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BAR64V-05W-V
威世半导体
RF PIN二极管 - 双通道，采用SOT -323共阴极
描述
低反向电容PIN特点
二极管BAR64V - 05W -V是专为RF信号
开关和调优。作为前进的函数
偏置电流的正向电阻（射频）可以是
调整在很宽的范围内。长载流子寿命
提供了信号的低信号失真超过10 MHz的最高
到3GHz 。典型的应用为这些PIN二极管
是开关和衰减器在无线，移动和
电视系统。
2
1
3
1
2
18380
3
特点
高电压电流控制RF
电阻器
小型二极管电容
低串联电感
低正向电阻
由于改进了性能两
独立的骰子
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
机械数据
案例：
SOT-323
重量：
约。 5.7毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10K /盒GS18 / 10K
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15K /盒GS08 / 3K
应用
对于频率高达3 GHz的
RF信号调谐
信号衰减器和开关
移动，无线和电视的应用
零件表
部分
BAR64V-05W-V
订购代码
BAR64V - 05W -V - GS18或BAR64V - 05W -V- GS08
记号
DW5
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
R
I
F
T
j
T
英镑
价值
100
100
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
°C
°C
文档编号81836
修订版1.3 ， 29 - OCT- 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
BAR64V-05W-V
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
反向电流
正向电压
二极管电容
测试条件
I
R
= 10 A
V
R
= 50 V
I
F
= 50毫安
F = 1MHz时， V
R
= 0
F = 1MHz时， V
R
= 1 V
F = 1MHz时， V
R
= 20 V
F = 100 MHz时，我
F
= 1毫安
正向电阻
载流子寿命
串联电感
F = 100 MHz时，我
F
= 10毫安
F = 100 MHz时，我
F
= 100毫安
I
F
= 10 mA时，我
R
= 6毫安，我
R
= 3毫安
符号
V
R
I
R
V
F
C
D
C
D
C
D
r
f
r
f
r
f
t
rr
L
S
0.5
0.37
0.23
10
2.0
0.8
1.8
1
0.5
0.35
20
3.8
1.35
分钟。
100
50
1.1
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
V
pF
pF
pF
Ω
Ω
Ω
s
nH
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
100.00
100.0
r
f
- 前Ressistance （ Ω ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
F = 100 MHz的
10.0
10.00
1.00
1.0
0.10
0.1
0.1
18342
0.01
1
10
0.5
18326
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.正向电阻与正向电流
图3.正向电流与正向电压
0.50
0.45
12
F = 1 MHz的
10
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
F
= 10毫安
I
R
= 6毫安
i
rr
=
3毫安
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
I
F
- 正向电流（mA ）
0
4
8
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20
24
28
18338
8
6
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0
-2
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-
8
- 500
500
1500
2500
3500
18334
V
R
- 反向
电压
(V)
t
rr
- 反向恢复时间（ NS）
图2.二极管电容与反向电压
图4.典型充电曲线恢复
www.vishay.com
2
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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BAR64V-05W-V
威世半导体
0
- 0.5
-1
- 1.5
I
F
- 0.5毫安
-2
- 2.5
-3
0
21027
|S
21
| 2 - 插入损耗（dB ）
I
F
= 3毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
的F - 频率（GHz ）
图5.插入一个二极管损耗串联插入50
Ω
带状线
0
|S
21
| = |S
12
| 2 - 隔离度（dB ）
-5
- 10
- 15
V
R
= 0时，二极管的零偏置
- 20
- 25
0
21028
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
的F - 频率（GHz ）
图6.隔离的一个二极管串联接入50
Ω
带状线
I
P2
- 二阶截取点（ DBM）
150
100
F = 1.8 GHz的
F = 0.9 GHz的
50
0
0.1
1
10
21029
I
F
- 正向电流（mA ）
图7.二阶截取点为一个二极管插入
50
Ω
带状线
文档编号81836
修订版1.3 ， 29 - OCT- 10
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3
BAR64V-05W-V
威世半导体
包装尺寸
毫米（英寸）
： SOT- 323
1.0 (0.039)
0.8 (0.031)
2.0 (0.079)
0.15 (0.006)
0.08 (0.003)
0.1 (0.004)
0.0 (0.000)
1.1 (0.043)
0.8 (0.031)
2.2 (0.087)
8°
0.46 (0.018)
0.26 (0.010)
0.525 （ 0.021 ）参考。
2.45 (0.096)
2.15 (0.085)
0.4 (0.016)
0.2 (0.008)
1.35 (0.053)
1.15 (0.045)
足迹推荐：
0.6 (0.024)
0.65 （ 0.026 ） TYP
1.4 (0.055)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
文件编号： 6.541-5040.02-4
启1 - 日期： 2010年4月06
21113
0.65 (0.026)
1.3 (0.051)
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1.8 (0.071)
0°
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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BAR64V-05W-V
威世半导体
RF PIN二极管 - 双通道，在SOT323共阴极
描述
低反向电容PIN特点
二极管BAR64V - 05W -V是专为RF信号
开关和调优。作为前进的函数
偏置电流的正向电阻（射频）可以是
调整在很宽的范围内。长载流子寿命
提供了信号的低信号失真超过10 MHz的最高
到3GHz 。典型的应用为这些PIN二极管
是开关和衰减器在无线，移动和
电视系统。
2
1
3
1
2
18380
3
特点
高压电流控制RF电阻
小二极管电容
e3
低串联电感
低正向电阻
提高性能，因为两个分离式骰子
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
机械数据
案例：
SOT323塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
