【陶瓷瞬态电压抑制器SMD多层瞬态电压抑制器，控制电容系列系列/型号：发布日期：2008年8月 EPC】,IC型号B72714A5170S160,B72714A5170S160 PDF资料,B72714A5170S160经销商,ic,电子元器件-51电子网

陶瓷瞬态电压抑制器

SMD多层瞬态电压抑制器，

控制电容系列

系列/型号：

发布日期：

2008年8月

EPCOS AG 2008.复制，出版和传播本出版物，机箱及本协议的

禁止所载没有爱普科斯事先明确同意信息。

多层压敏电阻（ MLV的）

控制电容系列

为控制电容系列EPCOS型号命名系统

结构：

CT单芯片

镍屏障

终止

（ AgNiSn ）

CA芯片阵列

镍屏障

终止

（ AgNiSn ）

表壳尺寸：

0603 0603单芯片

0805 0805单芯片

1206 1206单芯片

05 0508阵列

每个组成元素的数量：

单芯片

有4个元素P4阵列

压敏电压容差：

±10%

±20%

的特殊宽容

最大RMS操作电压（V

RMS

17 17 V

特殊功能：

标准

一种特殊公差

牛逼的内部编码

控制电容系列：

CC标准版

CC2特别版

录音方式：

摹180毫米卷筒

G2 330毫米卷筒

请阅读

注意事项和警告

和

重要提示

在这个文件的结尾。

第33 2

多层压敏电阻（ MLV的）

控制电容系列

特点

ESD保护水平累计。 ISO 10605 ， IEC 61000-4-2

4级

双向保护

指定电容公差额外的EMI

筛选

低插入损耗

低漏电流

无信号失真

符合RoHS标准

适用于无铅焊接CT版

要求客户特定类型

应用

过滤的目的

在I / O端口（ MLCC替代的）

设计

多层技术

缺胶或环氧树脂进行封装的

阻燃等级优于UL 94 V- 0

终止（见“焊接方向” ）：

CT和CA类型的镍挡板终端

（ AgNiSn ），推荐用于无铅焊接，

与锡/铅焊料兼容。

V / I特性和降额曲线

V / I和降额曲线连接到数据表中。

该曲线是用V排序

RMS

再经大小的情况下，

这是包含在类型名称。

单芯片

内部电路

可用封装尺寸：

EIA

0603

0805

1206

ARRAY

内部电路

公

1608

2012

3216

4倍阵列

可用封装尺寸：

EIA

0508

公

1220

VERSION

4倍阵列

请阅读

注意事项和警告

和

重要提示

在这个文件的结尾。

第33 3

多层压敏电阻（ MLV的）

控制电容系列

主要技术参数

最大RMS工作电压

最大直流工作电压

接触放电ESD能力

空气放电ESD能力

最大浪涌电流

标称电容量

最大钳位电压

工作温度

储存温度

RMS ，最大

DC ，最大

ESD，接触

ESD，空气

浪涌，最大

喃

钳，最大

英镑

4 ... 25

5.5 ... 31

10 ... 150

33 ... 1200

17 ... 67

40/+85

55/+125

40/+125

55/+150

°C

符合IEC 61000-4-2

(8/20 s)

数组

对于0603 ... 1206

数组

对于0603 ... 1206

温度降额

气候类别：

40/+85

°C

数组

气候类别：

芯片尺寸

≥

0603

55/+125

°C

为

请阅读

注意事项和警告

和

重要提示

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第33 4

多层压敏电阻（ MLV的）

控制电容系列

电气规格和订购代码

最大额定值（T

OP ，最大

)

TYPE

订购代码

RMS ，最大

DC ，最大

浪涌，最大

最大

迪斯，最大

OP ，最大

（8/20微秒）（2毫秒）

°C

5.5

150

300

200

300

400

300

+85

+125

4倍阵列

CA05P4S17TCCG

单芯片

CT1206M4CCG

CT0603K17CCG

CT0603S20ACCG

CT0805S20ACC2G2

CT0805K25CCG

B72714A5170S160

B72520T5040M062

B72500T5170K060

B72500T5200S160

B72510T9200S172

B72510T5250K062

特性（T

= 25

°C)

TYPE

五，分

（1 mA）的

6.4

24.3

29.7

35.1

V，最大

（1 mA）的

9.6

29.7

39.6

42.9

钳，最大

钳

喃

（ 8/20微秒）（ 1兆赫， 1 V）（ 1兆赫， 1 V）

1200

160

220

250

±30

50/+100

±20

±23

±35

4倍阵列

CA05P4S17TCCG

单芯片

CT1206M4CCG

CT0603K17CCG

CT0603S20ACCG

CT0805S20ACC2G2

CT0805K25CCG

1 ）测量@ 1 kHz时， 1 V

请阅读

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重要提示

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第33 5

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