添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第775页 > BAS16TT1
BAS16TT1
超前信息
硅开关二极管
http://onsemi.com
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
连续反向电压
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 10
m
s
符号
V
R
I
F
I
FM （浪涌）
最大
75
200
500
单位
V
mA
mA
3
阴极
1
阳极
首选设备
热特性
特征
总功耗，
(1)
T
A
= 25°C
工作和存储结
温度范围
热阻，
结到环境
符号
P
D
T
J
, T
英镑
R
θJA
最大
150
-55
+150
833
单位
mW
°C
° C / W
3
2
1
CASE 463
SOT–416/SC–75
方式2
（1）装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的
推荐最低脚垫。
器件标识
A6
订购信息
设备
BAS16TT1
包
SOT–416
航运
3000 /磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
本文件包含的新产品信息。规格及信息
本文如有更改，恕不另行通知。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 修订版0
出版订单号：
BAS16TT1/D
BAS16TT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
正向电压
(I
F
= 1.0 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 50 mA）的
(I
F
= 150 mA）的
反向电流
(V
R
= 75 V)
(V
R
= 75 V ，T
J
= 150°C)
(V
R
= 25 V ，T
J
= 150°C)
电容
(V
R
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10毫安，R
L
= 50
)
（图1）
存储电荷
(I
F
= 10 mA至V
R
= 6.0 V ，R
L
= 500
)
（图2）
正向恢复电压
(I
F
= 10毫安，T
r
= 20纳秒） （图3）
符号
V
F
—
—
—
—
I
R
—
—
—
C
D
t
rr
QS
V
FR
—
—
—
—
1.0
50
30
2.0
6.0
45
1.75
pF
ns
PC
V
715
866
1000
1250
A
民
最大
单位
mV
http://onsemi.com
2
BAS16TT1
1 ns（最大值）
t
10%
t
if
50
占空比= 2 ％
90%
V
F
100纳秒
I
rr
t
rr
500
DUT
图1.反向恢复时间等效测试电路
示波器
R
≥
10 M
C
≤
7 pF的
V
C
20 ns（最大值）
t
10%
VCM
V
CM
D1
243 pF的
100 K
500
DUT
BAW62
+
Qa
C
占空比= 2 ％
t
90%
V
f
400纳秒
图2.恢复电荷等效测试电路
120纳秒
V
90%
V
1 K
450
V
fr
DUT
50
10%
t
占空比= 2 ％
2 ns（最大值）
图3.正向恢复电压等效测试电路
http://onsemi.com
3
BAS16TT1
100
IF ，正向电流（mA ）
IR ，反向电流（ μA ）
10
T
A
= 150°C
1.0
T
A
= 125°C
10
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= – 40°C
T
A
= 85°C
0.1
T
A
= 55°C
0.01
T
A
= 25°C
1.0
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（伏）
1.2
0.001
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
图4.正向电压
图5.漏电流
0.68
CD ，二极管电容（PF ）
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
，反向电压（伏）
图6.电容
http://onsemi.com
4
BAS16TT1
对于采用SOT -416表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
典型
焊接格局
单位：mm
0.5分钟。 （3×）
SOT - 416 / SC- 75功耗
的SOT- 416 / SC- 75的功耗是一个
功能焊盘的大小。这可以从最小变化
垫的大小为焊接到焊盘的尺寸定为最大
功耗。功耗为表面安装
装置由T来确定
J（下最大）
时，最大额定
模具，R的结温
θJA
中，热
从器件的结点到环境性能;和
工作温度，T
A
。利用设置在值
数据表中，P
D
可以如下计算。
P
D
=
T
J（下最大）
– T
A
R
θJA
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
法，差别应该最多10℃ 。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
冷却过程中
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
0.5分钟。 （3×）
1.4
0.5
1
入方程用于将环境温度T
A
为25℃ ，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为150毫瓦。
P
D
=
150°C – 25°C
625°C/W
= 150毫瓦
在625 ° C / W假定使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的150毫瓦功率耗散。另一种选择
将是使用陶瓷基板或铝芯
板，如热复合 。使用的基板材料，例如
作为热复合，较高的功耗可
实现使用相同的足迹。
http://onsemi.com
5
BAS16TT1
首选设备
硅开关二极管
特点
无铅包装是可用*
http://onsemi.com
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
连续反向电压
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 10
ms
符号
V
R
I
F
I
FM （浪涌）
最大
75
200
500
单位
V
mA
mA
3
阴极
1
阳极
热特性
特征
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ）
T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR-4板（注2）
T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
360
2.9
R
qJA
T
J
, T
英镑
345
-55
+150
mW
555
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
3
2
1
CASE 463
SOT416
方式2
标记图
A6
毫瓦/°C的
° C / W
°C
订购信息
设备
BAS16TT1
BAS16TT1G
包
SOT416
SOT416
