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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第614页 > BAS70-04WFILM
BAS70J / BAS70W
BAS70-04W / BAS70-05W / BAS70-06W
小信号肖特基二极管
特点和优点
n
n
n
n
NC
K
NC
A
K
K2
A
K2
K1
非常小的传导损耗
开关损耗极小
低正向压降
表面安装器件
A
A
K1
BAS70W
描述
肖特基势垒二极管封装无论是在
SOT- 323和SOD- 323小型SMD封装。
单,双二极管不同的钉扎的
可用。
K
A2
A1
A1
K
A2
A2
K1
BAS70-06W
K2
K2
A1
A2
K1
A1
BAS70-05W
SOT-323
BAS70-04W
A
76
K
BAS70J
SOD-323
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F
I
FSM
P
合计
T
英镑
Tj
T
L
连续正向电流
浪涌不重复正向电流
功率耗散(注1 )
环境温度Tamb = 25°C
最大存储温度范围
最大工作结温*
在10秒最高温度为焊接
TP = 10毫秒
SOD-323
SOT-323
- 65 + 150
150
260
°C
°C
°C
参数
反向重复峰值电压
价值
70
70
1
230
单位
V
mA
A
mW
注1 :
为双二极管, Ptot的是两个二极管的总损耗。
* :
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
& LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2000年5月 - 埃德: 4B
BAS70J / BAS70W / BAS70-04W / BAS70-05W / BAS70-06W
热阻
符号
R
号(j -a)的
结到环境( * )
参数
SOD-323
SOT-323
( * )装在环氧树脂板,采用推荐的焊盘布局。
价值
550
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
(每二极管)
符号
V
BR
V
F
*
I
R
**
脉冲测试:
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
* TP = 380μs ,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
分钟。
70
典型值。
马克斯。
单位
V
I
R
= 10A
I
F
= 1毫安
V
R
= 50V
410
100
mV
nA
动态特性
符号
C
τ*
TJ = 25°C
F = 1MHz的
测试条件
V
R
= 0V
分钟。
典型值。
马克斯。
2
100
单位
pF
ps
TJ = 25°C
I
F
= 5毫安
克拉考尔法
*有效载流子寿命。
2/5
BAS70-05W / BAS70-06W
图。 1 :
正向压降与前进
电流。
IFM ( A)
7E-2
Tj=100°C
典型值
BAS70J / BAS70W / BAS70-04W /
图。 2 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
IR( μA )
1E+1
Tj=100°C
1E-2
Tj=25°C
最大值
1E+0
1E-1
Tj=25°C
1E-3
Tj=25°C
典型值
1E-2
VFM ( V)
1E-4
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VR ( V)
1E-3
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
图。 3 :
反向漏电流与结
温度(典型值)。
IR( μA )
5E+2
VR=70V
图。 4 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
C( pF)的
2.0
1.0
F=1MHz
Tj=25°C
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
TJ ( ° C)
1E-2
0
25
50
75
100
125
150
0.1
1
VR ( V)
10
100
图。 5 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间(环氧
FR4
推荐
PAD
布局,
S(Cu)=35m).
图。 6 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板FR4,铜厚度:
35m).
