标准芯片
双高转换率的操作
扩音器
BA4510F / BA4510FV
该BA4510F和BA4510FV是含有两个运算放大器具有高压摆率单片式IC ，具有
相位补偿。这些IC可以驱动与低电压电源，要求的电源电压范围
± 1 ± 3.5V为单电源的双电源供电和2 7V 。另外，在未缓冲类型用于
这使得即使在低电压范围内充分的输出，从而使摆动速度高达近电源电压。
功能操作。
1 ）低电压
2 ）高转换率。
3 ）宽的动态输出范围。
4 ）紧凑型8引脚SSOP -B包。 （ BA4510FV ）
框图
OUT1
1
8
V
CC
- IN1
2
1ch
–
+
7
OUT2
+ IN1
3
+
2ch
–
6
- IN2
V
EE
4
5
+ IN2
1
标准芯片
BA4510F / BA4510FV
内部电路结构
V
CC
R
1
X
2
Q
7
Q
8
Q
9
“在
+在
Q
1
Q
2
A
R
5
X
3
R
2
V
EE
R
3
R
4
OUT
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
电源电压
功耗
差分输入电压
共模输入电压
工作温度
储存温度
BA4510F
BA4510FV
符号
V
CC
Pd
V
ID
V
I
TOPR
TSTG
范围
±
5
550
1
（ SOP ）
350
2
（ SSOP ）
±
V
CC
0 ~ V
CC
– 20 ~ + 75
– 40 ~ + 125
单位
V
mW
V
V
°C
°C
1如果在温度高于25 ° C时使用的，由5.5MW功率降低为每1 ° C以上的Ta = 25 ℃。
2如果在温度高于25 ° C时使用的，由3.5MW功率降低为每1 ° C以上的Ta = 25 ℃。
值为300mW的IC时单独使用。
安装在玻璃环氧树脂板时，此值是测得的值（50毫米
×
50mm
×
1.6mm).
安装在玻璃环氧树脂板时，此值是测得的值（ 70毫米
×
70mm
×
1.6mm).
2
标准芯片
BA4510F / BA4510FV
CC
电特性（除非另有说明， TA = 25℃ ，V
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
高幅度的电压增益
共模输入电压
共模抑制比
电源电压抑制比
静态电流
输出电压
压摆率
高
低
符号
V
IO
I
IO
I
B
A
V
V
ICM
CMRR
PSRR
I
Q
V
OH
V
OL
S.R.
分钟。
—
—
—
60
– 1.3
60
60
2.5
2.0
—
—
1
2
80
90
—
80
80
5.0
2.4
– 2.4
5
= ±2.5V)
马克斯。
6
200
500
—
1.5
—
—
7.5
—
– 2.0
—
单位
mV
nA
nA
dB
V
dB
dB
mA
V
V
V /
s
R
S
= 50
R
L
=
All
安培
R
L
= 2k
R
L
= 2k
1
典型值。
条件
R
S
= 50
R
L
为2kΩ ，V
CC
= 15V
（1）由于在第一阶段被配置成与一个PNP晶体管，输入偏置电流是从IC 。
电气特性曲线
1200
功耗：钯（MW ）
1000
800
600
BA4510F
400
BA4510FV
200
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ° C）
图。 1功耗与环境
温度
笔记
Operationcircuit连接
（1 ）未使用
如果有哪些没有被使用的任何电路，我们
建议进行连接，如图2 ，
与非反相输入端子连接到所述电位
同相输入电压范围内的TiAl （Ⅴ
ICM
).
