压摆率
上升时间和下降时间
建立时间,以0.05%的
谐波失真
2nd-Harmonic
V
O
= 3V
PP
V
O
= 500mV的
PP
V
O
= 3V步骤
V
O
= 0.2V步
V
O
= 1V步
V
O
= 2V
PP
, 5MHz的
R
L
= 100
R
L
= 500
3rd-Harmonic
R
L
= 100
R
L
= 500
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益
微分相位
BUFFER DC性能
最大增益
最小增益
输入失调电压
平均输入失调电压漂移
输入偏置电流
平均输入偏置电流漂移
缓冲输入
输入阻抗
缓冲输出
大多数正输出电压
R
L
= 100
R
L
= 500
至少Positive输出电压
R
L
= 100
R
L
= 500
输出电流(连续)
峰值输出电流
闭环输出阻抗
中点参考输出
最大的中端电源参考电压
最小中间电源参考电压
中间电源输出电流,采购
中间电源输出电流,下沉
中间电源输出阻抗
2.5
2.5
800
70
200
2.6
2.4
2.6
2.4
2.6
2.4
V
V
A
A
最大
典型值
典型值
典型值
A
A
C
C
C
V
O
= 0V
V
O
= 0V
f
10MHz
+3.9
+4.1
+1.1
+0.9
±60
±160
1.4
+3.7
+3.8
+1.3
+1.2
±50
+3.7
+3.8
+1.3
+1.2
±49
+3.7
+3.8
+1.3
+1.2
±48
V
V
V
V
mA
mA
最大
最大
典型值
典型值
B
A
B
A
A
C
C
1.0 || 2.1
MΩ || pF的
典型值
C
±3
±7
(4)
最小/最大温度过高
+25°C
(2)
0℃至
70°C
(3)
-40 ° C至
+85°C
(3)
单位
MIN /
最大
考试级别
(1)
+25°C
780
700
420
130
2500
450
6
400
400
390
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
典型值
典型值
典型值
最大
典型值
B
C
C
C
B
B
C
1800
875
1600
875
1400
900
V / μs的
ps
ns
–50
–73
–70
–73
4.9
2.2
0.16
0.05
–45
–62
–64
–72
5.2
2.7
–44
–61
–64
–72
5.7
2.8
–43
–60
–63
–71
6.1
2.9
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
°
最大
最大
最大
最大
最大
最大
典型值
典型值
B
B
B
B
B
B
C
C
F > 100kHz的
F > 100kHz的
NTSC ,R
L
= 100Ω到V
S
/2
NTSC ,R
L
= 100Ω到V
S
/2
R
L
= 500
R
L
= 500
0.99
0.99
±16
1
0.98
±30
1
0.98
±36
±125
±8
±20
1
0.98
±38
±125
±8.5
±20
V/V
V/V
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
最大
最大
最大
最大
最大
A
A
A
B
A
B
(1)
(2)
(3)
(4)
测试等级: ( A) + 25° C 100 %测试。在特征值,模拟设定温度限制。 (二)限制由特性设置
和仿真。 ( C)仅作为参考的典型值。
结温度=室温为+ 25°C的规格。
结温度=环境低温极限;结温度=室温+ 4 ℃,在高温下限值以上
温度指标。
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电气特性: V
S
= + 5V (续)
粗体
极限测试时
+25°C.
在r
L
= 100Ω到V
S
/ 2,除非另有说明。
BUF602ID , IDBV
典型值
参数
电源
额定工作电压
最大工作电压
最低工作电压
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比( PSRR + )
热特性
产品规格: ID
热阻
θ
JA
D
的dBV
SO-8
SOT23-5
结到环境
结到环境
125
150
° C / W
° C / W
典型值
典型值
C
C
-40至+85
°C
典型值
C
V
S
= +5V
V
S
= +5V
5.3
5.3
52
+5
+12.6
+2.8
5.8
4.8
46
+12.6
+2.8
6.3
4.5
44
+12.6
+2.8
6.5
3.9
43
V
V
V
mA
mA
dB
典型值
最大
最大
C
A
B
A
A
A
条件
+25°C
最小/最大温度过高
+25°C
(2)
0℃至
70°C
(3)
-40 ° C至
+85°C
(3)
单位
MIN /
最大
考试级别
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人:李
地址:福田区中航路都会B座26楼26U室
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TI
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2306
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主营TI,ST,欢迎来电洽谈
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电话:0512-67241533
联系人:王
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电话:18820154873
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2
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联系人:林小姐 胡先生 张先生
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联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
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