【BZV55C系列稳压二极管反向电压- 2.4to188伏DL - 35特点●小型表面安装型●高可靠性】,IC型号BZV55C24,BZV55C24 PDF资料,BZV55C24经销商,ic,电子元器件-51电子网

BZV55C系列

稳压二极管

反向电压

- 2.4

to

188

伏

DL - 35

特点

●

小型表面安装型

●

高可靠性

应用

●

电压稳定

.063(1.6)

.055(1.4)

.020(0.5)

.012(0.3)

.020(0.5)

.012(0.3)

施工

●

硅外延平面

.146(3.7)

.130(3.3)

尺寸以英寸（毫米）

绝对最大额定值

T

J

=25℃

参数

功耗

测试条件

我为4毫米牛逼

L

≤25℃

TYPE

符号

Pv

Iz

价值

500

单位

Mw

M

A

Z-电流

结温

存储温度范围

PV / VZ

175℃

℃

T

英镑

-55 ~ +200

最大热阻

T

J

=25℃

参数

交界处的环境

测试条件

我为4毫米牛逼

L

=常数

符号

RTH

JA

价值

350

单位

K / W

电气特性

T

J

=25℃

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1.5

单位

V

~ 403 ~

额定值和特性曲线

BZV55C系列

图。 2 - 总功率DISSIPATIONVS 。

环境温度

600

图。 1 - 热阻VS.LEAD长度

THERM.RESIST.JUNCTION /环境（K / M）

500

400

300

总功耗（MW ）

0

5

10

15

20

铅长度（mm）

500

400

300

200

100

0

100

0

40

80

120

160

200

环境温度（ ℃）

工作电压图3 - 典型变化

根据经营条件环境温度Tamb = 25°C

1000

电压CHAGNE （毫安）

T

J

=25°C

相对电压变化

图。 4 - 工作电压与典型的变化

结温

1.3

V

Z

tn=Vzt/Vz(25°C)

1.2

TKyz=10x10

-4/

K

1.1

6x10

-4/

K

8x10

-4/

K

4x10

-4/

K

2x10

-4/

K

0

-2x10

-4/

K

-4x10

-4/

K

100

Iz=5mA

1.0

10

0.9

0.8

1

0

5

15

10

Z-电压（ V）

20

25

-60

0

60

120

180

240

结温（ ° C）

图5 - 工作电压与典型的改变

结温

Vz的温度系数（ 10

-4

/K)

15

二极管电容（pF ）

200

图6 - 二极管电容VS.Z -VOLTAGE

10

150

V

R

=2V

T

J

=25°C

5

100

Iz=5mA

0

50

0

-5

0

10

20

30

40

50

0

5

10

15

20

25

Z-电压（ V）

~ 404 ~

额定值和特性曲线

BZV55C系列

图7 - 正向电流与

正向电压

正向电流（mA ）

100

10

1

0.1

0.01

0.001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

4

8

12

16

20

Z-电压（ V）

正向电压（ V）

T

J

=25°C

Z-电流（mA）

100

80

60

40

20

图8 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE

Ptot=500mW

Tamb=25°C

图9 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE

（

Ω

）

50

40

Z-电流（mA）

30

20

Ptot=500mW

Tamb=25°C

1000

图10 - 微分Z-性

VZ VS. Z- VOLTAGE

微分电阻

Iz=1mA

100

5mA

10

0

15

10m

1

0

5

10

15

T

J

=25°C

20

25

20

25

30

35

Z-电压（ V）

图11 - 热响应

热电阻脉冲电导率。（K / W）

1000

100

10

1

10

-1

10

0

10

1

脉冲宽度（毫秒）

10

2

~ 405 ~

BZV55C系列

500mW的齐纳二极管/ DO- 35 / DL -35 （ MINI MELF ）

公称

齐纳

电压

VZ @ IZT

TEST

当前

OPRERATING和储存温度-55 ℃ + 200 ℃

最大齐纳

阻抗

TYPE

I

ZK

最大反向

漏电流

最高可

浪涌

当前

最大

规

当前

I

ZT

mA

5.0

2.5

1.0

民

BZV55C2V4

2.28

BZV55C2V7

2.50

BZV55C3V0

2.80

BZV55C3V3

3.10

BZV55C3V6

3.40

BZV55C3V9

3.70

BZV55C4V3

4.00

BZV55C4V7

4.40

BZV55C5V1

4.80

BZV55C5V6

5.20

BZV55C6V2

5.80

BZV55C6V8

6.40

BZV55C7V5

7.00

BZV55C8V2

7.70

BZV55C9V1

8.50

BZV55C10

9.40

BZV55C11

10.4

BZV55C12

11.4

BZV55C13

12.4

BZV55C15

13.8

BZV55C16

15.3

BZV55C18

16.8

BZV55C20

18.8

BZV55C22

20.8

BZV55C24

22.8

BZV55C27

25.1

BZV55C30

28.0

BZV55C33

31.0

BZV55C36

34.0

BZV55C39

37.0

BZV55C43

40.0

BZV55C47

44.0

BZV55C51

48.0

BZV55C56

52.0

BZV55C62

58.0

BZV55C68

64.0

BZV55C75

70.0

BZV55C82

77.0

BZV55C91

85.0

BZV55C100

94.0

BZV55C110

104

BZV55C120

114

BZV55C130

124

BZV55C150

138

BZV55C160

153

BZV55C180

168

BZV55C188

188

注： 1。正常公差

±5%.

最大

2.56

2.90

3.20

3.50

3.80

4.10

4.60

5.00

5.40

6.00

6.60

7.20

7.90

8.70

9.60

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32.0

35.0

38.0

41.0

46.0

50.0

54.0

60.0

66.0

72.0

80.0

87.0

96.0

106

116

127

141

156

171

191

212

Z

ZT

@

I

ZT

欧

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

26

30

40

50

55

80

90

110

125

135

150

200

250

300

450

600

800

1000

1200

1500

1800

2000

Z

ZT

@

I

ZK

欧

600

550

450

200

150

50

70

90

110

170

220

500

600

700

1000

1500

2000

5000

mA

1.0

0.5

0.1

I

R

μA

50

10

4.0

2.0

1.0

0.5

0.1

@

V

R

I

ZM

mA

﹣0.085

﹣0.080

﹣0.075

﹣0.070

﹣0.065

﹣0.060

±0.055

±0.030

﹢0.038

﹢0.045

﹢0.050

﹢0.058

﹢0.062

﹢0.068

﹢0.075

﹢0.076

﹢0.077

﹢0.079

﹢0.082

﹢0.083

﹢0.085

﹢0.086

﹢0.087

﹢0.088

﹢0.090

﹢0.091

﹢0.092

﹢0.093

﹢0.094

﹢0.095

﹢0.096

mA

155

135

125

115

105

95

90

85

80

70

64

58

53

74

43

40

36

32

29

27

24

21

20

18

16

14

13

12

11

10

9.2

8.5

7.8

7.0

6.4

5.9

5.3

4.8

4.4

4.0

3.6

3.3

3.0

2.6

2.5

2.2

2.0

伏

1.0

2.0

3.0

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

2. "BZV ... "Indicates MINI MELF封装。

~ 406 ~

BZV55C系列

稳压二极管

反向电压

- 2.4

to

188

伏

DL - 35

特点

●

小型表面安装型

●

高可靠性

应用

●

电压稳定

.063(1.6)

