BTA201系列B， E和ER
1三象限三端双向可控硅整流高
牧师04 - 2008年2月4日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
钝化，保证换向双向可控硅在一个塑料包。在“敏感门'E
和ER系列适用于低功率驱动器接口，包括
微控制器。高换B系列设计用于整流全RMS
目前，在没有缓冲的帮助下，最大结温。
1.2产品特点
I
适合与低功率接口
驱动程序，包括微控制器
I
反向牵制选项（ ER型）
1.3应用
I
电机控制
I
螺线管驱动器
1.4快速参考数据
I
I
I
I
I
TSM
≤
12.5 A
I
T（ RMS ）
≤
1 A
V
DRM
≤
600 V （ BTA201-600B / E）
V
DRM
≤
800 V （ BTA201-800B / E / ER ）
I
I
I
I
I
GT
≤
50毫安（ BTA201-600B / 800B ）
I
GT
≤
10毫安（ BTA201-600E / 800E / ER ）
I
GT
≥
5毫安（ BTA201-600B / 800B ）
I
GT
≥
1毫安（ BTA201-600E / 800E / ER ）
2.管脚信息
表1中。
针
B和E系列
1
2
3
ER系列
1
2
3
主终端1 （T1）的
栅极（G ）
主终端2 （T2）的
321
钉扎
描述
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
主终端1 （T1）的
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
SOT54 （ TO-92 ）
恩智浦半导体
BTA201系列B， E和ER
1三象限三端双向可控硅整流高
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA201-600B
BTA201-600E
BTA201-800B
BTA201-800E
BTA201-800ER
TO-92
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
参数
重复峰值断态电压
BTA201-600B
BTA201-600E
BTA201-800B
BTA201-800E
BTA201-800ER
I
T（ RMS ）
I
TSM
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
全正弦波;牛逼
领导
≤
54.3
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
[1]
[1]
条件
民
-
-
-
-
-
-
最大
600
600
800
800
800
1
单位
V
V
V
V
V
A
-
-
-
-
-
-
12.5
13.7
0.78
100
2
5
0.1
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
t
p
= 10毫秒
I
TM
= 1.5 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不超过6 A / s 。
BTA201_SER_B_E_ER_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
BTA201系列B， E和ER
1三象限三端双向可控硅整流高
1.5
P
合计
(W)
1.0
α
α
001aag957
α
= 180°
120°
90°
60°
30°
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
T（ RMS ）
(A)
1.2
α
=导通角
图1 。
16
I
TSM
(A)
12
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
001aag959
8
I
T
4
I
TSM
t
T
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期的数目（n）的
10
3
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA201_SER_B_E_ER_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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1三象限三端双向可控硅整流高
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产品数据表
1.产品廓
1.1概述
钝化，保证换向双向可控硅在一个塑料包。在“敏感门'E
和ER系列适用于低功率驱动器接口，包括
微控制器。高换B系列设计用于整流全RMS
目前，在没有缓冲的帮助下，最大结温。
1.2产品特点
I
适合与低功率接口
驱动程序，包括微控制器
I
反向牵制选项（ ER型）
1.3应用
I
电机控制
I
螺线管驱动器
1.4快速参考数据
I
I
I
I
I
TSM
≤
12.5 A
I
T（ RMS ）
≤
1 A
V
DRM
≤
600 V （ BTA201-600B / E）
V
DRM
≤
800 V （ BTA201-800B / E / ER ）
I
I
I
I
I
GT
≤
50毫安（ BTA201-600B / 800B ）
I
GT
≤
10毫安（ BTA201-600E / 800E / ER ）
I
GT
≥
5毫安（ BTA201-600B / 800B ）
I
GT
≥
1毫安（ BTA201-600E / 800E / ER ）
2.管脚信息
表1中。
针
B和E系列
1
2
3
ER系列
1
2
3
主终端1 （T1）的
栅极（G ）
主终端2 （T2）的
321
钉扎
描述
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
主终端1 （T1）的
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
SOT54 （ TO-92 ）
恩智浦半导体
BTA201系列B， E和ER
1三象限三端双向可控硅整流高
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA201-600B
BTA201-600E
BTA201-800B
BTA201-800E
BTA201-800ER
TO-92
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
参数
重复峰值断态电压
BTA201-600B
BTA201-600E
BTA201-800B
BTA201-800E
BTA201-800ER
I
T（ RMS ）
I