（ 2 ）如果用一个电压跟随器使用时，小心振荡的
化可能会导致出现问题的线路输入
电压范围或电容负载。
（3）若在电源电压+ 5.0或更高的使用，是
一定增益减小到足以防止振荡
化。
V
CC
–
潜在的
在V
ICM
+
V
EE
图。 2未使用的电路连接
3
标准芯片
双高转换率的操作
扩音器
BA4510F / BA4510FV
该BA4510F和BA4510FV是含有两个运算放大器具有高压摆率单片式IC ，具有
相位补偿。这些IC可以驱动与低电压电源，要求的电源电压范围
± 1 ± 3.5V为单电源的双电源供电和2 7V 。另外，在未缓冲类型用于
这使得即使在低电压范围内充分的输出，从而使摆动速度高达近电源电压。
功能操作。
1 ）低电压
2 ）高转换率。
3 ）宽的动态输出范围。
4 ）紧凑型8引脚SSOP -B包。 （ BA4510FV ）
框图
OUT1
1
8
V
CC
- IN1
2
1ch
–
+
7
OUT2
+ IN1
3
+
2ch
–
6
- IN2
V
EE
4
5
+ IN2
1
标准芯片
BA4510F / BA4510FV
内部电路结构
V
CC
R
1
X
2
Q
7
Q
8
Q
9
“在
+在
Q
1
Q
2
A
R
5
X
3
R
2
V
EE
R
3
R
4
OUT
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
电源电压
功耗
差分输入电压
共模输入电压
工作温度
储存温度
BA4510F
BA4510FV
符号
V
CC
Pd
V
ID
V
I
TOPR
TSTG
范围
±
5
550
1
（ SOP ）
350
2
（ SSOP ）
±
V
CC
0 ~ V
CC
– 20 ~ + 75
– 40 ~ + 125
单位
V
mW
V
V
°C
°C
1如果在温度高于25 ° C时使用的，由5.5MW功率降低为每1 ° C以上的Ta = 25 ℃。
2如果在温度高于25 ° C时使用的，由3.5MW功率降低为每1 ° C以上的Ta = 25 ℃。
值为300mW的IC时单独使用。
安装在玻璃环氧树脂板时，此值是测得的值（50毫米
×
50mm
×
1.6mm).
安装在玻璃环氧树脂板时，此值是测得的值（ 70毫米
×
70mm
×
1.6mm).
2
标准芯片
BA4510F / BA4510FV
CC
电特性（除非另有说明， TA = 25℃ ，V
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
高幅度的电压增益
共模输入电压
共模抑制比
电源电压抑制比
静态电流
输出电压
压摆率
高
低
符号
V
IO
I
IO
I
B
A
V
V
ICM
CMRR
PSRR
I
Q
V
OH
V
OL
S.R.
分钟。
—
—
—
60
– 1.3
60
60
2.5
2.0
—
—
1
2
80
90
—
80
80
5.0
2.4
– 2.4
5
= ±2.5V)
马克斯。
6
200
500
—
1.5
—
—
7.5
—
– 2.0
—
单位
mV
nA
nA
dB
V
dB
dB
mA
V
V
V /
s
R
S
= 50
R
L
=
All
安培
R
L
= 2k
R
L
= 2k
1
典型值。
条件
R
S
= 50
R
L
为2kΩ ，V
CC
= 15V
（1）由于在第一阶段被配置成与一个PNP晶体管，输入偏置电流是从IC 。
电气特性曲线
1200
功耗：钯（MW ）
1000
800
600
BA4510F
400
BA4510FV
200
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ° C）
图。 1功耗与环境
温度
笔记
Operationcircuit连接
（1 ）未使用
如果有哪些没有被使用的任何电路，我们
建议进行连接，如图2 ，
与非反相输入端子连接到所述电位
同相输入电压范围内的TiAl （Ⅴ
ICM
).
（ 2 ）如果用一个电压跟随器使用时，小心振荡的
化可能会导致出现问题的线路输入
电压范围或电容负载。
（3）若在电源电压+ 5.0或更高的使用，是
一定增益减小到足以防止振荡
化。
V
CC
–
潜在的
在V
ICM
+
V
EE
图。 2未使用的电路连接
3
QQ：2880707522 复制