.055(1.4)

.020(0.5)

.012(0.3)

.020(0.5)

.012(0.3)

施工

●

硅外延平面

.146(3.7)

.130(3.3)

尺寸以英寸（毫米）

绝对最大额定值

T

J

=25℃

参数

功耗

测试条件

我为4毫米牛逼

L

≤25℃

TYPE

符号

Pv

Iz

价值

500

单位

Mw

M

A

Z-电流

结温

存储温度范围

PV / VZ

175℃

℃

T

英镑

-55 ~ +200

最大热阻

T

J

=25℃

参数

交界处的环境

测试条件

我为4毫米牛逼

L

=常数

符号

RTH

JA

价值

350

单位

K / W

电气特性

T

J

=25℃

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1.5

单位

V

~ 403 ~

额定值和特性曲线

BZV55C系列

图。 2 - 总功率DISSIPATIONVS 。

环境温度

600

图。 1 - 热阻VS.LEAD长度

THERM.RESIST.JUNCTION /环境（K / M）

500

400

300

总功耗（MW ）

0

5

10

15

20

铅长度（mm）

500

400

300

200

100

0

100

0

40

80

120

160

200

环境温度（ ℃）

工作电压图3 - 典型变化

根据经营条件环境温度Tamb = 25°C

1000

电压CHAGNE （毫安）

T

J

=25°C

相对电压变化

图。 4 - 工作电压与典型的变化

结温

1.3

V

Z

tn=Vzt/Vz(25°C)

1.2

TKyz=10x10

-4/

K

1.1

6x10

-4/

K

8x10

-4/

K

4x10

-4/

K

2x10

-4/

K

0

-2x10

-4/

K

-4x10

-4/

K

100

Iz=5mA

1.0

10

0.9

0.8

1

0

5

15

10

Z-电压（ V）

20

25

-60

0

60

120

180

240

结温（ ° C）

图5 - 工作电压与典型的改变

结温

Vz的温度系数（ 10

-4

/K)

15

二极管电容（pF ）

200

图6 - 二极管电容VS.Z -VOLTAGE

10

150

V

R

=2V

T

J

=25°C

5

100

Iz=5mA

0

50

0

-5

0

10

20

30

40

50

0

5

10

15

20

25

Z-电压（ V）

~ 404 ~

额定值和特性曲线

BZV55C系列

图7 - 正向电流与

正向电压

正向电流（mA ）

100

10

1

0.1

0.01

0.001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

4

8

12

16

20

Z-电压（ V）

正向电压（ V）

T

J

=25°C

Z-电流（mA）

100

80

60

40

20

图8 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE

Ptot=500mW

Tamb=25°C

图9 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE

（

Ω

）

50

40

Z-电流（mA）

30

20

Ptot=500mW

Tamb=25°C

1000

图10 - 微分Z-性

VZ VS. Z- VOLTAGE

微分电阻

Iz=1mA

100

5mA

10

0

15

10m

1

0

5

10

15

T

J

=25°C

20

25

20

25

30

35

Z-电压（ V）

图11 - 热响应

热电阻脉冲电导率。（K / W）

1000

100

10

1

10

-1

10

0

10

1

脉冲宽度（毫秒）

10

2

~ 405 ~

BZV55C系列

500mW的齐纳二极管/ DO- 35 / DL -35 （ MINI MELF ）

公称

齐纳

电压

VZ @ IZT

TEST

当前

OPRERATING和储存温度-55 ℃ + 200 ℃

最大齐纳

阻抗

TYPE

I

ZK

最大反向

漏电流

最高可

浪涌

当前

最大

规

当前

I

ZT

mA

5.0

2.5

1.0

民

BZV55C2V4

2.28

BZV55C2V7

2.50

BZV55C3V0

2.80

BZV55C3V3

3.10

BZV55C3V6

3.40

BZV55C3V9

3.70

BZV55C4V3

4.00

BZV55C4V7

4.40

BZV55C5V1

4.80

BZV55C5V6

5.20

BZV55C6V2

5.80

BZV55C6V8

6.40

BZV55C7V5

7.00

BZV55C8V2

7.70

BZV55C9V1

8.50

BZV55C10

9.40

BZV55C11

10.4

BZV55C12

11.4

BZV55C13

12.4

BZV55C15

13.8

BZV55C16

15.3

BZV55C18

16.8

BZV55C20

18.8

BZV55C22

20.8

BZV55C24

22.8

BZV55C27

25.1

BZV55C30

28.0

BZV55C33

31.0

BZV55C36

34.0

BZV55C39

37.0

BZV55C43

40.0

BZV55C47

44.0

BZV55C51

48.0

BZV55C56

52.0

BZV55C62

58.0

BZV55C68

64.0

BZV55C75

70.0

BZV55C82

77.0

BZV55C91

85.0

BZV55C100

94.0

BZV55C110

104

BZV55C120

114

BZV55C130

124

BZV55C150

138

BZV55C160

153

BZV55C180

168

BZV55C188

188

注： 1。正常公差

±5%.