应用
对于频率高达3 GHz的
RF信号调谐
信号衰减器和开关
移动，无线和电视的应用
零件表
部分
BAR64V-05W-V
订购代码
BAR64V - 05W -V - GS18或BAR64V - 05W -V- GS08
记号
DW5
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
R
I
F
T
j
T
英镑
价值
100
100
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
°C
°C
文档编号81836
修订版1.1 ， 25 -FEB -08
如需技术支持，请联系： Diodes-SSP@vishay.com
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1
BAR64V-05W-V
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
反向电流
正向电压
二极管电容
测试条件
I
R
= 10 A
V
R
= 50 V
I
F
= 50毫安
F = 1MHz时， V
R
= 0
F = 1MHz时， V
R
= 1 V
F = 1MHz时， V
R
= 20 V
F = 100 MHz时，我
F
= 1毫安
正向电阻
载流子寿命
串联电感
F = 100 MHz时，我
F
= 10毫安
F = 100 MHz时，我
F
= 100毫安
I
F
= 10 mA时，我
R
= 6毫安，我
R
= 3毫安
符号
V
R
I
R
V
F
C
D
C
D
C
D
r
f
r
f
r
f
t
rr
L
S
0.5
0.37
0.23
10
2.0
0.8
1.8
1
0.5
0.35
20
3.8
1.35
分钟。
100
50
1.1
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
V
pF
pF
pF
Ω
Ω
Ω
s
nH
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
100.00
100.0
r
f
- 前Ressistance （ Ω ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
F = 100 MHz的
10.0
10.00
1.00
1.0
0.10
0.1
0.1
18342
0.01
1
10
0.5
18326
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.正向电阻与正向电流
图3.正向电流与正向电压
0.50
0.45
12
F = 1 MHz的
10
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
F
= 10毫安
I
R
= 6毫安
i
rr
=
3毫安
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
I
F
- 正向电流（mA ）
0
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18338
8
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-6
-
8
- 500
500
1500
2500
3500
18334
V
R
- 反向
电压
(V)
t
rr
- 反向恢复时间（ NS）
图2.二极管电容与反向电压
图4.典型充电曲线恢复
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文档编号81836
修订版1.1 ， 25 -FEB -08
BAR64V-05W-V
威世半导体
0
- 0.5
-1
- 1.5
I
F
- 0.5毫安
-2
- 2.5
-3
0
21027
|S
21
| 2 - 插入损耗（dB ）
I
F
= 3毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
0.5
1
1.5
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2.5
3
3.5
的F - 频率（GHz ）
图5.插入一个二极管损耗串联插入50
Ω
带状线
0
|S
21
| = |S
12
| 2 - 隔离度（dB ）
-5
- 10
- 15
V
R
= 0时，二极管的零偏置
- 20
- 25
0
21028
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
的F - 频率（GHz ）
图6.隔离的一个二极管串联接入50
Ω
带状线
I
P2
- 二阶截取点（ DBM）
150
100
F = 1.8 GHz的
F = 0.9 GHz的
50
0
0.1
1
10
21029
I
F
- 正向电流（mA ）
图7.二阶截取点为一个二极管插入
50
Ω
带状线
文档编号81836
修订版1.1 ， 25 -FEB -08
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3
BAR64V-05W-V
威世半导体
包装尺寸
以毫米（英寸）
： SOT323 -V
1.0 [0.039]
0.8 [0.031]
0.8 [0.031]
1.1 [0.043]
2.2 [0.087]
2.0 [0.079]
0.0 [0.000]
0.1 [0.004]
0.15 [0.006]
0.08 [0.003]
8
°
0.46 [0.018]
0.26 [0.010]
0.4 [0.016]
0.2 [0.008]
0.525 [ 0.021 ]参考。
2.45 [0.096]
2.15 [0.085]
1.35 [0.053]
0.65 [ 0.026 ] （典型值） 。
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
足迹推荐：
0.6 [0.024]
1.15 [0.045]
0.8 [0.031]
创建 - 日期： 2008年2月21日
文件编号： 6.541-5040.02-4
21113
0.65 [0.026]
1.3 [0.051]
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文档编号81836
修订版1.1 ， 25 -FEB -08
1.8 [0.071]
0°
BAR64V-05W-V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别。
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
环境保护局（ EPA）在美国。
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何意外或
未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体的所有索赔，费用，损失，
和费用，直接或间接地引起的，人身损害，伤害或死亡的任何索赔相关
与此类意外或未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号81836
修订版1.1 ， 25 -FEB -08
如需技术支持，请联系： Diodes-SSP@vishay.com
www.vishay.com
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BZX79C62RL
BQ294703DSGR
B82464G2223M000
B43508A2128M002
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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更多配单专家
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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
BAR64V-05W-V
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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2441261114 复制
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