Am75PDL191BHHa/
Am75PDL193BHHa
数据表
2003年7月
下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在
文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，
和变化，都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
30898
调整
A
修订
+2
发行日期
2004年2月6日
超前信息
Am75PDL191BHHa/Am75PDL193BHHa
128兆位（8M ×16位） CMOS 3.0伏只，同步读/写闪存
增强型通用I / O控制和双芯片使能输入端加，对于附加代码
或数据存储， 64兆位（4M ×16位） CMOS 3.0伏只同步读/写
闪存和32兆位（2M ×16位） CMOS伪静态RAM
特色鲜明
对于代码存储：
Am29PDL127H / Am29PDL129H特点
架构优势
■
128 Mbit的页面模式设备
- 8字页面大小：快速页面读取访问随机
在页面内的位置
■
在一个设备中底部和顶部的引导块
■
在0.13微米制程技术制造的
■
20年的数据保存在125°C
■
每个部门最少百万擦除周期保证
性能特点
■
高性能
- 页面访问时间快30纳秒
- 随机存取时间快70纳秒
■
双芯片使能输入（ PDL129只）
- 两个CE输入控制存储器的每个半选择
空间
■
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.1伏读取，擦除和编程
对于电池供电的应用操作
■
功耗（在10 MHz时的典型值）
- 45毫安有效的读电流
- 25毫安编程/擦除电流
- 1 μA典型待机模式电流
■
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 从写零延迟切换到读操作
软件特点
■
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV家庭
■
FlexBank架构
- 4个独立的银行，拥有最多两个同步操作
每个器件
■
CFI （通用闪存接口）投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中，从而允许
主机软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
PDL127 ：
—
—
—
—
—
—
—
—
A银行： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
B组： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行C： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行D： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
银行1A ： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行1B ： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
银行2A ： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
银行2B ： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
■
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，允许读取或程序
在同一家银行的其他部门的操作
PDL129 ：
■
解锁绕道程序命令
- 发出多个时，降低了总体规划的时间
程序的命令序列
■
SecSi
TM
（安全硅）扇形区域
- 最多可以访问128个字，通过一个命令序列
- 最多64个工厂锁定的话
- 最多64个客户，可锁定的话
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
30898
启：
A
修订
2
发行日期：
2004年2月6日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
A D V A N权证
硬件特性
■
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
我N· R M一T I O 4 N
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 提供了检测程序或擦除硬件方法
周期结束
性能特点
■
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间： 4微秒/字典型的利用加速
功能
■
超低功耗（典型值）
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
■
按最低保证百万次擦写
扇形
■
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
■
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件方法来将设备重置读取数组数据
■
WP ＃ / ACC （写保护/加速）输入
- 在V
IL
，第一和最后两个4K的硬件级保护
一句话部门。
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
提供加速编程工厂
环境
■
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定组合
个别部门和行业组织，以防止程序或
该部门擦除操作
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
■
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或使用该部门擦除操作
用户定义的64位的密码
软件特点
■
数据管理软件（ DMS ）
- AMD公司提供的软件管理数据编程，
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
■
支持通用闪存接口（ CFI ）
■
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，以允许从读
在同一家银行其他部门
■
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
■
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
代码或数据存储：
AM29DL640H
■
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的另一家银行。
读取和写入操作之间的零延迟
■
灵活的银行
TM
架构
- 读取可能发生在任何三个银行不是
写或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组，以实现
所需的银行部门。
■
引导扇区
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
- 任何部门的结合可以被删除
■
在0.13微米制程技术制造的
■
SecSi （安全硅）行业：额外256字节
扇形
—
工厂锁定和识别：
适用于16字节
安全的，随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
—
客户可锁定：
只有一次性可编程。
一旦被锁定，数据不能被改变
■
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零。
■
兼容JEDEC标准
硬件特性
■
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
■
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
硬件复位内部状态的方法
机读方式
■
WP ＃ / ACC输入引脚
- 写保护（ WP ＃ ）功能保护扇区0 ， 1 ，
140和141 ，无论部门保护状态
- 加速度（ ACC ）功能，加速项目
定时
■
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法，无论是
在系统或使用编程设备，以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
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Am75PDL191BHHa/Am75PDL193BHHa
2004年2月6日
A D V A N权证
PSRAM产品特点
■
主办单位： 2M ×16位
■
2.7至3.1 V电源电压
■
三态输出
■
兼容低功耗SRAM
■
深度掉电：存储单元数据无效持有
我N· R M一T I O 4 N
2004年2月6日
Am75PDL191BHHa/Am75PDL193BHHa
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