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分立半导体
数据表
AGE
M3D088
M3D071
BAS40系列
肖特基势垒(双)二极管
产品speci fi cation
取代1997年的数据10月24日
1999年04月28
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
特点
低正向电压
保护环
小型塑料SMD封装
低电容二极管。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管。
描述
平面肖特基势垒二极管的
综合保护环应力
保护。单二极管和双
二极管不同的钉扎
可用。二极管BAS40 ,
BAS40-04 , BAS40-05和BAS40-06
被封装在一个小型SOT23封装
塑料SMD封装。该BAS40-07
被封装在一个SOT143B小
塑料SMD封装
记号
类型编号
BAS40
BAS40-04
BAS40-05
BAS40-06
BAS40-07
1.
= P :香港制造。
= T:在马来西亚。
钉扎SOT143B
(见图2)
BAS40-07
1
2
3
4
1999年04月28
k
1
k
2
a
2
a
1
描述
顶视图
BAS40系列
钉扎SOT23
(参见图1a )
描述
1
2
3
BAS40
(参见图1b )
a
1
北卡罗来纳州
k
1
BAS40-04
(参见图1c )
a
1
k
2
k
1
, a
2
BAS40-05
(参见图1d )
a
1
a
2
k
1
, k
2
BAS40-06
(参见图1e )
k
1
k
2
a
1
, a
2
手册, 2列
3
手册, 2列
3
2
MGC485
1
1
顶视图
2
。 BAS40-04
手册, 2列
MGC482
3
2
MGC484
一。简化外形SOT23封装。
1
。 BAS40-05 。
手册, 2列
3
2
北卡罗来纳州
MGC483
手册, 2列
3
2
MGC486
1
1
记号
CODE
(1)
43
44
45
46
47p
B 。 BAS40单二极管。
。 BAS40-06 。
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
手册, halfpage
4
3
4
3
1
1
2
MAM194
2
图2简体外形( SOT143B ) BAS40-07和符号。
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
1 s;
δ ≤
0.5
t
p
& LT ;
10毫秒
65
65
参数
条件
BAS40系列
分钟。
马克斯。
单位
40
120
120
200
+150
150
+150
V
mA
mA
mA
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
看科幻G.3
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 40毫安
I
R
C
d
1.脉冲测试:吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
1.参考SOT23或SOT143B标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
500
单位
K / W
反向电流
二极管电容
V
R
= 30 V ;注意1 ;见图4
V
R
= 40 V ;注意1 ;见图4
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图6
380
500
1
1
10
5
mV
mV
V
A
A
pF
参数
条件
马克斯。
单位
1999年04月28
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
图形数据
MLC361 - 1
BAS40系列
10
2
手册, halfpage
IF
(MA )
10
手册, halfpage
10
3
MLC362
IR
(A)
(1)
10
2
10
(1)
(2)
(3)
(4)
(2)
1
1
10
1
10
1
(3)
10
2
10
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V F ( V)
1.0
0
10
20
30
VR ( V)
40
(1)
(2)
(3)
(4)
T
AMB
= 150
°C.
T
AMB
= 85
°C.
T
AMB
= 25
°C.
T
AMB
=
40 °C.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.3
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.4
反向电流反向的函数
电压;典型值。
10
3
手册, halfpage
差异
()
10
2
MLC364
MLC363
手册, halfpage
5
Cd
(PF )
4
3
2
10
1
1
10
1
0
1
10
IF (MA )
10
2
0
10
20
30
VR ( V)
40
F = 10千赫。
F = 1 MHz的牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.5
微分正向电阻为一个函数
的正向电流;典型值。
Fig.6
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1999年04月28
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
包装纲要
塑料表面贴装封装; 3引线
BAS40系列
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月28
5
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