BCR169...
PNP硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 4.7 k)
BCR169S ：两个内部隔离
晶体管具有良好的匹配
在一个多芯片封装
BCR169S ：对于方位盘看
下面的包信息
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
BCR169/F/W
C
3
BCR169S
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
TR1
R
1
TR2
1
B
2
E
EHA07180
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07266
TYPE
BCR169
BCR169F
BCR169S
BCR169W
1
含有铅，
记号
WSS
WSS
WSS
WSS
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
TSFP-3
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
包可能是可根据特殊要求
1
2007-08-02
BCR169.../SEMB3
PNP硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 4.7k
)
对于6引脚封装： 2 （电流）的内部
隔离晶体管具有良好的匹配
在一个封装中
BCR169/F/L3
BCR169T/W
C
3
BCR169S/U
SEMB3
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
TR1
R
1
TR2
1
B
2
E
EHA07180
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07266
TYPE
记号
引脚配置
包
BCR169
BCR169F
BCR169L3
BCR169S
BCR169T
BCR169U
BCR169W
SEMB3
WSS
WSS
WS
WSS
WSS
WSS
WSS
WS
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SC74
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
1
May-18-2004
BCR169.../SEMB3
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
50
5
-
120
-
0.4
0.5
3.2
-
-
-
-
-
-
-
4.7
-
-
100
630
0.3
0.8
1.1
6.2
k
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
nA
-
V
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％
f
T
C
cb
-
-
200
3
-
-
兆赫
pF
3
May-18-2004
BCR169S
PNP硅数字晶体管阵列
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
二（电流）的内部分离晶体管
在一个封装好的匹配
内置偏置电阻（R
1
=4.7k )
C1
6
B2
5
E2
4
4
5
6
2
1
3
VPS05604
R
1
TR1
R
1
TR2
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07266
TYPE
BCR169S
最大额定值
参数
记号
WSS
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
50
50
5
15
100
250
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
mA
mW
°C
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
140
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Dec-13-2001
BCR 169S
PNP硅数字晶体管阵列
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
两个（电流）的内部分离晶体管
在一个封装中
内置偏置电阻（R
1
=4.7k)
TYPE
BCR 169S
订购代码标识引脚配置
WSS
包
经询问1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT- 363
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 115°C
结温
储存温度
符号
值
50
50
5
15
100
250
150
- 65 ... + 150
mA
mW
°C
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
热阻
交界处的环境
1)
R
thJA
R
thjs
≤
275
≤
140
K / W
结 - 焊接点
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米
2
Cu
半导体集团
1
Dec-18-1996
BCR 169S
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
F（我
C
),
h
FE
= 20
10
3
10
2
-
mA
h
FE
10
2
I
C
10
1
10
1
10
0
10
0
-1
10
10
0
10
1
mA
I
C
10
-1
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 V 0.50
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
F（我
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
输入过电压
V
我（关闭）
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
2
10
2
mA
mA
I
C
10
1
I
C
10
1
10
0
10
-1
10
0
10
-2
10
-1
-1
10
10
0
10
1
V
V
我（上）
10
-3
0
1
2
3
V
5
V
我（关闭）
半导体集团
3
Dec-18-1996
QQ：2880707522 复制