最大

2.56

2.90

3.20

3.50

3.80

4.10

4.60

5.00

5.40

6.00

6.60

7.20

7.90

8.70

9.60

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32.0

35.0

38.0

41.0

46.0

50.0

54.0

60.0

66.0

72.0

80.0

87.0

96.0

106

116

127

141

156

171

191

212

Z

ZT

@

I

ZT

欧

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

26

30

40

50

55

80

90

110

125

135

150

200

250

300

450

600

800

1000

1200

1500

1800

2000

Z

ZT

@

I

ZK

欧

600

550

450

200

150

50

70

90

110

170

220

500

600

700

1000

1500

2000

5000

mA

1.0

0.5

0.1

I

R

μA

50

10

4.0

2.0

1.0

0.5

0.1

@

V

R

I

ZM

mA

﹣0.085

﹣0.080

﹣0.075

﹣0.070

﹣0.065

﹣0.060

±0.055

±0.030

﹢0.038

﹢0.045

﹢0.050

﹢0.058

﹢0.062

﹢0.068

﹢0.075

﹢0.076

﹢0.077

﹢0.079

﹢0.082

﹢0.083

﹢0.085

﹢0.086

﹢0.087

﹢0.088

﹢0.090

﹢0.091

﹢0.092

﹢0.093

﹢0.094

﹢0.095

﹢0.096

mA

155

135

125

115

105

95

90

85

80

70

64

58

53

74

43

40

36

32

29

27

24

21

20

18

16

14

13

12

11

10

9.2

8.5

7.8

7.0

6.4

5.9

5.3

4.8

4.4

4.0

3.6

3.3

3.0

2.6

2.5

2.2

2.0

伏

1.0

2.0

3.0

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

2. "BZV ... "Indicates MINI MELF封装。

~ 406 ~

BZV55C系列

稳压二极管

反向电压

- 2.4

to

188

伏

DL - 35

特点

●

小型表面安装型

●

高可靠性

应用

●

电压稳定

.063(1.6)

.055(1.4)

.020(0.5)

.012(0.3)

.020(0.5)

.012(0.3)

施工

●

硅外延平面

.146(3.7)

.130(3.3)

尺寸以英寸（毫米）

绝对最大额定值

T

J

=25℃

参数

功耗

测试条件

我为4毫米牛逼

L

≤25℃

TYPE

符号

Pv

Iz

价值

500

单位

Mw

M

A

Z-电流

结温

存储温度范围

PV / VZ

175℃

℃

T

英镑

-55 ~ +200

最大热阻

T

J

=25℃

参数

交界处的环境

测试条件

我为4毫米牛逼

L

=常数

符号

RTH

JA

价值

350

单位

K / W

电气特性

T

J

=25℃

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1.5

单位

V

~ 403 ~

额定值和特性曲线

BZV55C系列

图。 2 - 总功率DISSIPATIONVS 。

环境温度

600

图。 1 - 热阻VS.LEAD长度

THERM.RESIST.JUNCTION /环境（K / M）

500

400

300

总功耗（MW ）

0

5

10

15

20

铅长度（mm）

500

400

300

200

100

0

100

0

40

80

120

160

200

环境温度（ ℃）

工作电压图3 - 典型变化

根据经营条件环境温度Tamb = 25°C

1000

电压CHAGNE （毫安）

T

J

=25°C

相对电压变化

图。 4 - 工作电压与典型的变化

结温

1.3

V

Z

tn=Vzt/Vz(25°C)

1.2

TKyz=10x10

-4/

K

1.1

6x10

-4/

K

8x10

-4/

K

4x10

-4/

K

2x10

-4/

K

0

-2x10

-4/

K

-4x10

-4/

K

100

Iz=5mA

1.0

10

0.9

0.8

1

0

5

15

10

Z-电压（ V）

20

25

-60

0

60

120

180

240

结温（ ° C）

图5 - 工作电压与典型的改变

结温

Vz的温度系数（ 10

-4

/K)

15

二极管电容（pF ）

200

图6 - 二极管电容VS.Z -VOLTAGE

10

150

V

R

=2V

T

J

=25°C

5

100

Iz=5mA

0

50

0

-5

0

10

20

30

40

50

0

5

10

15

20

25

Z-电压（ V）

~ 404 ~

额定值和特性曲线

BZV55C系列

图7 - 正向电流与

正向电压

正向电流（mA ）

100

10

1

0.1

0.01

0.001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

4

8

12

16

20

Z-电压（ V）

正向电压（ V）

T

J

=25°C

Z-电流（mA）

100

80

60

40

20

图8 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE

Ptot=500mW

Tamb=25°C

图9 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE

（

Ω

）

50

40

Z-电流（mA）

30

20

Ptot=500mW

Tamb=25°C

1000

图10 - 微分Z-性

VZ VS. Z- VOLTAGE

微分电阻

Iz=1mA

100

5mA

10

0

15

10m

1

0

5

10

15

T

J

=25°C

20

25

20

25

30

35

Z-电压（ V）

图11 - 热响应

热电阻脉冲电导率。（K / W）

1000

100

10

1

10

-1

10

0

10

1

脉冲宽度（毫秒）

10

2

~ 405 ~

BZV55C系列

500mW的齐纳二极管/ DO- 35 / DL -35 （ MINI MELF ）

公称

齐纳

电压

VZ @ IZT

TEST

当前

OPRERATING和储存温度-55 ℃ + 200 ℃

最大齐纳

阻抗

TYPE

I

ZK

最大反向

漏电流

最高可

浪涌

当前

最大

规

当前

I

ZT

mA

5.0

2.5

1.0

民

BZV55C2V4

2.28

BZV55C2V7

2.50

BZV55C3V0

2.80

BZV55C3V3

3.10

BZV55C3V6

3.40

BZV55C3V9

3.70

BZV55C4V3

4.00

BZV55C4V7

4.40

BZV55C5V1

4.80

BZV55C5V6

5.20

BZV55C6V2

5.80

BZV55C6V8

6.40

BZV55C7V5

7.00

BZV55C8V2

7.70

BZV55C9V1

8.50

BZV55C10

9.40

BZV55C11

10.4

BZV55C12

11.4

BZV55C13

12.4

BZV55C15

13.8

BZV55C16

15.3

BZV55C18

16.8

BZV55C20

18.8

BZV55C22

20.8

BZV55C24

22.8

BZV55C27

25.1

BZV55C30

28.0

BZV55C33

31.0

BZV55C36

34.0

BZV55C39

37.0

BZV55C43

40.0

BZV55C47

44.0

BZV55C51

48.0

BZV55C56

52.0

BZV55C62

58.0

BZV55C68

64.0

BZV55C75

70.0

BZV55C82

77.0

BZV55C91

85.0

BZV55C100

94.0

BZV55C110

104

BZV55C120

114

BZV55C130

124

BZV55C150

138

BZV55C160

153

BZV55C180

168

BZV55C188

188

注： 1。正常公差

±5%.

