BAS40TW/ADW/CDW/SDW/RDW
表面装载肖特基二极管阵列
这些器件具有电气连接的隔离肖特基二极管
在住在一个非常小的SOT- 363的各种配置( SC70-6L )
4
5
6
2
1
3
特点
0.5V的最大正向电压@ 10毫安
最大漏电流@ 1.0uA的25V
40V反向电压额定值
此外,在无铅电镀可用( 100 %雾锡完成)
应用
轨至轨ESD保护
过高和过低的切换控制
手机及配件
视频游戏机连接器端口
BAS40TW
三重隔离
SOT- 363
各个
CON连接gurations
(参见图
如下图)
BAS40ADW
共阳极
BAS40CDW
共阴极
BAS40SDW
系列
BAS40RDW
反向串联
6
5
4
6
5
4
6
5
4
6
5
4
6
5
4
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
标识代码: S40
标识代码: S42
标识代码: S43
标识代码: S44
标识代码: S45
最大额定值(每个二极管)
T
J
= 25 ° C除非另有说明
等级
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
非重复性峰值正向电流, T = 1秒,方波
总功率耗散(注1 )
工作结温范围
存储温度范围
注1: FR- 5局1.0× 0.75× 0.062英寸
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
J
T
英镑
价值
40
40
200
600
225
-55至125
-65至125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到环境
符号
R
ThetaJA
价值
556
单位
° C / W
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BAS40TW/ADW/CDW/SDW/RDW
电气特性(每二极管)
TJ = 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压(注1 )
符号
V
BR
V
F
I
R
C
T
吨RR
条件
I
BR
=为10uA
I
F
= 1.0毫安
正向电压(注1 )
反向漏电流(注1 )
总电容
反向恢复时间
(参见图1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 40毫安
V
R
= 25V
为0 Vdc偏置, F = 1兆赫
I
F
= 10毫安,我
R
= 10毫安
R
L
= 100欧姆;
测量我
RREC
= 1毫安
民
40
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
380
500
1000
1.0
5.0
5.0
uA
pF
ns
mV
单位
V
注意: 1。持续时间短的脉冲,以尽量减少自热效应
820
+10 V
2 .0 k
100 H
0 .1 F
I
F
0 .1 F
?
DUT
5 0
ü TP ü吨
P ü LS ê
摹简岭至R
5 0
在P ü吨
S A M P李体中
S·C金正日LO S·C O·P ê
注意事项: 1. 2.0kΩ可变电阻调整为正向电流(I
F
)至10mA
2.输入脉冲被调整到我
R(峰)
等于10mA的电流
图1.反向恢复时间等效测试电路
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BAS40TW/ADW/CDW/SDW/RDW
封装布局,并建议焊盘尺寸
订购信息
BAS40xxx T / R7 - 每卷7"卷轴, 3K单位
BAS40xxx T / R13 - 每卷13"卷轴, 10K单位
版权所有强茂国际, 2005年公司
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