TSM
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
全正弦波;牛逼
领导
≤
54.3
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
[1]
[1]
条件
民
-
-
-
-
-
-
最大
600
600
800
800
800
1
单位
V
V
V
V
V
A
-
-
-
-
-
-
12.5
13.7
0.78
100
2
5
0.1
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
t
p
= 10毫秒
I
TM
= 1.5 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不超过6 A / s 。
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NXP B.V. 2008保留所有权利。
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BTA201系列B， E和ER
1三象限三端双向可控硅整流高
1.5
P
合计
(W)
1.0
α
α
001aag957
α
= 180°
120°
90°
60°
30°
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
T（ RMS ）
(A)
1.2
α
=导通角
图1 。
16
I
TSM
(A)
12
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
001aag959
8
I
T
4
I
TSM
t
T
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期的数目（n）的
10
3
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA201_SER_B_E_ER_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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1三象限三端双向可控硅整流高
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产品数据表
1.产品廓
1.1概述
钝化，保证换向双向可控硅在一个塑料包。在“敏感门'E
和ER系列适用于低功率驱动器接口，包括
微控制器。高换B系列设计用于整流全RMS
目前，在没有缓冲的帮助下，最大结温。
1.2产品特点
I
适合与低功率接口
驱动程序，包括微控制器
I
反向牵制选项（ ER型）
1.3应用
I
电机控制
I
螺线管驱动器
1.4快速参考数据
I
I
I
I
I
TSM
≤
12.5 A
I
T（ RMS ）
≤
1 A
V
DRM
≤
600 V （ BTA201-600B / E）
V
DRM
≤
800 V （ BTA201-800B / E / ER ）
I
I
I
I
I
GT
≤
50毫安（ BTA201-600B / 800B ）
I
GT
≤
10毫安（ BTA201-600E / 800E / ER ）
I
GT
≥
5毫安（ BTA201-600B / 800B ）
I
GT
≥
1毫安（ BTA201-600E / 800E / ER ）
2.管脚信息
表1中。
针
B和E系列
1
2
3
ER系列
1
2
3
主终端1 （T1）的
栅极（G ）
主终端2 （T2）的
321
钉扎
描述
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
主终端1 （T1）的
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
SOT54 （ TO-92 ）
恩智浦半导体
BTA201系列B， E和ER
1三象限三端双向可控硅整流高
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA201-600B
BTA201-600E
BTA201-800B
BTA201-800E
BTA201-800ER
TO-92
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
参数
重复峰值断态电压
BTA201-600B
BTA201-600E
BTA201-800B
BTA201-800E
BTA201-800ER
I
T（ RMS ）
I
TSM
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
全正弦波;牛逼
领导
≤
54.3
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
[1]
[1]
条件
民
-
-
-
-
-
-
最大
600
600
800
800
800
1
单位
V
V
V
V
V
A
-
-
-
-
-
-
12.5
13.7
0.78
100
2
5
0.1
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
t
p
= 10毫秒
I
TM
= 1.5 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不超过6 A / s 。
BTA201_SER_B_E_ER_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年2月4日
2 12
恩智浦半导体
BTA201系列B， E和ER
1三象限三端双向可控硅整流高
1.5
P
合计
(W)
1.0
α
α
001aag957
α
= 180°
120°
90°
60°
30°
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
T（ RMS ）
(A)
1.2
α
=导通角
图1 。
16
I
TSM
(A)
12
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
001aag959
8
I
T
4
I
TSM
t
T
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期的数目（n）的
10
3
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA201_SER_B_E_ER_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年2月4日
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