最大

2.56

2.90

3.20

3.50

3.80

4.10

4.60

5.00

5.40

6.00

6.60

7.20

7.90

8.70

9.60

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32.0

35.0

38.0

41.0

46.0

50.0

54.0

60.0

66.0

72.0

80.0

87.0

96.0

106

116

127

141

156

171

191

212

Z

ZT

@

I

ZT

欧

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

26

30

40

50

55

80

90

110

125

135

150

200

250

300

450

600

800

1000

1200

1500

1800

2000

Z

ZT

@

I

ZK

欧

600

550

450

200

150

50

70

90

110

170

220

500

600

700

1000

1500

2000

5000

mA

1.0

0.5

0.1

I

R

μA

50

10

4.0

2.0

1.0

0.5

0.1

@

V

R

I

ZM

mA

﹣0.085

﹣0.080

﹣0.075

﹣0.070

﹣0.065

﹣0.060

±0.055

±0.030

﹢0.038

﹢0.045

﹢0.050

﹢0.058

﹢0.062

﹢0.068

﹢0.075

﹢0.076

﹢0.077

﹢0.079

﹢0.082

﹢0.083

﹢0.085

﹢0.086

﹢0.087

﹢0.088

﹢0.090

﹢0.091

﹢0.092

﹢0.093

﹢0.094

﹢0.095

﹢0.096

mA

155

135

125

115

105

95

90

85

80

70

64

58

53

74

43

40

36

32

29

27

24

21

20

18

16

14

13

12

11

10

9.2

8.5

7.8

7.0

6.4

5.9

5.3

4.8

4.4

4.0

3.6

3.3

3.0

2.6

2.5

2.2

2.0

伏

1.0

2.0

3.0

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

2. "BZV ... "Indicates MINI MELF封装。

~ 406 ~

齐纳二极管

无铅封装用于表面安装

双封堵施工

冶金结合

BZV55 C2V4

THRU

BZV55 C75

最大额定值

工作温度： -65 ° C到+ 175℃

存储温度： -65 °C至+ 175℃

功率降额： 3.33毫瓦/ ° C以上+ 50°C

正向电压： @ 200毫安： 1.1伏特最大

电气特性

@ 25 ° C，除非另有规定ED 。

最大

迪FF erential

阻力

rdiff进行@ I Z

mA

5

2

欧

100

95

90

80

60

40

10

15

20

25

30

40

45

55

70

80

90

130

150

170

180

200

215

240

255

mA

5

2

50

20

10

5

3

2

1

3

2

1

.700

.500

.200

.100

.050

最大

反向

当前

IR @ VR

TYPE

齐纳电压

（注1 ）

VZ @ I ZT

伏

民

最大

A

伏

1

2

4

5

6

7

8

10.5

11.2

12.6

14.0

15.4

16.8

18.9

21.0

23.1

25.2

27.3

30.1

32.9

35.7

39.2

43.4

47.6

52.2

BZV55

C2V4

C2V7

C3V0

C3V3

C3V6

C3V9

C4V3

C4V7

C5V1

C5V6

C6V2

C6V8

C7V5

C8V2

C9V1

C10

C11

C12

C13

C15

C16

C18

C20

C22

C24

C27

C30

C33

C36

C39

C43

C47

C51

C56

C62

2.2

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28.0

31.0

34.0

37.0

40.0

44.0

48.0

52.0

58.0

64.0

70.0

2.6

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32.0

35.0

38.0

41.0

46.0

50.0

54.0

60.0

66.0

72.0

79.0

暗淡

D

F

G

G1

S

MILLIMETERS

英寸

最小值最大值最小值最大值

1.60

1.70 0.063 0.067

0.41

0.55 0.016 0.022

3.30

3.70 .130 .146

2.54 REF 。

.100 REF 。

0.03 MIN 。

0.001 MIN 。

设计数据

案例：

DO- 213AA ，完全密封

玻璃柜。（ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）

铅表面处理：

锡/铅

热阻（R

OJEC ）：

100℃ / W最大为L = 0英寸

热阻抗：（Z

OJX ）： 35

C / W最高

极性：

二极管与操作

带状（阴极）端阳性。

安装面选择：

扩展的轴向系数

（ COE ）这个装置大约是

+ 6PPM / ℃。在安装的COE

地面系统应选择

提供一个合适的符合这种

装置。

BZV55 C68

BZV55 C75

注1

额定齐纳电压测量用热设备结

平衡在25 ° C + 3 ° C的环境温度。

COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176

电话：（781 ） 665-1071

传真：（781 ） 665-7379

网站： http://www.cdi-diodes.com

电子信箱： mail@cdi-diodes.com

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BZV55C2V4

THRU

BZV55C75

表面贴装

硅稳压二极管

0.5瓦， 2.4 THRU 75伏

±

5 ％的容差

中央

TM

半导体公司

描述：

中央半导体BZV55C2V4

系列表面贴装硅稳压二极管是一种

高品质，精心构建高可靠

组件中的所有类型的设计用于

商业，工业，娱乐，电脑，

和汽车应用。

SOD- 80 CASE

最大额定值：

（ TA = 25° C除非另有说明）

符号

平均正向电流

IO

重复峰值正向电流

功率耗散（ TL = 50 ° C）

工作和存储

结温

TJ ， TSTG

-65到+200

°C

IFRM

PD

单位

mA

mW

250

500

电气特性：

（ TA = 25 ℃）， VF = 0.9V最大@ IF = 10毫安对所有类型。

齐纳

TEST

最大齐纳

最大

型号

电压

当前

阻抗

反向

当前

VZ @ IZT

民

BZV55C2V4

BZV55C2V7

BZV55C3V0

BZV55C3V3

BZV55C3V6

BZV55C3V9

BZV55C4V3

BZV55C4V7

BZV55C5V1

BZV55C5V6

BZV55C6V2

BZV55C6V8

BZV55C7V5

BZV55C8V2

BZV55C9V1

BZV55C10

BZV55C11

2.280

2.565

2.850

3.135

3.420

3.705

4.085

4.465

4.845

5.320

5.890

6.460

7.125

7.790

8.645

9.500

10.45

喃

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

最大

2.520

2.835

3.150

3.465

3.780

4.095

4.515

4.935

5.355

5.880

6.510

7.140

7.875

8.610

9.555

10.50

11.55

IZT

mA

最大

齐纳

当前

IZM

mA

ZZT @ IZT

ZZK @ IZK

mA

IR

A

@ VR

伏

伏VOLTS伏

5.0

100

95

90

80

60

40

10

15

20

600

500

480

400

150

80

100

150

1.0

50

20

10

5.0

3.0

2.0

1.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.1