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
600
P=0.2W
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.00
δ
= 0.5
550
500
450
T
δ
= 0.2
0.10
δ
= 0.1
400
350
tp
单脉冲
TP (多个)
1E-1
1E+0
δ
= TP / T
S(铜)(平方毫米)
300
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.01
1E-3
1E-2
1E+1
1E+2
3/5
BAS70J / BAS70W / BAS70-04W / BAS70-05W / BAS70-06W
包装机械数据
SOT-323
尺寸
A
REF 。
A1
D
MILLIMETERS
分钟。
典型值。马克斯。
1.1
0.1
0.4
2.0
1.25
0.65
1.8
0.1
0
2.1
0.2
2.4
0.3
30°
2.2
分钟。
0.031
0.0
0.010
英寸
典型值。马克斯。
0.043
0.004
0.016
0.010
A
A1
b
c
b
0.8
0.0
0.25
0.1
1.8
1.15
0.26 0.004
D
E
e
H
E
0.071 0.079 0.086
0.026
0.071 0.083 0.094
0.004 0.008 0.012
0
30°
L
1.35 0.045 0.049 0.053
H
θ
c
L
θ
e
4/5
BAS70-05W / BAS70-06W
包装机械数据
SOD-323
BAS70J / BAS70W / BAS70-04W /
H
b
E
A1
尺寸
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
A
A1
0
0.25
0.1
1.52
1.11
2.3
0.1
0.1
b
c
D
马克斯。
1.17
0.1
0.44
0.25
1.8
1.45
2.7
0.46
0.41
0
0.01
0.004
0.06
0.044
0.09
0.004
0.004
英寸
分钟。
马克斯。
0.046
0.004
0.017
0.01
0.071
0.057
0.106
0.02
0.016
D
A
c
Q1
E
H
L
Q1
L
订货型号
BAS70W
BAS70-04W
BAS70-05W
BAS70-06W
BAS70J
n
记号
D28
D31
D30
D29
76
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOD-323
重量
0.006g
0.006g
0.006g
0.006g
0.005g
基地数量
3000
3000
3000
3000
3000
配送方式
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
环氧符合UL94 , V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2000意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
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5/5
BAS70
低电容,低串联电感和电阻肖特基二极管
特点
BAS70ZFILM
(单)
SOD-123
非常低的导通损耗
开关损耗极小
低正向和反向恢复时间
表面安装器件
低电容二极管
低电阻和电感
BAS70JFILM
(单)
SOD-323
BAS70KFILM
(单)
SOD-523
描述
该BAS70系列采用70 V肖特基势垒
二极管封装在SOD- 123 , SOD- 323 , SOD-
523 , SOT -23 , SOT- 323 , SOT- 323-6L或SOT- 666 。
这些二极管是特别适合于信号
检测和温度补偿在射频
应用程序。
BAS70FILM
(单)
BAS70-04FILM
(系列)
BAS70-05FILM
(共阴极)
BAS70-06FILM
(共阳极)
SOT-23
BAS70WFILM
(单)
BAS70-04WFILM
(系列)
BAS70-05WFILM
(共阴极)
BAS70-06WFILM
(共阳极)
SOT-323
BAS70-08SFILM
( 3并联二极管)
表1中。
设备简介
符号
I
F
V
RRM
C(最大值)
T
j
(最大)
价值
70毫安
70 V
2 pF的
150 °C
SOT-323-6L
BAS70-07P6FILM
( 2并联二极管)
SOT-666
BAS70-09P6FILM
( 2对面二极管)
在顶视图配置
2009年10月
文档ID 12563第2版
1/14
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14
特征
BAS70
1
特征
表2中。
符号
V
RRM
I
F
I
FSM
T
英镑
T
j
T
L
绝对额定值(在T限值
j
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流
浪涌不重复正向电流T
p
= 10 ms的正弦
存储温度范围
最大工作结温
最大焊接温度
价值
70
70
1
- 65 + 150
150
260
单位
V
mA
A
°C
°C
°C
表3中。
符号
热学参数
参数
SOD- 123 , SOT -23
价值
500
550
600
° C / W
单位
R
号(j -a)的
结到环境
(1)
SOT- 323 , SOD- 323
SOD- 523 , SOT- 666
与推荐焊盘布局1.环氧树脂印刷电路板
表4 。
符号
I
R(1)
静态电气特性
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V
V
R
= 70 V
I
F
= 1毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
100
10
410
750
1000
mV
单位
nA
A
V
F(2)
正向电压降
T
j
= 25 °C
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
1.脉冲测试:吨
p
= 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
2.脉冲测试:吨
p
= 380 s,
δ
& LT ; 2 %
表5 。
符号
C
R
F
L
S
动态特性
参数
二极管电容
微分先行
阻力
串联电感
测试条件
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
I
F
= 10 mA时, F = 100 MHz的
30
1.5
分钟。
典型值。
马克斯。
2
单位
pF
Ω
nH
2/14
文档ID 12563第2版
BAS70
特征
图1 。
正向平均功耗如图2所示。
与平均正向电流
I
F( AV )
(A)
0.08
d=0.05
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
平均正向电流随