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年5月 - 第2版
出版订单号：
BAS16TT1/D
BAS16TT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
正向电压
(I
F
= 1.0 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 50 mA）的
(I
F
= 150 mA）的
反向电流
(V
R
= 75 V)
(V
R
= 75 V ，T
J
= 150°C)
(V
R
= 25 V ，T
J
= 150°C)
电容
(V
R
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10毫安，R
L
= 50
W)
（图1）
存储电荷
(I
F
= 10 mA至V
R
= 6.0 V ，R
L
= 500
W)
（图2）
正向恢复电压
(I
F
= 10毫安，T
r
= 20纳秒） （图3）
符号
V
F
I
R
C
D
t
rr
QS
V
FR
1.0
50
30
2.0
6.0
45
1.75
pF
ns
PC
V
715
866
1000
1250
mA
民
最大
单位
mV
http://onsemi.com
2
BAS16TT1
1 ns（最大值）
t
10%
t
if
t
rr
50
W
占空比= 2 ％
V
F
90%
I
rr
100纳秒
500
W
DUT
图1.反向恢复时间等效测试电路
示波器
R
.
10兆瓦
C
3
7 pF的
V
C
20 ns（最大值）
t
10%
500
W
V
CM
DUT
D1
BAW62
243 pF的
100千瓦
Qa
VCM
+
C
占空比= 2 ％
V
f
90%
400纳秒
t
图2.存储电荷的等效测试电路
120纳秒
V
90%
V
1 KW
450
W
V
fr
10%
t
DUT
50
W
占空比= 2 ％
2 ns（最大值）
图3.正向恢复电压等效测试电路
http://onsemi.com
3
BAS16TT1
100
IR ，反向电流（ μA ）
IF ，正向电流（mA ）
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
10
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 40°C
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（伏）
1.2
0.001
图4.正向电压
图5.漏电流
0.68
CD ，二极管电容（PF ）
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
，反向电压（伏）
图6.电容
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图7.归热响应
http://onsemi.com
4
BAS16TT1
包装尺寸
SC416/SC90/SOT75
CASE 463-01
版本C
A
S
2
3
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
民
最大
0.70
0.90
1.40
1.80
0.60
0.90
0.15
0.30
1.00 BSC
0.10
0.10
0.25
1.45
1.75
0.10
0.20
0.50 BSC
英寸
民
最大
0.028 0.035
0.055 0.071
0.024 0.035
0.006 0.012
0.039 BSC
0.004
0.004 0.010
0.057 0.069
0.004 0.008
0.020 BSC
摹-B-
1
D
3 PL
0.20 (0.008)
M
B
K
0.20 (0.008) A
J
C
L
H
方式2 ：
PIN 1.阳极
2， N / C
3.阴极
http://onsemi.com
5
查看更多BAS16TT1PDF信息
推荐型号
B32912A3223K189
BA6886N
BU-65171S1-120
BCM94326
B41303B9228M007
B82462G4104M000
B3633
BZX399SERIES
B43252E2187M000
BL-XY0361-F8
BP5232A33
BZA456A
B43866A4106M000
BU-65171V2-300
BTN3501I3
B82442T1685K050
BU4812FVE-TR
BD13516S
BCR169S
B32686A0154
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAS16TT1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
锦迅科技(香港)有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ：2942939487 复制

电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
BAS16TT1
ON
21+
200
SC-75
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BAS16TT1
onsemi
24+
10000
-
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BAS16TT1
ON/安森美
2443+
23000
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BAS16TT1
ONS
24+
8420
SC-75 (SOT-416)
全新原装现货，原厂代理。
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
BAS16TT1
ＯＮ
22+
72000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
深圳市裕硕科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ：1909637520 复制
电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
BAS16TT1
ONS
2024+
9675
SC-75 (SOT-416)
优势现货，全新原装进口
深圳市世品佳电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：296271020 复制
电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
BAS16TT1
ON Semiconductor
24+
22000
000￥/片,原装正品假一赔百！
深圳市华斯顿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
BAS16TT1
ON
25+23+
23923
N/A
绝对原装正品现货，全新渠道优势专营进口品牌！
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BAS16TT1
ON/安森美
2024
20918
SOT-323
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BAS16TT1
ON/安森美
22+
32570
全新原装正品/质量有保证
查询更多BAS16TT1供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！