1.0

2.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

208

185

167

152

139

128

116

106

96

89

81

74

67

61

55

50

45

R0 （ 2001年13月）

中央

TM

半导体公司

BZV55C2V4

THRU

BZV55C75

表面贴装

硅稳压二极管

0.5瓦， 2.4 THRU 75伏

±

5 ％的容差

电气特性续：

（ TA = 25 ℃）， VF = 0.9V最大@ IF = 10毫安对所有类型。

型号

民

齐纳

电压

VZ @ IZT

喃

最大

伏VOLTS伏

TEST

当前

IZT

mA

最大齐纳

阻抗

ZZT @ IZT

最大

反向

当前

IR

A

最大

齐纳

当前

IZM

mA

ZZK @ IZK

mA

@ VR

伏

BZV55C12

BZV55C13

BZV55C15

BZV55C16

BZV55C18

BZV55C20

BZV55C22

BZV55C24

BZV55C27

BZV55C30

BZV55C33

BZV55C36

BZV55C39

BZV55C43

BZV55C47

BZV55C51

BZV55C56

BZV55C62

BZV55C68

BZV55C75

11.40

12.35

14.25

15.20

17.10

19.00

20.90

22.80

25.65

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

53.20

58.90

64.60

71.25

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

12.60

13.65

15.75

16.80

18.90

21.00

23.10

25.20

28.35

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

58.80

65.10

71.40

78.75

5.0

2.0

25

30

40

45

55

70

80

90

130

150

170

180

200

215

240

255

150

170

200

225

250

300

325

350

375

400

425

450

475

500

1.0

0.5

0.1

0.05

8.0

10.5

11.2

12.6

14.0

15.4

16.8

18.9

21.0

23.1

25.2

27.3

30.1

32.9

35.7

39.2

43.4

47.6

52.5

42

38

33

31

28

25

23

21

19

17

15

14

13

12

11

9.9

8.9

8.0

7.4

6.7

SOD- 80案例 - 机械外形

R0 （ 2001年13月）

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BZV55C2V4-BZV55C75

500mW的， 5 ％的容差稳压二极管

小信号二极管

迷你MELF （ LL34 ）

密封的玻璃

特点

广齐纳电压范围选择： 2.4V至75V

的±5％ VZ公差选择

专为通孔设备类型安装

密封的玻璃

无铅版本，并符合RoHS标准

高可靠性玻璃钝化投保参数

稳定性和防结污染

单位（mm ）

民

3.30

1.40

0.25

1.25

机械数据

案例：迷你MELF封装（ JEDEC DO- 213AC ）

高温焊接保证： 270 ℃/ 10秒

极性：由阴极频带指示

重量：约。 31毫克

尺寸

A

B

C

D

单位（英寸）

民

0.130

0.055

0.010

0.049

最大

3.70

1.60

0.40

1.40

最大

0.146

0.063

0.016

0.055

订购信息

产品型号

BZV55C2V4-75

封装代码

L0

L1

包

LL34

填料

10K / 13"卷轴

2.5K / 7"卷轴

拟议的焊盘布局

1.25

0.049

2.00

2.50

0.098

0.079

最大额定值和电气特性

评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。

5.00

0.197

mm

寸

最大额定值

类型编号

功耗

最大正向电压@I

F

=100mA

热阻（结到环境）（注1 ）

存储温度范围

符号

P

D

V

F

RΘJA

T

J

,T

英镑

价值

500

1

300

-65到+ 175

单位

mW

V

° C / W

°C

齐纳我vs.V特点

当前

I

F

V

ZM

V

Z

V

BR

V

R

I

R

I

ZK

V

F

电压

V

BR

I

ZK

Z

ZK

I

ZT

V

Z

ZT

前进区

：电压在我

ZK

：测试电流电压V

BR

：在我的动态阻抗

ZK

：测试电流电压V

Z

：在电压电流I

ZT

：在我的动态阻抗

ZT

：最大稳态电流

：电压在我

ZM

I

ZT

I

ZM

BreakdownRegion

泄露区域

I

ZM

V

ZM

版本： C11

BZV55C2V4-BZV55C75

500mW的， 5 ％的容差稳压二极管

小信号二极管

电气特性

TA = 25° C除非另有说明

V

F

正向电压= 1.0V最大@ I

F

= 100毫安的所有零件号

产品型号

BZV55C2V4

BZV55C2V7

BZV55C3V0

BZV55C3V3

BZV55C3V6

BZV55C3V9

BZV55C4V3

BZV55C4V7

BZV55C5V1

BZV55C5V6

BZV55C6V2

BZV55C6V8

BZV55C7V5

BZV55C8V2

BZV55C9V1

BZV55C10

BZV55C11

BZV55C12

BZV55C15

BZV55C16

BZV55C18

BZV55C20

BZV55C22

BZV55C24

BZV55C27

BZV55C30

BZV55C33

BZV55C36

BZV55C39

BZV55C43

BZV55C47

BZV55C51

BZV55C56

BZV55C62

BZV55C68

BZV55C75

注意事项：

1.齐纳电压（V

Z

）为10ms的脉冲条件下进行测试

2.列出的设备数量对的额定齐纳电压容差标准

±5%.

3.关于价格，可用性和交付所示的电压和更严格的电压容差之间的额定齐纳电压的详细信息，

联系离您最近

台湾积体电路

代表性。

4.齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值等于DC齐纳电流的10％的交流电流时，其导致来自

(I

ZT

or

I

ZK

）被叠加到

I

ZT

or

I

ZK

.

V

Z

@ I

ZT

（伏）

民

2.28

2.57

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.89

6.46

7.13

7.79

8.65

9.50

10.45

11.40

14.25

15.20

17.10

19.00

20.90

22.80

25.65

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

53.20

58.90

64.60

71.25

喃

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

最大

2.52

2.84

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.51

7.14

7.88

8.61

9.56

10.50

11.55

12.60

15.75

16.80

18.90

21.00

23.10

25.20

28.35

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

58.80

65.10

71.40

78.75

I

ZT

（MA ）

5

2.5

Z

ZT

@ I

ZT

()

最大

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

30

40

50

55

80

90

110

125

135

150

160

170

I

ZK

（MA ）

1.0

0.5

Z

ZK

@ I

ZK

()

最大

600

550

450

200

150

50

70

90

110

170

220

500

600

700

1000

I

R

@ V

R

(μA)

最大

50

10

4

2

1

0.5

0.1

V

R

(V)