环境温度( δ = 1)
P( W)的
0.14
0.12
0.10
0.07
0.06
0.05
0.08
0.04
0.06
0.04
0.02
I
F( AV )
(A)
0.00
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.03
T
T
0.02
0.01
0.00
d
= TP / T
0.07
0.08
tp
0.09
0.10
d
= TP / T
0
25
tp
T
AMB
(°C)
50
75
100
125
150
网络连接gure 3 。
反向漏电流对
反向施加电压
(典型值)
图4中。
反向漏电流对
结温
(典型值)
I
R
(A)
1.E+02
TJ = 150℃
1.E+02
I
R
(A)
V
R
=50 V
1.E+01
1.E+01
1.E+00
TJ = 85°C
1.E+00
1.E-01
1.E-01
1.E-02
TJ = 25°C
1.E-03
0
10
20
30
40
V
R
(V)
50
60
70
T
j
(°C)
1.E-02
0
25
50
75
100
125
150
图5中。
结电容与
反向施加电压
(典型值)
F = 1 MHz的
V
OSC
= 30毫伏
RMS
TJ = 25°C
图6 。
正向压降随
正向电流(典型值)
C( pF)的
10.0
I
FM
(MA )
1.E+02
TJ = 150℃
1.E+01
1.0
TJ = -40°C
1.E+00
Tj=85°C
0.1
0.1
1.0
V
R
(V)
10.0
100.0
V
FM
(V)
1.E-01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
文档ID 12563第2版
3/14
特征
BAS70
图7 。
正向压降随
正向电流(典型值)
网络连接gure 8 。
微分正向电阻
与正向电流
(典型值)
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
1.E+02
I
FM
(MA )
1000
TJ = 125°C
R
F
(
Ω
)
TJ = 25°C
1.E+01
100
1.E+00
V
FM
(V)
1.E-01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
10
0.1
I
F
(MA )
1.0
10.0
图9 。
热相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
热图10.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.00
单脉冲
SOT-23
1000
Z
号(j -a)的
( ° C / W)
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOT- 323-6L
单脉冲
SOT-323-6L
100
0.10
Aluminesubstrate
10 ×8× 0.5毫米
10
1.E-02
t
P
(s)
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
ALLUMINIUM氧化物基板10 ×8× 0.5毫米SOT- 23
0.01
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
t
P
(s)
1.E+02
热图11.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
1.00
热图12.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.00
单脉冲
SOT-666
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
单脉冲
SOD-323
0.10
EpoxyFR4
S
CU
=2.25 mm
e
CU
=35 m
0.10
环氧FR4
e
CU
=35 m
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOD- 323
0.01
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
t
P
(s)
1.E+02
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOT- 666
0.01
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t
P
(s)
1.E+01
4/14
文档ID 12563第2版
BAS70
订购信息计划
热图13.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.00
单脉冲
SOD-523
图14.热阻抗交界处
环境与铜表面
各牵头下
R
号(j -a)的
( ° C / W)
600
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOD- 323
550
EpoxyFR4
e
CU
=35 m
0.10
500
450
0.01
400
350
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOD- 523
0.00
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t
P
(s)
1.E+01
300
0
5
10
15
20
25
30
35
40
S
CU
(mm)
45
50
2
订购信息计划
图15.订购信息计划
BAS70
信号肖特基二极管
V
RRM
= 70 V
CON组fi guration
不信=单二极管
04 =二极管系列
05 =常见的正极
06 =共阳极
07 = 2并联二极管
08 = 3并联二极管
09 = 2对面二极管
空白= SOT- 23
J = SOD- 323
W = SOT- 323
K = SOD- 523
P6 = SOT- 666
S = SOT323-6L
Z = SOD- 123
填料
电影=磁带和卷轴
xx
XX电影
文档ID 12563第2版
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAS70-04WFILM
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
BAS70-04WFILM
ST(意法)
23+
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BAS70-04WFILM
ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BAS70-04WFILM
ST
2019
19850
323
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BAS70-04WFILM
ST
24+
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