1.0

2.0

3.0

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

28

32

35

38

42

47

51

56

版本： C11

BZV55C2V4-BZV55C75

500mW的， 5 ％的容差稳压二极管

小信号二极管

评级和Sharacteristic曲线

600

1000

总电容[ pF的]

PD功耗Passipation [毫瓦]

500

400

300

200

100

F = 1MHz的

TA = 25

℃

100

VR = 0V

VR = 2V

VR = 5V

VR = 20V

10

VR = 30V

0

40

80

120

160

200

1

0

温度

℃

]

20

40

VZ - 反向电压[V]

60

80

图1.功耗与环境温度

从个案的距离为0.8mm有效提供线索保持在

环境温度

图2.总电容

差是齐纳阻抗[ Ω ]

1000

Iz=1mA

Iz=2mA

Iz=5mA

Iz=10mA

1000

TA = 25

℃

正向电流[mA ]

TA = 25

℃

100

10

1

0.1

1

10

VZ - 反向电压[V]

100

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

VF - FORW ARD电压[毫伏]

1

1.2

图3.差分阻抗与齐纳电压

图4.正向电流与正向电压

300

250

反向电流[mA ]

100

200

150

100

50

0

2

4

6

VZ - 反向电压[V]

8

10

反向电流[mA ]

PD = 500mW的

TA = 25

℃

PD = 500mW的

TA = 25

℃

10

1

0.1

0.01

15

25

35

45

55

65

VZ - 反向电压[V]

75

图5.反向电流和反向电压

图6.反向电流和反向电压

版本： C11

BZV55C2V4-BZV55C75

500mW的， 5 ％的容差稳压二极管

小信号二极管

磁带&卷轴规格

TSC标签

顶盖带

项

载波宽度

载体长度

运营商深度

符号

A

B

C

d

D

D1

D2

E

F

P0

P1

T

W

W1

外形尺寸（mm ）

1.83 ±0.10

3.73 ±0.10

1.80 ±0.10

1.50 ± 0.10

178 ± 1

55敏

330 ± 1

100Min

Carieer胶带

任何额外的标签（如果需要）

P0

P1

链轮孔

卷筒外径

卷内径

进料孔宽

E

d

T

A

C

B

13.0 ± 0.20

1.75 ±0.10

3.50 ±0.05

4.00 ±0.10

2.00 ±0.05

0.23±0.005

8.00 ±0.30

14.4max

定位孔位置

打孔的位置

W

F

Sprocke孔距

浮雕中心

总体胶带厚度

胶带宽度

卷筒宽度

W1

D

D2

D1

进给方向

版本： C11

BZV55C2V4

THRU

BZV55C75

表面贴装

硅稳压二极管

0.5瓦， 2.4 THRU 75伏

± 5 ％的容差

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

描述：

中央半导体BZV55C2V4

系列表面贴装硅稳压二极管是一种高

质量，构建良好的，高度可靠的组件

在所有类型的商业，工业设计用于，

娱乐，计算机和汽车应用。

标记：阴极频带

SOD- 80 CASE

最大额定值：

（ TA = 25° C除非另有说明）

平均正向电流

重复峰值正向电流

功率耗散（ TL = 50 ° C）

工作和存储结温

符号

IO

IFRM

PD

TJ ， TSTG

单位

mA

mW

°C

250

500

-65到+200

电气特性：

（ TA = 25 ℃）， VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安（所有类型）

齐纳

电压

VZ @ IZT

民

V

BZV55C2V4

BZV55C2V7

BZV55C3V0

BZV55C3V3

BZV55C3V6

BZV55C3V9

BZV55C4V3

BZV55C4V7

BZV55C5V1

BZV55C5V6

BZV55C6V2

BZV55C6V8

BZV55C7V5

BZV55C8V2

BZV55C9V1

BZV55C10

BZV55C11

2.280

2.565

2.850

3.135

3.420

3.705

4.085

4.465

4.845

5.320

5.890

6.460

7.125

7.790

8.645

9.500

10.45

喃

V

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

最大

V

2.520

2.835

3.150

3.465

3.780

4.095

4.515

4.935

5.355

5.880

6.510

7.140

7.875

8.610

9.555

10.50

11.55

TEST

当前

IZT

mA

5.0

最大齐纳

阻抗

ZZT @ IZT

Ω

100

95

90

80

60

40

10

15

20

ZZK @ IZK

Ω

600

500

480

400

150

80

100

150

mA

1.0

最大

反向

当前

IR

μA

50

20

10

5.0

3.0

2.0

1.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.1

@ VR

V

1.0

2.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

最大

齐纳

当前

IZM

mA

208

185

167

152

139

128

116

106

96

89

81

74

67

61

55

50

45

TYPE

R2 （ 2010年11月）

BZV55C2V4

THRU

BZV55C75

表面贴装

硅稳压二极管

0.5瓦， 2.4 THRU 75伏

± 5 ％的容差

电气特性 - 续：

（ TA = 25 ℃）， VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安（所有类型）

齐纳

电压

VZ @ IZT

民

V

BZV55C12

BZV55C13

BZV55C15

BZV55C16

BZV55C18

BZV55C20

BZV55C22

BZV55C24

BZV55C27

BZV55C30

BZV55C33

BZV55C36

BZV55C39

BZV55C43

BZV55C47

BZV55C51

BZV55C56

BZV55C62

BZV55C68

BZV55C75

11.40

12.35

14.25

15.20

17.10

19.00

20.90

22.80

25.65

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

53.20

58.90

64.60

71.25

喃

V

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

最大

V

12.60

13.65

15.75

16.80

18.90

21.00

23.10

25.20

28.35

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

58.80

65.10

71.40

78.75

TEST

当前

IZT

mA

5.0

2.0

最大齐纳

阻抗

ZZT @ IZT

Ω

25

30

40

45

55

70

80

90

130

150

170

180

200

215

240

255

ZZK @ IZK

Ω

150

170

200

225

250

300

325

350

375

400

425

450

475

500

mA

1.0

0.5

最大

反向

当前

IR

μA

0.1

0.05

@ VR

V

8.0

10.5

11.2

12.6

14.0

15.4

16.8

18.9

21.0

23.1

25.2

27.3

30.1

32.9

35.7

39.2

43.4

47.6

52.5

最大

齐纳

当前

IZM

mA

42

38

33

31

28

25

23

21

19

17

15

14

13

12

11

9.9

8.9

8.0

7.4

6.7

TYPE

SOD- 80案例 - 机械外形

标记：阴极频带

R2 （ 2010年11月）

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

齐纳二极管

无铅封装用于表面安装

双封堵施工

冶金结合

BZV55 C2V4

THRU

BZV55 C75

最大额定值

工作温度： -65 ° C到+ 175℃

存储温度： -65 °C至+ 175℃

功率降额： 3.33毫瓦/ ° C以上+ 50°C

正向电压： @ 200毫安： 1.1伏特最大

电气特性

@ 25 ° C，除非另有规定ED 。

最大

迪FF erential

阻力

rdiff进行@ I Z

mA

5

2

欧

100

95

90

80

60

40

10

15

20

25

30

40

45

55

70

80

90

130

150

170

180

200

215

240

255

mA

5

2

50

20

10

5

3

2

1

3

2

1

.700

.500

.200

.100

.050

最大

反向

当前

IR @ VR

TYPE

齐纳电压

（注1 ）

VZ @ I ZT

伏

民

最大

A

伏

1

2

4

5

6

7

8

10.5

11.2

12.6

14.0

15.4

16.8

18.9

21.0

23.1

25.2

27.3

30.1

32.9

35.7

39.2

43.4

47.6

52.2

BZV55

C2V4

C2V7

C3V0

C3V3

C3V6

C3V9

C4V3

C4V7

C5V1

C5V6

C6V2

C6V8

C7V5

C8V2

C9V1

C10

C11

C12

C13

C15

C16

C18

C20

C22

C24

C27

C30

C33

C36

C39

C43

C47

C51

C56

C62

2.2

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28.0

31.0

34.0

37.0

40.0

44.0

48.0

52.0

58.0

64.0

70.0

2.6

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32.0

35.0

38.0

41.0

46.0

50.0

54.0

60.0

66.0

72.0

79.0

暗淡

D

F

G

G1

S

MILLIMETERS

英寸

最小值最大值最小值最大值

1.60

1.70 0.063 0.067

0.41

0.55 0.016 0.022

3.30

3.70 .130 .146

2.54 REF 。

.100 REF 。

0.03 MIN 。

0.001 MIN 。

设计数据

案例：

DO- 213AA ，完全密封

玻璃柜。（ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）

铅表面处理：

锡/铅

热阻（R

OJEC ）：

100℃ / W最大为L = 0英寸

热阻抗：（Z

OJX ）： 35

C / W最高

极性：

二极管与操作

带状（阴极）端阳性。

安装面选择：

扩展的轴向系数

（ COE ）这个装置大约是

+ 6PPM / ℃。在安装的COE

地面系统应选择

提供一个合适的符合这种

装置。

BZV55 C68

BZV55 C75

注1

额定齐纳电压测量用热设备结

平衡在25 ° C + 3 ° C的环境温度。

COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176

电话：（781 ） 665-1071

传真：（781 ） 665-7379

网站： http://www.cdi-diodes.com

电子信箱： mail@cdi-diodes.com

BZV55C2V0-BZV55C75

Pb

RoHS指令

合规

0.5瓦密封式玻璃

齐纳稳压器

小型晶圆电阻

特点

齐纳电压范围2.0 75伏特

LL- 34 （迷你MELF ）包

面器类型安装

密封的玻璃

压接施工

所有的外部表面的腐蚀

性和终端很容易

可焊

符合RoHS

雾锡（ Sn）的无铅封装

蓝色色带表示负极性

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值和电气特性

等级25

o

C环境温度，除非另有规定。

类型编号

功耗

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

P合计

T

J

, T

英镑

价值

500

-65到+ 200

单位

mW

o

C

这些额定值的限制值，超过该值

二极管的适用性可能受到损害

版本： B07

电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）

TYPE

数

V

Z

@ I

ZT

（伏）

V

Z

敏（ V）

V

Z

喃

V

Z

MAX（ V）

I

ZT

mA

Z

ZT

@ I

ZT

欧

最大

I

ZK

mA

Z

ZK

@ I

ZK

欧

I

R

@ V

R

uA

最大

V

R

V

BZV55C2V0

BZV55C2V2

BZV55C2V4

BZV55C2V7

BZV55C3V0

BZV55C3V3

BZV55C3V6

BZV55C3V9

BZV55C4V3

BZV55C4V7

BZV55C5V1

BZV55C5V6

BZV55C6V2

BZV55C6V8

BZV55C7V5

BZV55C8V2

BZV55C9V1

BZV55C10

BZV55C11

BZV55C12

BZV55C13

BZV55C15

BZV55C16

BZV55C18

BZV55C20

BZV55C22

BZV55C24

BZV55C27

BZV55C30

BZV55C33

BZV55C36

BZV55C39

BZV55C43

BZV55C47

BZV55C51

BZV55C56

BZV55C62

BZV55C68

1.88

2.08

2.28

2.51

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

2

2.2

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.30

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

2.11

2.33

2.56

2.89

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.1

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

5

2

2.5

100

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

26

30

40

50

55

80

90

110

125

135

150

160

1.0

0.5

600

550

450

200

150

50

70

90

110

170

220

500

600

700

1000

50

10

4

2

1

0.5

0.1

1.0

2.0

3.0

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

28

32

35

38

42

47

51

56

BZV55C75

70

75

80

2.5

170

0.5

注：1。 VF正向电压= 1.0V最大@ IF = 100mA的电流的所有类型。

2.列出的类型号有齐纳电压的最小值/最大值的限制，如图所示。

3.齐纳阻抗从60周的交流电压，交流电流具有当其导致来自

的均方根值等于直流齐纳电流的10％（我

ZT

还是我

ZK

）被叠加到我

ZT

还是我

ZK

版本： B07

收视率和特性曲线

（ BZV55C系列）

TK

VZ

- 温度V系数

Z

(10

-4

/K)

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

600

500

400

300

200

100

0

15

10

5

I

Z

= 5毫安

0

-5

0

10

20

40

30

V

Z

- z - 电压（V）

50

40

80

120

160

200

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

图1.总功率耗散与环境温度

Vz的图4.温度系数与Z-电压

1000

C

D

- 二极管电容（pF ）

V

Z

- 电压变化（MV ）

200

T

j

= 25 °C

150

V

R

= 2 V

T

j

= 25 °C

100

I

Z

= 5毫安

10

50

1

0

5

10

15

20

V

Z

- z - 电压（V）

0

25

0

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

图5.二极管电容与Z-电压

工作电压下运行图2.典型的变化

在T条件

AMB

=25°C

V

ZTN

- 相对电压变化

1.3

I

F

- 正向电流（mA ）

V

ZTN

= V

Zt

/V

Z

(25 °C)

100

10

T

j

= 25 °C

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

- 60

TK

VZ

= 10 x 10

-4

/K

8 x 10

-4

/K

6 x 10

-4

/K

4 x 10

-4

/K

2 x 10

-4

/K

1

0

- 2×10 / K的

- 4 x 10

-4

/K

-4

0.1

0.01

0.001

0

60

120

180

240

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

T

j

- 结温（ ° C）

工作电压图3.典型的变化与结

温度

V

F

- 正向电压（ V）

图6.正向电流与正向电压

版本： B07

收视率和特性曲线

（ BZV55C系列）

r

Z

- 微分Z-电阻（Ω ）

100

80

I

Z

- Z-电流（mA ）

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

1000

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

60

40

20

0

4

6

8

12

20

V

Z

- z - 电压（V）

图7. Z-电流与Z-电压

10

10毫安

1

TJ = 25 C

0

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

图9.差分Z-电阻与Z-电压

50

40

30

20

10

0

15

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

I

Z

- Z-电流（mA ）

20

25

30

35

V

Z

- z - 电压（V）

图8. Z-电流与Z-电压

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（ KW ）

1000

t

P

/T = 0.5

100

t

P

/T = 0.2

单脉冲

10

t

P

/T = 0.1

t

P

/T = 0.02

i

ZM

= (- V

Z

+ (V

Z2

+ 4r

zj

x深/ Z

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

10

0

10

1

t

P

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

t

P

/T = 0.01

t

P

/T = 0.05

1

10

-1

R

thJA

= 300°K / W的

T = T

JMAX

- T

AMB

图10.热响应

版本： B07

BZV55C/ZMM55C-SERIES

齐纳二极管

齐纳电压： 2.4-180V

峰值脉冲功率： 500mW的

特征

MINI MELF

低阻抗齐纳

低调控因子

玻璃钝化结

高温焊接保证：

260℃ / 10S在终端

0.063(1.6)

0.055(1.4)

0.020(0.5)

0.012(0.3)

0.146(3.7)

0.130(3.3)

0.020(0.5)

0.012(0.3)

机械数据

案例：

MINI MELF玻璃模制体

终端：

镀轴向引线，每MIL -STD 750可焊性，

方法2026

极性：

颜色频带端为负极

安装位置：

任何

重量：

0.002盎司， 0.05克

最大额定值和电气特性

在25℃的环境温度额定值除非另有规定。

符号

价值

单位

齐纳电流见表格特性

在环境温度Tamb功耗= 25℃ （注1 ）

结温

存储温度范围

热电阻交界处的环境（注1 ）

在我正向电压

F

=100mA

P

合计

T

j

T

英镑

R

qJA

V

F

500

200

-65到+ 200

0.3

1.0

mW

C

K /毫瓦

V

注1：有效的规定，导致在从情况下的距离为10mm保持在环境温度下

www.shunyegroup.com

电气特性（在T

A

= 25°C除非另有说明）

公称

最大齐纳

TEST

ZenerVoltage电流

阻抗

VZ @我

ZT

I

ZT

Z

ZT @

I

ZT

Z

ZK @

I

ZK

I

ZK

民

最大

mA

欧姆欧姆

mA

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

77

85

94

104

114

124

138

153

168

188

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

80

87

96

106

116

127

141

156

171

191

212

5.0

2.5

1.0

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

26

30

40

50

55

80

90

110

125

135

150

200

250

300

450

600

800

1000

1200

1500

1800

2000

600

550

450

200

150

50

70

90

110

170

220

500

600

700

1000

1500

2000

5000

1.0

0.5

0.1

设备类型

BZV/ZMM55C2V4

BZV/ZMM55C2V7

BZV/ZMM55C3V0

BZV/ZMM55C3V3

BZV/ZMM55C3V6

BZV/ZMM55C3V9

BZV/ZMM55C4C3

BZV/ZMM55C4V7

BZV/ZMM55C5V1

BZV/ZMM55C5V6

BZV/ZMM55C6V2

BZV/ZMM55C6V8

BZV/ZMM55C7V5

BZV/ZMM55C8V2

BZV/ZMM55C9V1

BZV/ZMM55C10

BZV/ZMM55C11

BZV/ZMM55C12

BZV/ZMM55C13

BZV/ZMM55C15

BZV/ZMM55C16

BZV/ZMM55C18

BZV/ZMM55C20

BZV/ZMM55C22

BZV/ZMM55C24

BZV/ZMM55C27

BZV/ZMM55C30

BZV/ZMM55C33

BZV/ZMM55C36

BZV/ZMM55C39

BZV/ZMM55C43

BZV/ZMM55C47

BZV/ZMM55C51

BZV/ZMM55C56

BZV/ZMM55C62

BZV/ZMM55C68

BZV/ZMM55C75

BZV/ZMM55C82

BZV/ZMM55C91

BZV/ZMM55C100

BZV/ZMM55C110

BZV/ZMM55C120

BZV/ZMM55C130

BZV/ZMM55C150

BZV/ZMM55C160

BZV/ZMM55C180

BZV/ZMM55C188

最大

最大反向

典型

调节器

漏电流温度

当前

系数

@V

R

I

R

I

ZM

m

A

mA

(%/ C)

伏

50

10

4.0

2.0

1.0

0.5

0.1

1.0

2.0

3.0

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

-0.085

-0.080

-0.075

-0.070

-0.065

-0.060

+0.055

+0.030

+0.038

+0.045

+0.050

+0.058

+0.062

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.085

+0.086

+0.087

+0.088

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

+0.094

+0.095

+0.096

155

135

125

115

105

95

90

85

80

70

64

58

53

74

43

40

36

32

29

27

24

21

20

18

16

14

13

12

11

10

9.2

8.5

7.8

7.0

6.4

5.9

5.3

4.8

4.4

4.0

3.6

3.3

3.0

2.6

2.5

2.2

2.0

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额定值和特性曲线BZV / ZMM55 -SERIES

击穿特性

mA

50

IZ ，测试电流， MILLIAMPERS

5

10

15

20

25

30

V

40

30

20

测试电流

Iz=5mA

10

0

P

TOT ，

功耗毫瓦

2V4

6V8

6V2

5V6

5V1

4V7

4V3

3V9

3V3

受理的功耗与环境温度

在从情况下的距离为10mm有效条件是引线被保持在环境温度

500

400

300

200

100

0

9V1

0

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12

11

50

VZ ，齐纳电压，电压

100

环境温度，C

15

150

200

20

22

250

24

27